Транзистори

В наявності

108,10 ₴

Параметр	Значення
Виробник	APEC (Advanced Power Electronics Corp)
Тип каналу	N-канал, режим збагачення
Напруга Vds	200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	18 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	9.5 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	170 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В
Заряд затвора Qg	19 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	1065 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	89 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час відновлення діода trr	180 нс (тип.)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

AP220N06MP MOSFET TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP220N06MP оригінал, TO247

В наявності

133,95 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, Enhancement Mode, APM-SGT
Напруга Vds	60 В
Струм Id (Tc 25 °C)	220 А
Струм Id (Tc 100 °C)	136 А
Опір Rds(on)	3,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А; typ 2,4 мОм)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	93 нКл typ. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=50 А)
Вхідна ємність Ciss	5950 пФ (Vds 25 В, f 100 кГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	168 Вт
Tj max	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

AP24N50MP MOSFET TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP24N50MP оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	APME
Напруга Vds	500 В (VGS=0 В)
Струм Id	24 А (TC=25 °C)
Rds(on)	макс. 280 мОм, тип. 215 мОм (VGS=10 В, ID=9 А)
Qg	тип. 38 нКл (VDS=250 В, ID=18 А, VGS=10 В)
Vgs(th)	2,0–5,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP2761I ( A2761I , A276II , A27611 ) оригінал, TO220F

В наявності

128,31 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	APEC
Корпус	TO-220CFM(I) (TO-220F), ізольований
Напруга Vds	700 В
Струм Id (TC 25 °C)	6 А
Струм Id (TC 100 °C)	3.7 А
Rds(on)	1.3 Ом макс. (VGS=10 В, ID=3 А)
Vgs(th)	2–4 В
Qg	67 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	2750 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання	37 Вт (TC 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Діод	Vsd 1.5 В макс., trr 430 нс тип.
Стан	Оригінал

AP40N03P транзистор TO-220, фото маркування 40N03P

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP40N03P ( 40N03P ) оригінал, TO220

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	30 В мін. (BVDSS, VGS 0 В, ID 250 мкА)
Струм стоку Id	40 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; імпульсний 169 А)
Струм стоку Id при 100 °C	30 А (VGS 10 В, Tc 100 °C)
Rds(on)	14 мОм тип., 17 мОм макс. (VGS 10 В, ID 20 А)
Заряд затвора Qg	17 нКл тип. (ID 20 А, VDS 24 В, VGS 5 В)
Вхідна ємність Ciss	800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	1–3 В (VDS=VGS, ID 250 мкА)
Потужність Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220
Тип каналу	N
Вбудований діод	є
Виробник	APEC
Стан	Оригінал

AP4506GEH 4506GEH пара N+P MOSFET TO-252-4L, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP4506GEH ( 4506GEH ) оригінал

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, комплементарна пара N+P
Напруга Vds, N-канал	30 В
Напруга Vds, P-канал	−30 В
Напруга Vgs	±20 В (обидва канали)
Струм стоку Id, N-канал	9 А (TA = 25 °C)
Струм стоку Id, P-канал	−8 А (TA = 25 °C)
Rds(on), N-канал	24 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 6 А)
Потужність розсіювання Pd	3.1 Вт (TA = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-252-4L
Виробник	Advanced Power Electronics Corp (APEC)
Стан	Оригінал

AP4511GED MOSFET N+P DIP8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP4511GED ( AP4511GD ) , DIP8

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	N + P (два канали в одному корпусі)
Напруга Vds, N-канал	40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Напруга Vds, P-канал	-40 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА)
Напруга Vgs	±16 В
Струм Id, N-канал	6,0 А (TA 25 °C), 5,0 А (TA 70 °C)
Струм Id, P-канал	-5,0 А (TA 25 °C), -4,0 А (TA 70 °C)
Rds(on), N-канал	28 мОм макс. (VGS=10 В, ID=6 А)
Rds(on), P-канал	42 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-5 А)
Потужність Pd	2,0 Вт (TA 25 °C)
Корпус	DIP8

AP4511GM MOSFET N+P SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP4511GM (35V,7A,-6.1A,2W) , so-8

В наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	N + P (два канали в одному корпусі)
Напруга Vds, N-канал	35 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Напруга Vds, P-канал	-35 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА)
Напруга Vgs	±20 В
Струм Id, N-канал	7 А (TA 25 °C), 5,7 А (TA 70 °C)
Струм Id, P-канал	-6,1 А (TA 25 °C), -5 А (TA 70 °C)
Rds(on), N-канал	18 мОм тип., 25 мОм макс. (VGS=10 В, ID=7 А)
Rds(on), P-канал	32 мОм тип., 40 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-6 А)
Потужність Pd	2,0 Вт (TA 25 °C)
Корпус	SO-8

AP4525GEH польовий транзистор TO-252-4L, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP4525GEH (40V,15A/12A,10.4W) ( заміна для P2804ND5G )

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Advanced Power Electronics Corp. (APEC)
Тип	Польовий транзистор, N+P канал
Напруга Vds (N / P канал)	40 В / -40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id (N-канал)	15 А при TA=25 °C (12 А при 70 °C)
Струм стоку Id (P-канал)	-12 А при TA=25 °C (-10 А при 70 °C)
Rds(on) N-канал	28 мОм макс. при VGS=10 В, ID=6 А
Rds(on) P-канал	42 мОм макс. при VGS=-10 В, ID=-5 А
Потужність розсіювання Pd	10.4 Вт
Напруга затвор-витік Vgs	±16 В
Робочий діапазон Tj	-55…150 °C
Корпус	TO-252-4L

AP4525GEM польовий транзистор SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP4525GEM , so-8

В наявності

32,43 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Advanced Power Electronics Corp. (APEC)
Тип	Польовий транзистор, N+P канал
Напруга Vds (N / P канал)	40 В / -40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id (N-канал)	6 А при TA=25 °C (5 А при 70 °C)
Струм стоку Id (P-канал)	-5 А при TA=25 °C (-4 А при 70 °C)
Rds(on) N-канал	28 мОм макс. при VGS=10 В, ID=6 А
Rds(on) P-канал	42 мОм макс. при VGS=-10 В, ID=-5 А
Потужність розсіювання Pd	2.0 Вт при TA=25 °C
Напруга затвор-витік Vgs	±16 В
Робочий діапазон Tj	-55…150 °C
Корпус	SO-8

AP72T02GH (72T02GH) транзистор D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP72T02GH ( 72T02GH ) , D-PAK

В наявності

32,43 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Advanced Power Electronics Corp (APEC)
Тип каналу	N
Напруга Vds	25 В
Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В)	62 А
Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В)	44 А
Rds(on) при VGS=10 В, ID=30 А	9 мОм макс.
Rds(on) при VGS=4,5 В, ID=15 А	15 мОм макс.
Vgs(th)	1–3 В
Заряд затвора Qg	13 нКл
Вхідна ємність Ciss	930 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	60 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)

AP85T03GP транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP85T03GP ( 85T03GP ) оригінал, TO220

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Advanced Power Electronics Corp
Напруга Vds	30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	75 А (TC = 25 °C, VGS = 4.5 В)
Струм стоку Id (100 °C)	55 А (TC = 100 °C, VGS = 4.5 В)
Опір Rds(on)	6 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 45 А)
Опір Rds(on) при 4.5 В	10 мОм макс. (VGS = 4.5 В, ID = 30 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	33 нКл тип., 52 нКл макс. (ID = 30 А, VDS = 24 В, VGS = 4.5 В)
Вхідна ємність Ciss	2700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	107 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

AP86T02GH MOSFET D-PAK, фото маркування 86T02GH

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP86T02GH ( 86T02GH ) демонтаж , D-PAK

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (режим збагачення)
Виробник	Advanced Power Electronics Corp
Напруга Vds	25 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	75 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 62 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on) при Vgs 10 В	6 мОм (макс.; ID = 45 А)
Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В	10 мОм (макс.; ID = 30 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	23 нКл (тип.; VGS = 4,5 В, VDS = 20 В, ID = 30 А)
Вхідна ємність Ciss	1830 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	75 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP9997GH ( 100V,11A,120mR ) , D-PAK

