Магазин
Транзистор AOD478 оригінал, D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (trench) |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id | 11 А (TC=25 °C) |
| Rds(on) макс. | 140 мОм (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Vgs(th) | 1.7–2.8 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 10.3 нКл (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 4.5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 445 пФ |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AOD444 , D-PAK
В наявності
25,38 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 47 мОм тип. / 60 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 67 мОм тип. / 85 мОм макс. (Id 6 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 7,5 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 30 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 450 пФ |
| Vgs(th) | 1–3 В (Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Діапазон температур Tj і Tstg | -55…175 °C |
Транзистор AOD442 ( FQD30N06L ) , D-PAK
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 37 А (Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 16 мОм тип. / 20 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 20 мОм тип. / 25 мОм макс. (Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 47,6 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 30 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1920 пФ |
| Vgs(th) | 1,6–2,7 В (Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Діапазон температур Tj і Tstg | -55…175 °C |
Транзистор AOD4286 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 14 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 55,5 мОм тип. / 68 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 72,5 мОм тип. / 92 мОм макс. (Id 3 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 5,8 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 390 пФ (f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,7–2,9 В (Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Діапазон температур Tj і Tstg | -55…175 °C |
Демонтаж
Транзистор AOD2922 , D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, технологія AlphaMOS |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id | 7 А (Vgs 10 В, перша сторінка datasheet) |
| Опір Rds(on) | 140 мОм макс., 117 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 5 А, Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 176 мОм макс., 140 мОм тип. (Vgs 4,5 В, Id 3 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 1.7 / 2.2 / 2.7 В (мін./тип./макс.) |
| Заряд затвора Qg | 3.8 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 250 пФ |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Температура переходу Tj | -55…175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AO4456 (30V,20A) , so-8(Заміна для AO4466 )
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TA 25 °C, VGS 10 В) | 20 А |
| Струм Id (TA 70 °C) | 16 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 20 А) | 4,6 мОм макс., 3,8 мОм тип. |
| Rds(on) (VGS 4,5 В, ID 20 А) | 5,6 мОм макс., 4,5 мОм тип. |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6430 пФ |
| Vgs(th) | 1,4–2,4 В |
| Потужність Pd (TA 25 °C) | 3,1 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Канал | N, з діодом Шотткі |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AO4407A ( 4407A , AO4407 ) , so-8
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | -30 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | -12 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs -20 В | 8.5 мОм typ / 11 мОм max (Id -12 А) |
| Rds(on) при Vgs -10 В | 10 мОм typ / 13 мОм max (Id -12 А) |
| Rds(on) при Vgs -6 В | 12.7 мОм typ / 17 мОм max (Id -10 А) |
| Заряд затвора Qg | 30 нКл typ / 39 нКл max (Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2060 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.7 min / -2.3 typ / -3 max В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Імпульсний струм Idm | -60 А |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (TA 25 °C) |
| Температура переходу і зберігання (TJ, TSTG) | -55…150 °C |
| Тип каналу | P-канал, trench-технологія, вбудований діод |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AO3407 , sot23
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | -30 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | -4.1 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs -10 В | 34 мОм typ / 52 мОм max (Id -4.1 А) |
| Rds(on) при Vgs -4.5 В | 54 мОм typ / 87 мОм max (Id -3 А) |
| Заряд затвора Qg | 9.2 нКл typ / 11 нКл max (Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -4.1 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 520 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.4 min / -1.9 typ / -2.4 max В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | -25 А |
| Потужність розсіювання Pd | 1.4 Вт (TA 25 °C) |
| Температура переходу і зберігання (TJ, TSTG) | -55…150 °C |
| Тип каналу | P-канал, trench-технологія, вбудований діод |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AO3400A ( AO3400 ) , sot23
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор-витік Vgs max | ±12 В |
| Струм стоку Id | 5.7 А (TA 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм стоку Id (70 °C) | 4.7 А (TA 70 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 30 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | < 26.5 мОм (Id 5.7 А, Tj 25 °C, typ 18) |
| Rds(on) при Vgs 4.5 В | < 32 мОм (Id 5 А, Tj 25 °C, typ 19) |
| Rds(on) при Vgs 2.5 В | < 48 мОм (Id 3 А, Tj 25 °C, typ 24) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.65–1.45 В (typ 1.05), Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 1.4 Вт (TA 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 630 пФ |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор 2SK4075 (40V,60A,52W,0.01R) , D-Pak
В наявності
21,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування |
| Виробник | NEC |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга стік–витік Vds | 40 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 60 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) при 10 В | 6,7 мОм макс., типово 5,2 мОм (VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Rds(on) при 4,5 В | 10 мОм макс., типово 7,2 мОм (VGS = 4,5 В, ID = 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип. (VDD = 32 В, VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(off) | 1,5–2,5 В, типово 2,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 52 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| trr діода | 33 нс тип. (IF = 60 А, VGS = 0 В, di/dt = 100 А/мкс) |
