Магазин

BTB08-600C сімістор TO-220AB, фото маркування

В наявності

44,65 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm/Vrrm	600 В
Струм It(rms)	8 А (повна синусоїда, Tj 110 °C)
Ударний струм Itsm	80 А (tp 20 мс)
Струм керування Igt	35 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом)
Напруга керування Vgt	1.3 В макс. (VD 12 В, RL 30 Ом)
Спад Vtm	1.55 В макс. (It 11 А, tp 380 мкс)
Струм утримання Ih	35 мА макс. (Igt 0,1 А, затвор розімкнений)
Тепловий опір Rth(j-c)	1.6 °C/Вт
Макс. температура переходу	125 °C
Корпус	TO-220

BTB04-600SL сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTB04-600SL , ТО220

В наявності

38,54 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm/Vrrm	600 В
Струм It(rms)	4 А (повна синусоїда, Tc 105 °C)
Ударний струм Itsm	35 А (50 Гц, 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt	10 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 30 Ом, макс.)
Струм керування Igt, квадрант IV	25 мА (VD 12 В, RL 30 Ом, макс.)
Квадранти	4Q
Струм утримання Ih	15 мА (It 100 мА, макс.)
Критична dV/dt	75 В/мкс (Tj 125 °C, мін.)
Макс. температура переходу	125 °C
Корпус	TO-220
Виробник	STMicroelectronics

BTA41-800B сімістор TO-3P, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA41-800B оригінал , TOP3 (заміна для BTA41-800BW )

В наявності

241,11 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm/Vrrm	800 В
Струм It(rms)	40 А (Tc 110 °C)
Ударний струм Itsm	400 А (50 Гц, 20 мс)
Струм керування Igt	50 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 30 Ом)
Спад Vtm	1.55 В (It 23 А, tp 380 мкс)
Макс. температура переходу	125 °C
Корпус	TO-3P(N)IS
Стан	Оригінал

BTA24-800B сімістор TO-220A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA24-800B оригінал,ТО220

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm/Vrrm	800 В (Tj 25 °C)
Струм It(rms)	25 А (Tc 79 °C)
Ударний струм Itsm	250 А (повна синусоїда, 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt	50 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 33 Ом, макс.)
Струм керування Igt, квадрант IV	70 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, макс.)
Квадранти	4Q
Критична dV/dt	1000 В/мкс (VD 540 В, Tj 125 °C, мін.)
Напруга ізоляції	2500 В (RMS)
Макс. температура переходу	125 °C
Корпус	TO-220A, ізольований
Стан	Оригінал

BTA24-600BW симістор TO-220A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA24-600BW ( BTA24-600B ) оригінал, ТО220

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm/Vrrm	600 В (Tj 25 °C)
Струм It(rms)	25 А (Tc 79 °C)
Ударний струм Itsm	250 А (tp 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt	до 50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C)
Напруга керування Vgt	до 1 В (VD 12 В, RL 33 Ом)
Спад Vtm	до 1,5 В (Itm 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C)
dV/dt	від 2500 В/мкс (VD 400 В, Tj 125 °C)
Напруга ізоляції	2500 В (RMS)
Rth(j-c)	1.3 °C/Вт
Snubberless	так
Корпус	TO-220A, ізольований
Стан	Оригінал

BTA16-800B симістор SOT78D, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA16-800B оригінал, ТО220

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm	800 В
Струм IT(RMS)	16 А (повна синусоїда, Tmb 112 °C)
Ударний струм Itsm	160 А (tp 20 мс, Tj(init) 25 °C)
Струм керування Igt	10–50 мА (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C)
Напруга керування Vgt	до 1 В (VD 12 В, Tj 25 °C)
Спад напруги Vt	до 1,5 В (IT 20 А, Tj 25 °C)
Квадранти	4Q
dVD/dt	від 500 В/мкс (VD 400 В, Tj 150 °C)
Tj макс.	150 °C
Rth(j-mb)	до 1,9 К/Вт
Корпус	SOT78D (IITO-220), ізольований
Стан	Оригінал

BTA140-600 сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA140-600 (25A,600V,35mA) , TO220

В наявності

55,46 ₴

Параметр	Значення
Виробник	WeEn Semiconductors
Vdrm	600 В (Tj 25 °C, повна синусоїда, 20 мс)
IT(RMS)	25 А (повна синусоїда, Tmb 91 °C)
ITSM	190 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, 20 мс)
IGT	35 мА макс. (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-), 70 мА макс. (T2- G+); VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C
Квадранти	4Q
Корпус	TO-220

BTA12-800C симістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA12-800C ,ТО220

