Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема SSC2S110 ( 2S110-маркування) , so-8
82,72 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SSC2S110 (маркування 2S110) – ШІМ-мікросхема Sanken в корпусі SOIC8 з виходом DRIVE для затвора силового MOSFET.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 2S110 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 32 В |
| Макс. напруга на виводі ST | 600 В |
| Робоча температура | –20…+115 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга початку роботи Vcc(ON) | 15,3 В |
| Напруга зупинки Vcc(OFF) | 8,1 В |
| Частота генерації fOSC(AVE) | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 74 % |
| Поріг OVP по Vcc | 29 В |
SSC2S110 – ШІМ-мікросхема виробництва Sanken в корпусі SOIC8 (8 виводів, виводи 3 і 5 – NC). На корпусі стоїть маркування 2S110. Вивід 6 (DRIVE) керує затвором силового MOSFET. Максимальна напруга живлення Vcc – 32 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C), на виводі запуску ST допустимо до 600 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C). Робоча температура навколишнього середовища –20…+115 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Мікросхема починає працювати при Vcc 15,3 В (тип., Ta 25 °C, Vcc 18 В) і зупиняється при 8,1 В (тип.). Середня частота генерації – 67 кГц (тип.), максимальний коефіцієнт заповнення – 74 % (тип.). Захисти: за перевантаженням по струму (OCP), за перенапругою по Vcc (поріг 29 В, тип.) і тепловий (від 130 °C, мін.). Підбираючи заміну, порівнюйте корпус, розпіновку, виводи керування та параметри в документації виробника: за одним лише маркуванням підбирати не варто. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ШІМ-мікросхема (PWM IC) в корпусі SOIC8 з виходом DRIVE для затвора силового MOSFET
- Захисти OCP, OLP, OVP, тепловий TSD
Що за мікросхема SSC2S110 і що означає маркування 2S110?
SSC2S110 – ШІМ-мікросхема Sanken в корпусі SOIC8. На корпусі нанесено маркування 2S110.
Яку напругу живлення допускає SSC2S110?
Максимум Vcc – 32 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C). Починає працювати при 15,3 В (тип.), зупиняється при 8,1 В (тип.).
Чим замінити SSC2S110?
Повну заміну pin-to-pin слід шукати за документацією виробника: порівнюйте корпус, розпіновку та параметри. Підбирати лише за назвою не варто.
Які захисти є в SSC2S110?
За таблицею параметрів: за струмом (OCP), перевантаженням (OLP), перенапругою (OVP) та тепловий (TSD).
Документація виробника: SSC2S110 (Sanken).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор ST13NM60N ( STF13NM60N , 13NM60N ) оригінал, TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | N-канальний MOSFET, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 11 А (TC = 25 °C); 6,93 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом тип., 0,36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 В мін., 3 В тип., 4 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±25 В (абсолютний максимум) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 44 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція Viso | 2500 В RMS |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C32 ( AT24C32A , ST24C32W6 ) (DIP8)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 32 Кбіт (4096 x 8) |
| Інтерфейс | 2-wire (I2C-сумісний) |
| Напруга живлення Vcc | 2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання) |
| Розмір сторінки запису | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс (максимум) |
| Струм спокою (Low-Power) | 2 мкА при Vcc = 5,5 В |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (8-pin PDIP, 0,300″) |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.