Мікросхеми
Мікросхема S8035BE ( STI8035BE ) , so-8
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hangzhou Sunto Semiconductor |
| Вихідна напруга (H_L=1) | 19 В (EN=1, H_L=1) |
| Вихідна напруга (H_L=0) | 14 В (EN=1, H_L=0) |
| Вихідний струм | 650 мА (за заголовком документа) |
| Напруга живлення Vin | 9–14 В (рекомендовані умови) |
| Обмеження струму виходу | 900 мА (макс.) |
| Частота BOOST | 1 МГц (EN=1) |
| ККД | 90 % (тип.) |
| Теплове відключення | 160 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | eSOP8L, 8 виводів + тепловідвідна площадка |
Демонтаж
Мікросхема SD6835 , DIP8
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Струмовий ШІМ/PFM-контролер з MOSFET |
| Напруга пробою MOSFET BVDSS | 650 В (мін.) |
| Rds(on) | 1.6 Ом (typ, VGS = 10 В, ID = 3 А) |
| Макс. частота генератора | 67 кГц (typ) |
| Мін. частота генератора | 25 кГц (typ) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (typ) |
| Поріг старту VSTART | 16 В (typ) |
| Поріг зупинки VSTOP | 8.5 В (typ) |
| Піковий струм обмеження | 2.2 А (typ) |
| Захист від перенапруги VOVP | 24.5 В (typ) |
| Тепловий захист | 150 °C (typ) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Мікросхема SDC606 ( SDC606U ) , DIP8
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга HV-транзистора | 700 В (VCB, абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність | 12 Вт, піково 15 Вт (вхід 85–265 В AC) |
| Напруга живлення VCC | 4,5–11,0 В |
| Частота генератора | 61 кГц (Ta 25 °C, VCC=7,0 В) |
| Струм запуску | 15 мкА (макс. 50 мкА) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Виробник | Shaoxing Devechip Microelectronics (SDC) |
Мікросхема SDC606P оригінал, DIP8
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SDC (Shaoxing Devechip Microelectronics) |
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму з вбудованим ключем |
| Корпус | DIP8 |
| Вихідна потужність (AC 85–265 В) | 12 Вт (пік 15 Вт) |
| Вихідна потужність (AC 220 В) | 15 Вт (пік 18 Вт) |
| Напруга ключа (вивід OC) | 700 В |
| Vcc, макс. | 18 В |
| Робоча Vcc | 4,5–11,0 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема SG2525AP оригінал ( SG2525AP013TR , SG2525A , SG2525 ) , so-16
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | ШІМ-контролер з двотактним виходом |
| Напруга живлення | 8–35 В (гранична 40 В) |
| Опорна напруга Vref | 5,1 В (Tj 25 °C, Vi 20 В) |
| Діапазон частоти генератора | 100 Гц – 500 кГц |
| Струм вихідних каскадів | понад 200 мА |
| Потужність розсіювання | 1000 мВт (Tamb 70 °C) |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SG3524D оригінал, so-16
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер |
| Напруга живлення Vcc, робочий діапазон | 8–40 В |
| Напруга живлення Vcc, абсолютний максимум | 40 В |
| Опорна напруга | 5 В (4,6–5,4 В) при Vcc = 20 В, f = 20 кГц, TA = 25 °C |
| Струм опорного виходу, максимум | 50 мА |
| Вихідний струм колектора, максимум | 100 мА (абсолютний максимум) |
| Макс. коефіцієнт заповнення виходу | 45 % при Vcc = 20 В, f = 20 кГц |
| Опір RT | 1,8–100 кОм |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Струм спокою | 8 мА (typ) |
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | SOIC-16 (D), 9,90 × 3,91 мм |
| Стан | Оригінал |