В наявності

40,42 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdrm/Vrrm	800 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)	12 А (Tc 80 °C)
Ударний струм Itsm	120 А (50 Гц, tp 20 мс)
Струм керування Igt	до 50 мА (VD 12 В, RL 100 Ом)
Напруга керування Vgt	до 1,5 В (VD 12 В, RL 100 Ом)
Спад напруги Vtm	до 1,5 В (ITM 12 А, Tj 25 °C)
dV/dt	від 500 В/мкс (VD 2/3 Vdrm, Tj 150 °C)
Корпус	TO-220AB, ізольований

BTA12-800B симістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA12-800B оригінал, ТО220

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	Симістор
Напруга Vdrm/Vrrm	800 В
Струм IT(RMS)	12 А (повна синусоїда)
Ударний струм Itsm	120 А (tp 20 мс)
Струм керування Igt	50 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом)
Напруга керування Vgt	1,3 В макс.
Корпус	TO-220AB, ізольований
Стан	Оригінал

BTA12-600CW симістор TO-220A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA12-600CW ( BTA12-600C ) (12A,600V,35mA) ,ТО220

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	Симістор
Напруга Vdrm/Vrrm	600 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)	12 А (Tc 86 °C)
Ударний струм Itsm	120 А (tp 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt	35 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C)
dV/dt	1000 В/мкс мін. (VD 400 В, Tj 125 °C)
Квадранти	3Q
Корпус	TO-220A, ізольований

BTA08-600C сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA08-600C ( BTA08-600CRG ) оригінал, ТО220

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vdrm/Vrrm	600 В
Струм It(RMS)	8 А (Tc = 100 °C)
Igt, квадранти I–II–III (макс.)	25 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
Igt, квадрант IV (макс.)	50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
Ih (макс.)	25 мА (IT = 500 мА)
dV/dt (мін.)	200 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C)
Ізоляція корпусу	2500 В (ефективне)
Тип	стандартний, 4 квадранти
Корпус	TO-220AB, ізольований
Стан	Оригінал

BTA08-600B сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA08-600B (8A,600V,Igt=0,03A) оригінал, ТО220

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vdrm/Vrrm	600 В
Струм It(RMS)	8 А (Tc = 100 °C)
Igt, квадранти I–II–III (макс.)	50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
Igt, квадрант IV (макс.)	100 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
dV/dt (мін.)	400 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C)
Ізоляція корпусу	2500 В (ефективне)
Тип	стандартний, 4 квадранти
Корпус	TO-220AB, ізольований
Стан	Оригінал

BTA06-600C симістор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA06-600C ( BTA06-600CW ) оригінал(6A;600V,Igt=0.025A) , ТО220

В наявності

69,56 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Тип	Симістор
Струм IT(RMS)	6 А
Напруга	600 В
Струм керування Igt (за назвою товару)	0.025 А
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

BTA06-600BW симістор TO-220A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BTA06-600BW оригінал (заміна для BTA06-600B ), ТО220

В наявності

84,60 ₴

Параметр	Значення
Тип	Симістор
Напруга Vdrm/Vrrm	600 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)	6 А (Tc 100 °C)
Ударний струм Itsm	65 А (tp 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt	50 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C)
Квадранти	3Q
Корпус	TO-220A, ізольований
Заміна	може замінити BTA06-600B
Стан	Оригінал

BT139-600E симістор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BT139-600E оригінал (16А;600V,Igt=0.01A) ,ТО220

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	WeEn Semiconductors
Тип	Симістор 4Q, чутливий затвор (серія E)
Напруга VDRM	600 В
Струм IT(RMS)	16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C)
Ударний струм ITSM	155 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, tp = 20 мс)
Струм керування IGT	макс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-), 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C
Напруга VT	макс. 1,6 В (IT = 20 А, Tj 25 °C)
Струм утримання IH	макс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	125 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

BT138-600E сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BT138-600E ,ТО220

В наявності

28,67 ₴

Параметр	Значення
Тип	Сімістор, чутливий затвор, 4Q
Виробник	WeEn Semiconductors
Корпус	TO-220
Напруга VDRM	600 В
Струм IT(RMS)	12 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C)
Ударний струм ITSM	95 А (Tj(init) 25 °C, tp = 20 мс)
Струм керування IGT (T2- G+)	макс. 25 мА, тип. 11 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C)
Напруга VT	макс. 1,65 В (IT = 15 А, Tj 25 °C); тип. 1,4 В
Струм утримання IH	макс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C)
Напруга керування VGT	макс. 1 В; тип. 0,7 В (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C)
dV/dt	150 В/мкс тип. (VDM = 402 В, Tj 125 °C, затвор розімкнений)
Макс. температура переходу Tj	125 °C
Температура зберігання	-40…150 °C