Транзистор 2SK3919 оригінал, D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | NEC |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга стік–витік Vds | 25 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 64 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) при 10 В | 5,6 мОм макс., типово 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 32 А) |
| Rds(on) при 5 В | 13,7 мОм макс., типово 6,8 мОм (VGS = 5 В, ID = 16 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDD = 20 В, VGS = 10 В, ID = 64 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2050 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(off) | 2,0–3,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 36 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3878 ( K3878 ) оригінал, TO-3P
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга стік–витік BVdss | 900 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, Tj 25 °C) |
| Струм стоку ID | 9 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 1,20 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Rds(on) максимум | 1,38 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3569 оригінал (600V,10A), TO220F
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 600 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 10 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.54 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Rds(on) максимум | 0.75 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.78 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3568 оригінал, TO220F
В наявності
82,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 500 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.4 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Rds(on) максимум | 0.52 Ом (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 3.125 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3562 оригінал, TO220F
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 600 В (ID = 10 мА, VGS = 0 В) |
| Струм ID | 6 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) типовий | 0.9 Ом (VGS = 10 В, ID = 3 А) |
| Rds(on) максимум | 1.25 Ом (VGS = 10 В, ID = 3 А) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 3.125 °C/Вт |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK3561 демонтаж, TO220F ( Заміна для CS840F , IRFS840 , 2SK3563 )(500V,8A,40W)
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 8 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.75 Ом типовий, 0.85 Ом максимум (Vgs = 10 В, Id = 4 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2837 ( K2837 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.21 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А, типове значення) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3720 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2750 (N-,600V,3.5A,35W,1.7R)(Заміна для 2SK3567 )
В наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум) |
| Струм стоку Id | 3.5 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 1.7 Ом типово, максимум 2.2 Ом (Vgs = 10 В, Id = 1.8 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 3.5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Демонтаж
Транзистор 2SK2698 ( K2698 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум) |
| Струм стоку Id | 15 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.35 Ом типово, максимум 0.4 Ом (Vgs = 10 В, Id = 7 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2640 оригінал демонтаж (500V,10A,50W) ( 2SK4096 )
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 10 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.73 Ом типово, максимум 0.90 Ом (Id = 5 А, Vgs = 10 В) |
| Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Id = 1 мА, Vds = Vgs) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Виробник | Fuji Electric |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2611 оригінал демонтаж(900V,9A,150W) , TO3P
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 9 А (DC) |
| Опір Rds(on) | 1.2 Ом тип., макс. 1.4 Ом (VGS 10 В, ID 4 А) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2545 оригінал (600V,6A,40W,0.9R)
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6 А (DC) |
| Опір Rds(on) | 0.9 Ом тип., макс. 1.25 Ом (VGS 10 В, ID 3 А) |
| Заряд затвора Qg | 30 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK1460
В наявності
60,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FI (LS) |
| Напруга Vds | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 3.5 А (DC) |
| Імпульсний струм IDP | 7 А (PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1%) |
| Опір Rds(on) | 2.8 Ом тип., 3.6 Ом макс. (ID 2 А, VGS 10 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (VDS 20 В, f 1 МГц) |
Транзистор 2SK117
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор JFET, N-канал |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга затвор–стік Vgds | -50 В (Ta 25 °C, абс. максимум) |
| Струм затвора Ig | 10 мА (Ta 25 °C, абс. максимум) |
| Потужність Pd | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Idss | 1,2–14 мА (Vds 10 В, Vgs 0) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | -0,2…-1,5 В (Vds 10 В, Id 0,1 мкА) |
| Вхідна ємність Ciss | 13 пФ (Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2N7000 (60V,0.2A,0.4W)
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 0.2 А при Tamb 25 °C |
| Струм стоку імпульсний Idm | 0.5 А при Tamb 25 °C |
| Опір Rds(on), макс. | 5 Ом при VGS=10 В, ID=500 мА |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.8–3.0 В при ID=1 мА |
| Напруга затвор-витік Vgs, макс. | ±40 В |
| Потужність розсіювання | 400 мВт при Tamb 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss, макс. | 60 пФ при VDS=25 В, VGS=0, f=1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
Транзистор PTP20N50A оригінал, TO220(Заміна для HP20N50 , SiHFB20N50K , IRFB18N50K ) (500V,20A)
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (Vdd 250 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2670 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 175 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220) |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж