Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GT30F124 ( 30F124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( 300V , 200A )
160,74 ₴
13 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
13 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GT30F124 (30F124) у корпусі TO220F – демонтажна деталь з робочою напругою 300 В. Знятий з плати, перевірений перед відправкою.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 300 В |
| Струм колектора Ic (імпульсний, 3 мкс) | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,3 В тип. (Ic 120 А) |
| Розсіювана потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GT30F124 (30F124) – IGBT-транзистор 6-го покоління від Toshiba в корпусі TO220F, максимальна напруга колектор-емітер Vces 300 В. За даними виробника, імпульсний струм колектора Icp сягає 200 А (імпульс 3 мкс), а типова напруга насичення Vce(sat) становить 2,3 В при Ic 120 А. Максимальна розсіювана потужність Pc – 25 Вт при температурі корпусу 25 °C.
Деталь знята з плати й перевірена перед відправкою: контролюємо пробій переходу колектор-емітер, витік по затвору і візуально – цілісність корпусу та маркування. Перевірених аналогів цього номіналу з підтвердженими даташитом параметрами в нашому каталозі зараз немає. За таблицею виробника прямими замінами вважаються GT30F125, GT45F127, GT45F128 і GT30F131 – це дані виробника, наявність таких позицій варто уточнювати окремо. Перед встановленням заміни звіряйте з платою напругу Vces, імпульсний струм і корпус.
Де застосовують
- Плазмові панелі (PDP) – sustain-схема (X/Y drive), separation-схема, схема рекуперації енергії
Чим замінити GT30F124?
У нашому каталозі перевірених аналогів з підтвердженими даташитом параметрами зараз немає. За таблицею виробника прямими замінами вважаються GT30F125, GT45F127, GT45F128 і GT30F131 – уточнюйте наявність окремо.
Як перевірити GT30F124 перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діода зміряйте перехід колектор-емітер і затвор-емітер на пробій і витік, огляньте корпус і маркування на пошкодження від демонтажу.
Чи підходить GT30F124 для ремонту плазмової панелі?
Так, за даними виробника деталь застосовується в sustain-схемі (X/Y drive), separation-схемі та схемі рекуперації енергії плазмових панелей (PDP).
Чому в характеристиках вказано 200 А як імпульсний, а не безперервний струм?
У доступному документі виробника (зведена таблиця серії, не повний datasheet) наведено лише імпульсне значення Icp 200 А при імпульсі 3 мкс – окремого значення безперервного струму документ не містить.
Документація виробника: Toshiba Product Guide – Discrete IGBTs, 2011-3.
Знайдено лише зведений Toshiba Product Guide (селекшн-таблиця) 2011 року, не повний datasheet: параметри Qg, Vge(th), вбудованого діода і Tj max виробник у цьому документі не наводить.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор RJP63F3 оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 630 В |
| Струм колектора Ic | 40 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.7 В типово, 2.2 В макс. при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл при Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 40 А |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 100 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FAN73711 ( FAN73711MX , 73711 ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | драйвер верхнього ключа MOSFET/IGBT, бутстрепне живлення |
| Плаваючий канал (робочий), до | 600 В |
| Абсолютний максимум VB | 625 В (TA 25 °C) |
| Вихідний струм (джерело/стік) | 4 / 4 А |
| Напруга живлення VDD/VBS | 10–20 В |
| Затримка вмикання | 150 нс typ (VS = 0 В, CLOAD 1000 пФ, VDD = VBS = 15 В, TA 25 °C) |
| Затримка вимикання | 150 нс typ (VS = 0 В, CLOAD 1000 пФ, VDD = VBS = 15 В, TA 25 °C) |
| Вхідна логіка | сумісна з 3,3 В та 5 В |
| Розсіювана потужність | 0,625 Вт (плата 76,2 x 114,3 x 1,6 мм FR-4) |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.