BT137-800E сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BT137-800E ( BT137-800 ) ,ТО220

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Тип	Сімістор, чутливий затвор, 4Q
Виробник	WeEn Semiconductors
Корпус	TO-220
Напруга VDRM	800 В
Струм IT(RMS)	8 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 102 °C)
Струм керування IGT (T2- G+)	тип. 11 мА, макс. 25 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А)
Струм утримання IH	тип. 2.5 мА, макс. 20 мА (VD = 12 В, Tj = 25 °C)

BT137-600E сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BT137-600E ,ТО220

В наявності

19,74 ₴

Параметр	Значення
Тип	Сімістор, чутливий затвор, 4Q
Виробник	WeEn Semiconductors
Корпус	TO-220
Напруга VDRM	600 В
Струм IT(RMS)	8 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 102 °C)
Ударний струм ITSM	65 А (Tj(init) = 25 °C, t = 20 мс)
Струм керування IGT (T2- G+)	тип. 11 мА, макс. 25 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А)
Струм утримання IH	тип. 2.5 мА, макс. 20 мА (VD = 12 В, Tj = 25 °C)
Напруга VT	тип. 1.3 В, макс. 1.65 В (IT = 10 А, Tj = 25 °C)
dV/dt	50 В/мкс тип. (VDM = 67% VDRM, Tj = 125 °C, затвор розімкнений)
Тепловий опір Rth(j-mb)	2 К/Вт (повний період)
Макс. температура переходу Tj	125 °C

MDD3752 MOSFET P-канал D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор MDD3752 , D-PAK

В наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET P-канал (Trench)
Виробник	MagnaChip
Напруга Vds	-40 В
Струм Id (TC 25 °C, VGS=-10 В)	-43 А
Струм Id (TC 100 °C)	-27 А
Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-20 А)	17 мОм макс.
Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-10 А)	25 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)	-1…-3 В
Заряд затвора Qg	44,1 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	2088 пФ (f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	50 Вт
Tj max	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)

BT136-600E сімістор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BT136-600E оригінал(4А;600V,Igt=0.01A), ТО220

В наявності

28,67 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Philips Semiconductors (NXP)
Корпус	TO-220
Напруга VDRM	600 В
Струм IT(RMS)	4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C)
Ударний струм ITSM	25 А (t = 20 мс; Tj = 25 °C до імпульсу)
Струм керування IGT	макс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); макс. 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А
Квадранти	4Q
Струм утримання IH	тип. 2.2 / макс. 15 мА (VD = 12 В; IGT = 0,1 А)
Напруга VT	тип. 1.4 / макс. 1.70 В (IT = 5 А)
dVD/dt	50 В/мкс (тип.; VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 °C; затвор розімкнений)
Rth j-mb	3.0 К/Вт
Tj max	125 °C
Стан	Оригінал

BT134-600E сімістор TO-126, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BT134-600E оригінал, TO-126

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Виробник	NXP Semiconductors
Корпус	SOT-32 (TO-126)
Напруга Vdrm	600 В
Струм It(rms)	4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C)
Ударний струм Itsm	25 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс)
Струм керування Igt	10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 25 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj = 25 °C
Квадранти	4Q
Струм утримання Ih	15 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C)
Напруга Vt	1,7 В (max; IT = 5 А; Tj = 25 °C)
Напруга Vgt	1 В (max; VD = 12 В; IT = 0,1 А; Tj = 25 °C)
dV/dt	50 В/мкс (тип.; VDM = 402 В; Tj = 125 °C; затвор розімкнений)
Tj max	125 °C
Стан	Оригінал

IRFB3607 MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFB3607 оригінал , TO220

В наявності

67,68 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon Technologies
Напруга Vds	75 В
Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В)	80 А
Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В)	56 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=46 А)	9 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В
Заряд затвора Qg	56 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	3070 пФ
Потужність Pd (TC 25 °C)	140 Вт
Tj max	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

BT131-600 сімістор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Сімістор BT131-600 , to92

В наявності

7,05 ₴

Параметр	Значення
Виробник	WeEn Semiconductors
Корпус	TO-92
Напруга Vdrm	600 В
Струм It(rms)	1 А (повна синусоїда; Tlead ≤ 51,2 °C)
Ударний струм Itsm	12,5 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс)
Струм керування Igt	3 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 7 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А
Квадранти	4Q
Струм утримання Ih	5 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C)
Напруга Vt	1,5 В (max; IT = 1,4 А; Tj = 25 °C)
Tj max	125 °C

