Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP250N оригінал (200V,33A) , TO247
107,16 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFP250N – оригінальний N-канальний MOSFET серії HEXFET (Infineon, International Rectifier) в корпусі TO-247AC для силових схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 30 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 21 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 18 А) | 0.075 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 123 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 214 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IRFP250N – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) серії HEXFET п'ятого покоління від Infineon (International Rectifier). Напруга стік-витік – 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку – 30 А при температурі корпусу 25 °C і 21 А при 100 °C (VGS = 10 В). Опір відкритого каналу – не більше 0.075 Ом (VGS = 10 В, ID = 18 А). Вхідна ємність Ciss типово 2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність – 214 Вт при температурі корпусу 25 °C. Порогова напруга затвора – 2.0–4.0 В, максимальна напруга затвор-витік – ±20 В.
Це оригінальна деталь у корпусі TO-247AC, який кріпиться до радіатора. Заряд затвора – не більше 123 нКл (ID = 18 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В), тому драйвер затвора має потягнути таке навантаження. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, напругу, струм, опір каналу й корпус із цими значеннями. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Промислові та комерційні пристрої підвищеної потужності (за призначенням корпусу TO-247AC)
Чим замінити IRFP250N?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою не нижче 200 В, струмом не менше 30 А при 25 °C і опором каналу не гіршим за 0.075 Ом. Перевіряйте за datasheet.
Як перевірити транзистор?
Виведіть його зі схеми, перевірте вбудований діод між стоком і витоком і відсутність обриву між затвором та іншими виводами.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який заряд затвора в IRFP250N?
Не більше 123 нКл при ID = 18 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В. Враховуйте це при виборі драйвера затвора.
Документація виробника: IRFP250NPbF, Rev. 2.1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор IRFP260N оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 35 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 28 А) | 0.04 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 234 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 300 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13009 ( E13009L ) оригінал (заміна для W13009 , D13009 , E13009-2 , 2SD304X , D304X ) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (CASE 221A-09) |
| Напруга колектор-емітер VCEO(sus) | 400 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
| Струм колектора IC | 12 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний ICM | 24 А |
| Напруга емітер-база VEBO | 9 В |
| Потужність розсіювання PD | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.25 °C/Вт |
| hFE (IC = 5 А, VCE = 5 В) | 8–40 |
| hFE (IC = 8 А, VCE = 5 В) | 6–30 |
| Температури TJ, Tstg | -65…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.