В наявності

31,96 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Виробник	APEC
Напруга Vds	100 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	11 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)	7 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 8 А)	120 мОм (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	34,7 Вт
Заряд затвора Qg	13 нКл тип., 21 нКл макс. (VDS = 80 В, VGS = 10 В, ID = 10 А)
Вхідна ємність Ciss	450 пФ тип., 720 пФ макс. (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1,0 МГц)
Корпус	TO-252 (D-PAK)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор APM3055L

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	ANPEC
Тип каналу	N
Напруга Vds	30 В
Напруга Vgs	±20 В
Опір Rds(on)	75 мОм тип., 100 мОм макс. (VGS=10 В, ID=12 А)
Поріг Vgs(th)	1–3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	8,5 нКл тип., 12 нКл макс. (VDS=15 В, VGS=10 В, ID=2 А)
Потужність Pd	50 Вт (TO-252, TA 25 °C)
Температура переходу	150 °C

Порівняти

Додати в обране

Транзистор APM4010N , D-PAK ( AOD454 , P2804BDG , STU428S , KMB054N40DB )

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	40 В
Напруга Vgs	±25 В
Струм Id	85 А (TC = 25 °C, TJ = 175 °C; обмеження корпусом 110 А)
Опір Rds(on)	0,0050 Ом (VGS = 10 В, ID = 30 А)
Заряд затвора Qg	80 нКл тип. (VDS = 20 В, VGS = 10 В, ID = 20 А)
Вхідна ємність Ciss	2380 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	312 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-252 (D-PAK)

APM4015P P5504EDG MOSFET D-PAK TO-252, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор APM4015P , D-PAK (P5504EDG )

В наявності

40,42 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P
Напруга Vds	–40 В
Струм Id (TC = 25 °C)	–50 А
Струм Id (TC = 125 °C)	–39 А
Rds(on) (VGS = –10 В, ID = –17 А)	0,012 Ом
Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –14 А)	0,015 Ом
Qg (типово)	60 нКл
Вхідна ємність Ciss	3000 пФ (f 1 МГц)
Vgs(th)	–1,0…–3,5 В
Потужність Pd (TC = 25 °C)	136 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)

AUIRF3205ZS MOSFET TO-263, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AUIRF3205ZS ( заміна для IRF3205S , F3205S ) оригінал демонтаж, TO263

В наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET
Виробник	Infineon
Корпус	D2PAK
Напруга Vds	55 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	110 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); 75 А – обмеження корпусом
Струм стоку Id (100 °C)	78 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В
Опір Rds(on)	4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 66 А
Поріг Vgs(th)	2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg	76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.), ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Вхідна ємність Ciss	3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	170 Вт, TC = 25 °C
Макс. Tj	175 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

B06N03 транзистор D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор B06N03 ( MTB06N03J3 , MTB06N03 ) оригінал, D-PAK

В наявності

112,80 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	30 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	80 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	50 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А)	5.3 мОм тип., 6 мОм макс.
Опір Rds(on) (Vgs 5 В, Id 24 А)	7.6 мОм тип., 9.5 мОм макс.
Поріг Vgs(th)	1–3 В
Заряд затвора Qg	53 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	4753 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	83 Вт
Макс. температура Tj	175 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Виробник	CYStech Electronics
Стан	Оригінал

BC369 PNP транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC369

В наявності

9,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	-20 В
Напруга Vcbo	-25 В
Напруга Vebo	-5 В
Струм колектора Ic	-1 А
Потужність Ptot	800 мВт
Гранична частота fT (мін.)	65 МГц
Корпус	TO-92

BC517 транзистор Дарлінгтона TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC517

В наявності

4,70 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Дарлінгтон
Напруга Vcbo	40 В
Напруга Vceo	30 В
Напруга Vebo	10 В
Струм колектора Ic	500 мА (постійний)
Потужність розсіювання Pd	625 мВт при Ta 25 °C
Макс. температура переходу	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	30000 мін. при Ic 100 мА, Vce 2 В
Напруга насичення Vce(sat)	1.0 В макс. при Ic 100 мА, Ib 1 мА
Напруга Vbe(sat)	1.5 В тип. (макс. 2,0 В) при Ic 100 мА, Ib 1 мА
Гранична частота fT	220 МГц тип.
Вихідна ємність Cob	5.0 пФ тип. при Vcb 10 В, f 1 МГц
Корпус	TO-92