Порівняти

Додати в обране

Світлодіод 4014 smd SEOUL SBHGN2S0E (Заміна для 4020 AOT) 6V 1W 51-85,6LM 150mA холодний білий

В наявності

5,64 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Seoul Semiconductor
Корпус	4014 SMD
Номінальна напруга	6 В
Потужність	1 Вт
Робочий струм	150 мА
Світловий потік	51–85,6 лм
Колір світіння	холодний білий

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В
Струм Id	13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А	0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	41 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

AP72T02GH (72T02GH) транзистор D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP72T02GH ( 72T02GH ) , D-PAK

В наявності

32,43 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Advanced Power Electronics Corp (APEC)
Тип каналу	N
Напруга Vds	25 В
Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В)	62 А
Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В)	44 А
Rds(on) при VGS=10 В, ID=30 А	9 мОм макс.
Rds(on) при VGS=4,5 В, ID=15 А	15 мОм макс.
Vgs(th)	1–3 В
Заряд затвора Qg	13 нКл
Вхідна ємність Ciss	930 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	60 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)

TGD30N40P IGBT-транзистор D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

IGBT-транзистор TGD30N40P , D-PAK

В наявності

61,10 ₴

Параметр	Значення
Виробник	TRinno
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vces	400 В
Напруга Vges	±30 В
Струм колектора Ic	60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm	300 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Потужність розсіювання Pd	56,8 Вт (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	1,4 В тип., 2,0 В макс. (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	26 нКл (Vcc 150 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies	845 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Процесор ST6387B1/FLI ( BEK12.1-2 ) демонтаж

В наявності

376,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Тюнер UV1315/S L-2 демонтаж

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Номер деталі	UV1315/S L-2
Тип	Аналоговий тюнер для кінескопних ТВ
Стан	Демонтаж б/в

CRST025N08N транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор CRST025N08N оригінал, TO220

В наявності

128,31 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CR Micro (China Resources Microelectronics)
Тип каналу	N
Напруга Vds	85 В
Струм Id (кремній, TC 25 °C)	240 А
Струм Id (корпус, TC 25 °C)	180 А
Струм Id (TC 100 °C)	152 А
Rds(on) при VGS=10 В, ID=90 А	2 мОм
Vgs(th)	2,2–3,8 В
Заряд затвора Qg	217 нКл
Вхідна ємність Ciss	12191 пФ
Потужність Pd (TC 25 °C)	227 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

RJP63K2 IGBT-транзистор D2PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал , D2PAK

В наявності

211,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Renesas
Корпус	D2PAK
Напруга Vces	630 В (Ta 25 °C)
Напруга Vges	±30 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	35 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Ic(peak)	200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Напруга насичення Vce(sat)	1,9 В тип., 2,4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C)
Заряд затвора Qg	20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А)
Вхідна ємність Cies	620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

RJP30H2A IGBT-транзистор D2PAK, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Renesas
Напруга Vces	360 В (Ta 25 °C)
Напруга Vges	±30 В
Струм Ic	35 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Ic(peak)	250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Потужність Pc	60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Vce(sat)	1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В)
Заряд затвора Qg	37 нКл
Вхідна ємність Cies	1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

GT30F131 IGBT-транзистор D2PAK (TO-263), фото маркування

Порівняти

Додати в обране

IGBT-транзистор GT30F131 оригінал , D2PAK (TO-263)

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	360 В
Напруга насичення Vce(sat)	1,9 В (тип.)
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Тюнер ENV598D1F2 демонтаж

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Номер деталі	ENV598D1F2
Тип	Тюнер аналоговий для кінескопних ТВ
Стан	Демонтаж б/в

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Процесор MN152811TJS демонтаж

В наявності

376,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Panasonic
Стан	Демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Світлодіод 3030 smd AOT EMC 3030M-W3TB ( 3030M-W3SP , 3030C-W3M3 ) 6V 1,6W 125LM холодний білий

В наявності

13,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	AOT EMC
Робоча напруга	6 В
Потужність	1,6 Вт
Світловий потік	125 лм
Колір світіння	холодний білий
Корпус	3030

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Процесор TMP47C1637N-RA18 демонтаж

В наявності

399,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Корпус	SDIP42
Обсяг ROM	16384 x 8 біт
Обсяг RAM	512 x 4 біт
Час виконання команди	1,3 мкс при 6 МГц
Кількість команд	105
Лінії вводу-виводу	32
OSD: набір символів	128
Стан	Демонтаж б/в