Мікросхеми
Мікросхема SG3524N , DIP16
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер |
| Напруга живлення Vcc, робочий діапазон | 8–40 В |
| Напруга живлення Vcc, абсолютний максимум | 40 В |
| Опорна напруга | 5 В (4,6–5,4 В) при Vcc = 20 В, f = 20 кГц, TA = 25 °C |
| Струм опорного виходу, максимум | 50 мА |
| Вихідний струм колектора, максимум | 100 мА (абсолютний максимум) |
| Макс. коефіцієнт заповнення виходу | 45 % при Vcc = 20 В, f = 20 кГц |
| Опір RT | 1,8–100 кОм |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Струм спокою | 8 мА (typ) |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | PDIP-16 (N), 9,90 × 6,35 мм |
Мікросхема SG3525AP оригінал ( SG3525AP013TR , SG3525A , SG3525 ) , so-16
В наявності
67,21 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 8–35 В (робочий діапазон) |
| Напруга живлення Vi (макс.) | 40 В (абсолютний максимум) |
| Опорна напруга Vref | 5,1 В (Tj 25 °C) |
| Вихідний струм | 200 мА (кожен вихід) |
| Струм споживання | 14 мА (Vi 35 В) |
| Час наростання виходу | 100 нс (CL 1 нФ, Tj 25 °C) |
| Час спаду виходу | 50 нс (CL 1 нФ, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт (Tamb 70 °C) |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SG5842JASZ , so-8
В наявності
81,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга живлення VDD (макс.) | 30 В |
| Робоча напруга VDD | 20 В (макс., безперервна робота) |
| Поріг запуску VDD(on) | 16.5 В (тип.) |
| Струм запуску | 14 мкА |
| Робочий струм | 4 мА (VDD 15 В, RI 26 кОм) |
| Частота ШІМ | 65 кГц (RI 26 кОм) |
| Захист від перенапруги VDD | 24.2 В |
| Обмеження напруги GATE | 18 В |
| Робочий діапазон температур | -40…+105 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема SG6105D ( SG6105DZ ) оригінал, DIP20
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | System General |
| Напруга живлення VCC | 4.5…5.5 В |
| VCC, абсолютний максимум | 16 В |
| Струм споживання | 5 мА (VCC 5 В, TA 25 °C) |
| Захист від перенапруги 3.3 В | 4.1 В |
| Захист від перенапруги 5 В | 6.1 В |
| Захист від перенапруги 12 В | 14.5 В |
| Опорна напруга шунтових регуляторів | 2.5 В (IFB 0.5 мА, TA 25 °C) |
| Затримка Power Good | 300 мс (RI 75 кОм) |
| Частота ШІМ | 65 кГц (RI 75 кОм) |
| Корпус | DIP-20 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SG6840SZ , so-8
В наявності
102,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | System General |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| VDD, абсолютний максимум | 30 В |
| Робоча напруга VDD | <20 В |
| Поріг запуску VTH(ON) | 16 В |
| Струм запуску | 30 мкА (VDD=14.5 В) |
| Частота ШІМ | 65 кГц (RI=26 кОм) |
| Частота в green-mode | 10 кГц (RI=26 кОм) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % |
| Обмеження GATE | 18 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема SG6841SZ ( SG6841S ) , so-8
В наявності
33,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер green-mode |
| Виробник | System General |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення VDD(ON) | 16 В (тип.) |
| Струм запуску | 30 мкА |
| Робочий струм | 3 мА |
| Частота ШІМ | 65 кГц (RI = 26 кОм, тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (тип.) |
| Обмеження напруги GATE | 18 В |
Мікросхема SG6848DZ1 ( SG6848DZ , SG6848D , SG6848 ) оригінал, DIP8
В наявності
53,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер green-mode, режим струму |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення VDD, макс. | 25 В (абсолютний максимум) |
| Поріг VDD-ON | 16.3 В (VDD = 15 В, тип.) |
| Поріг VDD-OFF | 11.7 В (тип.) |
| Струм запуску | 5 мкА (VDD = 15 В, тип.) |
| Робочий струм | 3 мА (VDD = 15 В, CL = 1 нФ, тип.) |
| Частота ШІМ | 70 кГц (RI = 95 кОм, тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % (тип.) |
| Захист VDD-OVP | 23.5 В (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | –40…+105 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SG6848T ( sot23-6 , smd 6 выв) ( 51815 )
В наявності
23,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер green-mode, режим струму |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | SOT23-6 |
| Кількість виводів | 6 |
| Напруга живлення VDD, макс. | 25 В (абсолютний максимум) |
| Поріг VDD-ON | 16.3 В (VDD = 15 В, тип.) |
| Поріг VDD-OFF | 11.7 В (тип.) |
| Струм запуску | 5 мкА (VDD = 15 В, тип.) |
| Робочий струм | 3 мА (VDD = 15 В, CL = 1 нФ, тип.) |
| Частота ШІМ | 70 кГц (RI = 95 кОм, тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % (тип.) |
| Захист VDD-OVP | 23.5 В (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | –40…+105 °C |
Мікросхема SG6849-65DZ ( SG6849 ) оригінал, DIP8
В наявності
77,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер green-mode |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Частота ШІМ | 65 кГц (тип., 60–70) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % (тип., 70–80) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 25 В (абсолютний максимум) |
| Поріг вмикання VDD-ON | 17 В (тип., 16–18) |
| Поріг вимикання VDD-OFF | 8,0 В (тип., 7,5–8,5) |
| Струм запуску | 5 мкА при VDD = 15 В (тип., макс. 20 мкА) |
| Робочий струм | 3,6 мА при VDD = 15 В, CL = 1 нФ (тип., макс. 4,6 мА) |
| Захист від перегріву | 150 °C, гістерезис 20 °C |
| Діапазон температур | –40…+105 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SGM48000XS8G ( 48000XS8 , SGM48000XS8 , SGM48000 ) , sop-8
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SG Micro Corp |
| Призначення | двоканальний low-side драйвер силових MOSFET |
| Струм виходу (втікає/витікає) | 2 А (типове значення) |
| Час наростання | 12 нс |
| Час спаду | 13 нс |
| Напруга живлення VCC | 4.5…26.5 В |
| Максимальна напруга VCC | 28 В |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Розсіювана потужність SOIC-8 | 0.94 Вт при TA = +25 °C |
| Тепловий опір SOIC-8 (JA) | 132 °C/Вт |
| Логіка входів | обидва канали неінвертуючі |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема SGM8905 , MSOP-10 ( TPF605 )
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SG Micro Corp (SGMICRO) |
| Напруга живлення | 3–5.5 В |
| Вихідна напруга (VDD 3.3 В, навантаження 2.5 кОм) | 2 Vrms |
| Вихідна напруга (VDD 5 В, навантаження 2.5 кОм) | 3 Vrms |
| Коефіцієнт підсилення | від -1 до -10 В/В |
| THD+N (VO 2 Vrms, f 1 кГц) | 0.001 % |
| SNR (typ) | 114 дБ |
| Струм споживання (VDD 5 В, без навантаження, EN = VDD) | 11.5 мА (typ), 15.5 мА (max) |
| Смуга одиничного підсилення | 8 МГц |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Корпус | MSOP-10 (Exposed Pad) |
Мікросхема SI4825A10 ( SI4825-A10 ) оригінал, sop-16
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | AM/FM/SW радіоприймач із механічним настроюванням, моно |
| Виробник | Skyworks Solutions (раніше Silicon Labs) |
| Напруга живлення VDD | 2.0–3.6 В |
| Струм споживання FM | 20.0 мА (тип., VDD 2.7–3.6 В, TA 0–70 °C) |
| Струм споживання AM/SW | 19.0 мА (тип., VDD 2.7–3.6 В, TA 0–70 °C) |
| Діапазон FM | 64–109 МГц |
| Діапазон AM | 504–1750 кГц |
| Діапазон SW | 2.3–28.5 МГц |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SL6699 , ssop-20
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Тристерео-підсилювач потужності звуку |
| Виробник | Li Optoelectronics Technology |
| Напруга живлення | 2.0–5.5 В |
| Напруга живлення, макс. | 7 В при Tamb 25 °C |
| Вихідна потужність на канал | 1.25 Вт, Vdd 5 В, 8 Ом, THD+N 10 % |
| Стереовходів на вибір | 3 |
| Регулювання гучності | від -85 до +20 дБ, 32 ступені |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Тепловий опір | 80 °C/Вт |
| Корпус | SSOP-20 |
Мікросхема SLM2106 оригінал, SOIC-8
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер MOSFET і IGBT, верхній і нижній ключі |
| Напруга зсуву VOFFSET, макс. | 600 В |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 10–20 В |
| Піковий струм виходу, джерело | 450 мА (типово) |
| Піковий струм виходу, стік | 950 мА (типово) |
| Затримка вмикання | 160 нс (типово) |
| Затримка вимикання | 220 нс (типово) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLM341 ( SLM341CK-DG ) оригінал, so-6
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Вихідний струм (джерело/приймач) | 3,0 А / 3,0 А (пік) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| Напруга живлення затвора | 14…40 В |
| Затримка поширення | 140 нс (макс.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLM343 ( SLM343CK-DG ) оригінал, so-6
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Вихідний струм (витікає) | 4,0 А (максимум, пік) |
| Вихідний струм (втікає) | 6,0 А (максимум, пік) |
| Напруга живлення драйвера | 14–40 В |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче), 1 хв, за UL 1577 |
| Затримка поширення | 140 нс (максимум) |
| Спотворення ширини імпульсу | 35 нс (максимум) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мінімум) |
| Температура переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SM8012 , DIP8
В наявності
82,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою вбудованого MOSFET | 650 В (IDDop 2.8 мА, VFB 0 В) |
| Опір відкритого каналу вбудованого MOSFET | 5 Ом (максимум) |
| Частота перетворення | 65 кГц (RI 100 кОм; діапазон 60–70) |
| Частота в режимі Burst | 22 кГц (VDD 16 В, RI 100 кОм) |
| Поріг вмикання UVLO | 8 В (мін. 7.6, макс. 8.6) |
| Поріг вимикання UVLO | 14 В (мін. 13, макс. 15) |
| Струм старту | 5 мкА (VDD 12.5 В, RI 100 кОм; макс. 10) |
| Робочий струм | 2.8 мА (VDD 16 В, RI 100 кОм) |
| Поріг захисту за струмом | 0.75 В (FB 3.3 В; діапазон 0.70–0.80) |
| Напруга VDD, максимум | 23 В (Tа 25 °C) |
| Температура переходу | -20…110 °C |
| Максимальна вихідна потужність | 14 Вт (закритий корпус) / 16 Вт (відкритий) |
| Споживання в режимі очікування | <0.3 Вт (AC 240 В) |
Мікросхема SM8013C , DIP
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP-8 (також SOP-8, SOT23-6) |
| Потужність блока живлення, до | 36 Вт |
| Споживання в режимі очікування | <0.3 Вт (AC 265 В) |
| Напруга VDD, максимум | 35 В (Tа 25 °C) |
| Поріг запуску VDD | 16.5 В (мін. 15.5, макс. 17.5) |
| Поріг вимкнення VDD | 9.5 В (мін. 8.5, макс. 10.5) |
| Захист від перенапруги VDD | 34 В |
| Напруга обмеження VDD | 35 В (IDD 5 мА) |
| Струм старту | 5 мкА (VDD 12 В; макс. 25) |
| Робочий струм | 2.5 мА (VDD 18 В) |
| Частота перетворення | 65 кГц (VDD 18 В, VFB 3.0 В) |
| Частота в режимі Burst | 22 кГц (VDD 18 В) |
| Поріг захисту за струмом | 0.75 В (VFB 3.0 В; діапазон 0.68–0.80) |
| Обмеження напруги на затворі | 18 В (VDD 18 В) |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 106 °C/Вт (корпус DIP-8) |
| ESD, модель людського тіла | >2000 В |
Мікросхема SPC7011F , so-8 ( FA5695N )
В наявності
54,52 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер PFC |
| Корпус | SO-8 |
| Режим роботи | критичний режим (critical conduction mode) |
| Напруга живлення, рекомендована | 10–26 В, типово 12 |
| Напруга живлення, максимум | 28 В (Ta 25 °C) |
| Поріг вмикання UVLO | 13 В (FA5695, типово) |
| Поріг вимкнення UVLO | 9 В (FA5695) |
| Струм старту | 80 мкА (максимум) |
| Робочий струм | 2 мА (типово) |
| Піковий струм виходу | 1000 / 1000 мА (джерело/стік) |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
Демонтаж
Мікросхема SSC2S110 ( 2S110-маркування) , so-8
В наявності
82,72 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 2S110 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 32 В |
| Макс. напруга на виводі ST | 600 В |
| Робоча температура | –20…+115 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга початку роботи Vcc(ON) | 15,3 В |
| Напруга зупинки Vcc(OFF) | 8,1 В |
| Частота генерації fOSC(AVE) | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 74 % |
| Поріг OVP по Vcc | 29 В |