BC546B NPN транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC546 (BC546B) , to92

В наявності

3,29 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	65 В
Напруга Vces	80 В
Напруга Vcbo	80 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	100 мА
Імпульсний струм Icm	200 мА
Потужність Ptot	500 мВт
Гранична частота fT	300 МГц
Корпус	TO-92

BC547B транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC547B , to92

В наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	45 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo	50 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo	5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	100 мА (TA 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (TA 25 °C)
Потужність Ptot	500 мВт (TA 25 °C)
hFE (група B)	200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C)
Частота fT	тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92
Виробник	Diotec Semiconductor

BC548B транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC548B , to92

В наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	30 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo	30 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo	5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	100 мА (TA 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (TA 25 °C)
Потужність Ptot	500 мВт (TA 25 °C)
hFE (група B)	200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C)
Частота fT	мін. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92
Виробник	Diotec Semiconductor

BC550C транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC550C , to92

В наявності

3,76 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, малошумний
Напруга Vceo	45 В (абс. макс.)
Напруга Vcbo	50 В (абс. макс.)
Напруга Vebo	5 В (абс. макс.)
Струм колектора Ic	100 мА
Потужність Pc	500 мВт
hFE (група C)	420–800 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TC 25 °C)
Частота fT	тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92
Виробник	onsemi (Fairchild)

BC556B PNP транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC556B (65V,0.1A,0.5W,p-n-p) , to92

В наявності

3,29 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo (BC556)	65 В (TA 25 °C, база розімкнена)
Напруга колектор–база Vcbo (BC556)	80 В (TA 25 °C, емітер розімкнений)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)	100 мА (TA 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm	200 мА (TA 25 °C)
Потужність розсіювання Ptot	500 мВт (TA 25 °C)
hFE (група B)	200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-92

BC558B PNP транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC558B , to92

В наявності

3,76 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo (BC558)	30 В (TA 25 °C, база розімкнена)
Напруга колектор–база Vcbo (BC558)	30 В (TA 25 °C, емітер розімкнений)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)	100 мА (TA 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm	200 мА (TA 25 °C)
Потужність розсіювання Ptot	500 мВт (TA 25 °C)
hFE (група B)	200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц)
Коефіцієнт шуму F	2 дБ тип., 10 дБ макс. (VCE -5 В, IC -200 мкА, RG 2 кОм, f 1 кГц)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-92

BC639 NPN транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC639

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN (епітаксіальний)
Напруга колектор–емітер Vceo	80 В (TA 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	100 В (TA 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic	1 А (TA 25 °C)
Потужність розсіювання Pd	1 Вт (TA 25 °C)
hFE, версія BC639-10	63…160 (VCE 2 В, IC 150 мА)
hFE, версія BC639-16	100…250 (VCE 2 В, IC 150 мА)
Vce(sat) макс.	0.5 В (IC 500 мА, IB 50 мА)
Гранична частота fT	100 МГц (VCE 5 В, IC 50 мА, f 100 МГц)
Тепловий опір перехід–середовище	125 °C/Вт
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-92

BC640 PNP транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC640

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo	-80 В
Напруга колектор–база Vcbo	-80 В
Напруга емітер–база Vebo	-5 В
Струм колектора Ic	-0,5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd	625 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц (типово, Ic -50 мА, Vce -2 В, f 100 МГц)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-92

BC817-40 NPN транзистор SOT23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC817-40 (45V,0.5A,0.25W) npn , sot23 ( 2SC3052 )

В наявності

2,82 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	45 В (Tamb 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	50 В (Tamb 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Tamb 25 °C)
Струм колектора Ic	500 мА (Tamb 25 °C)
Імпульсний струм Icm	1 А (tp ≤ 1 мс, Tamb 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	250–600 (Vce 1 В, Ic 100 мА)
Потужність розсіювання Ptot	250 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4)
Потужність розсіювання Ptot (площадка колектора 1 см²)	345 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4)
Гранична частота fT (мін.)	100 МГц (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SOT-23

BC847C NPN транзистор SOT-23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC847C , sot23

В наявності

2,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	45 В
Напруга колектор–база Vcbo	50 В
Напруга емітер–база Vebo	6 В
Струм колектора Ic	100 мА
Потужність розсіювання Pd	225 мВт (TA 25 °C, плата FR-5)
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Ic 2 мА, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	0,25 В (макс., Ic 10 мА, Ib 0,5 мА)
Гранична частота fT (мін.)	100 МГц
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	SOT-23

BC856B (3B) транзистор PNP SOT23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC856B (3B-PNP) (65V,0.1A,0.25W) , sot23

В наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	65 В (відкрита база, Tamb 25 °C)
Струм колектора Ic	100 мА (Tamb 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (Tamb 25 °C)
Потужність Ptot	250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4)
hFE	220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА, група B)
Гранична частота fT	від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА)
Корпус	SOT-23
Виробник	Nexperia

BC858B транзистор PNP SOT23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC858B , sot23

В наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	30 В (відкрита база, Tamb 25 °C)
Напруга Vcbo	30 В (відкритий емітер)
Струм колектора Ic	100 мА (Tamb 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (Tamb 25 °C)
Потужність Ptot	250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4)
hFE	220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА)
Гранична частота fT	від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА)
Корпус	SOT-23
Виробник	Nexperia

BD139 транзистор NPN TO-126, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD139 , TO126 ( BD135 , BD137 )

В наявності

14,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	80 В
Напруга колектор–база Vcbo	80 В
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	1.5 А
Імпульсний струм колектора Icm	3 А
Потужність розсіювання Ptot	12.5 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	0.5 В при Ic 0.5 А, Ib 0.05 А
Коефіцієнт підсилення hFE	40–250 при Ic 150 мА, Vce 2 В
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	SOT-32 (TO-126)

BD140 транзистор PNP TO-126, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD140 , TO126 ( BD136 , BD138 )

В наявності

14,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo	-80 В
Напруга колектор–база Vcbo	-80 В
Напруга емітер–база Vebo	-5 В
Струм колектора Ic	-1.5 А
Імпульсний струм колектора Icm	-3 А
Потужність розсіювання Ptot	12.5 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	-0.5 В при Ic -0.5 А, Ib -0.05 А
Коефіцієнт підсилення hFE	40–250 при Ic -150 мА, Vce -2 В
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	SOT-32 (TO-126)

BD244C PNP транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD244C , TO220

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	-100 В при Ic = -30 мА, Ib = 0, Tc 25 °C
Напруга Vcbo	-100 В при Ta 25 °C
Напруга Vebo	-5 В при Ta 25 °C
Струм колектора Ic	-6 А (постійний)
Імпульсний струм Icm	-10 А
Розсіювана потужність Pc	65 Вт при Tc = 25 °C
Макс. температура переходу	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	-1.5 В макс. при Ic = -6 А, Ib = -1 А
hFE	30 мін. при Ic = -0,3 А, Vce = -4 В; 15 мін. при Ic = -3 А, Vce = -4 В
Гранична частота fT	3.0 МГц мін. при Ic = -0,5 А, Vce = -10 В, f = 1 МГц
Корпус	TO-220

BD434 транзистор PNP SOT-32, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD434

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	22 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	22 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм Ic	4 А (постійний)
Струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C)
Гранична частота fT	3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD435 (n-p-n,32V,4A,36W)

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	32 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	32 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм Ic	4 А (постійний)
Струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C)
Гранична частота fT	3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

BD436 транзистор PNP SOT-32, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD436 (p-n-p 32V,4A,36W)

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	32 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	32 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм Ic	4 А (постійний)
Струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C)
Гранична частота fT	3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

BD437 транзистор NPN SOT-32, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD437

В наявності

19,74 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	45 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	45 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм колектора Ic	4 А (постійний)
Імпульсний струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Vce(sat) макс.	0.6 В (Ic = 2 А; Ib = 0,2 А; Tcase 25 °C)
fT мін.	3 МГц (Ic = 250 мА; Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Транзистори