Магазин
Мікросхема 24LC08B-I/P
В наявності
15,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип пам'яті | EEPROM з інтерфейсом I2C |
| Ємність | 8 кбіт |
| Напруга живлення | 2,5–5,5 В |
| Максимальна тактова частота | 400 кГц (VCC 2,5–5,5 В) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Буфер сторінкового запису | 16 байт |
| Час циклу запису | 5 мс (макс.) |
| Циклів стирання/запису | не менше 1 000 000 (25 °C) |
| Збереження даних | понад 200 років |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Microchip Technology |
Мікросхема 24LC04B-I/P
В наявності
20,21 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип пам'яті | EEPROM з інтерфейсом I2C |
| Ємність | 4 кбіт |
| Напруга живлення | 2,5–5,5 В |
| Максимальна тактова частота | 400 кГц (VCC 2,5–5,5 В) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Буфер сторінкового запису | 16 байт |
| Час циклу запису | 5 мс (макс.) |
| Циклів стирання/запису | не менше 1 000 000 (25 °C) |
| Збереження даних | понад 200 років |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Microchip Technology |
Мікросхема 24C64 ( AT24C64N , AT24C64AN , 24C64RP , ST24C64WP ) , so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс |
| Ємність | 64 Кбіт (8192 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,7–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,8–5,5 В |
| Тактова частота SCL | 100 кГц (1,8; 2,5; 2,7 В), 400 кГц (5 В) |
| Сторінковий запис | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим) |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 24C512 ( AT24C512 , 2FC ) , so-8
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, I2C-сумісна (2-wire) |
| Ємність | 512 Кбіт (65 536 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,5–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,7–3,6 В |
| Тактова частота SCL | 400 кГц (1,7 В), 1 МГц (2,5–5,5 В) |
| Сторінковий запис | 128 байт |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 40 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 24C512 ( 24512A – маркування ) , DIP8
В наявності
101,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс (I2C-сумісний) |
| Ємність | 512 Кбіт (65 536 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,7–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,8–3,6 В |
| Тактова частота SCL | 1 МГц (5 В), 400 кГц (2,7 В), 100 кГц (1,8 В) |
| Сторінковий запис | 128 байт |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 100 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим) |
| Зберігання даних | 40 років |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C32 ( AT24C32A , ST24C32W6 ) (DIP8)
В наявності
23,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 32 Кбіт (4096 x 8) |
| Інтерфейс | 2-wire (I2C-сумісний) |
| Напруга живлення Vcc | 2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання) |
| Розмір сторінки запису | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс (максимум) |
| Струм спокою (Low-Power) | 2 мкА при Vcc = 5,5 В |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (8-pin PDIP, 0,300″) |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8
В наявності
19,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 4 Кбіт (512 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | SO-8 |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Демонтаж
Транзистор NCEP85T14 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 85 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм типово, макс. 4.1 мОм (VGS 10 В, ID 70 А) |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 5600 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 83 нс типово |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDB8447L оригінал (40V,50A,60W,0.0085R) , D2PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, PowerTrench |
| Напруга стік-витік Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (обмеження корпусом) | 50 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (обмеження кремнієм) | 66 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) макс. | 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 14 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 4,5 В) | 11 мОм при Vgs 4,5 В, Id 11 А |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 60 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST13NM60N ( STF13NM60N , 13NM60N ) оригінал, TO220F
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | N-канальний MOSFET, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 11 А (TC = 25 °C); 6,93 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом тип., 0,36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 В мін., 3 В тип., 4 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±25 В (абсолютний максимум) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 44 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція Viso | 2500 В RMS |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G40N60UFD ( SGH40N60UFD ) оригінал (заміна для FGA40N60UFD ) , TO3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,6 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип. (Vce 300 В, Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1430 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (CO-PAK), If 15 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P75N02LDG оригінал, D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга V(BR)DSS | 25 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 75 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 50 А |
| Опір Rds(on) | 5 мОм типово, макс. 7 мОм (VGS 10 В, ID 30 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 1840 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 54 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | UNIKC |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA40N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P ( Заміна для FGH40N65UFD , MP40N65BU , MP40N65BH )
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Реле HF115F-012-1Z1A ( заміна для HF115F-012-1ZS1 , H1CA012V , HLS-14F1L-DC12V-C , JQX-14FB-12VDC-1CS , HK14F-DC12V-SHG )(12А/250VDC) обмотка на 12V , 1 група на перемикання , 28*12*15мм
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 360 Ом (±10 %, при 23 °C) |
| Контакти | 1 група на перемикання |
| Струм контактів | 12 А при 250 VAC, активне навантаження |
| Макс. комутована напруга | 440 VAC / 300 VDC |
| Напруга спрацювання | 8.4 В DC (макс., при 23 °C) |
| Напруга відпускання | 1.2 В DC (мін., при 23 °C) |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Час відпускання | 8 мс (макс.) |
| Ізоляція котушка–контакти | 5000 В AC, 1 хв |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | PCB, 29 x 12.7 x 15.7 мм |
Реле JV24S-KT ( JV-24S-KT )( заміна для JV24-KT ) 24VDC (5A/250VAC)
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FCL Components (Takamisawa) |
| Конфігурація контакту | 1 Form A (SPST-NO) |
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Опір котушки | 2880 Ом ±10% (20 °C) |
| Потужність котушки | 200 мВт (20 °C) |
| Навантаження контакту | 5 А (250VAC/30VDC, резистивне) |
| Максимальна напруга комутації | 250 В AC / 150 В DC |
| Опір контакту | ≤70 мОм (1 А, 6 В DC) |
| Час спрацювання | ≤8 мс |
| Час відпускання | ≤4 мс |
| Механічний ресурс | ≥5×10^6 спрацювань |
| Напруга гарантованого спрацювання | 18.0 В DC (імпульс, 20 °C) |
| Напруга гарантованого відпускання | 1.2 В DC (імпульс, 20 °C) |
| Електрична міцність котушка-контакти | 5000 В AC / 1 хв |
| Робоча температура | -40…+70 °C |
| Розміри | 10.0×17.5×12.5 мм |
| Маса | ≈4.3 г |
Реле BPD-SS-124DM (Заміна для YTA-SS-124DM , SPA-S-124DM , PCD-124D1MH , RE-124DM1 )(16A/250V)
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Конфігурація контактів | 1 група на замикання (1A) |
| Струм комутації | 16 А при 250 В AC (активне навантаження) |
| Максимальна комутована потужність | 4000 ВА |
| Матеріал контактів | срібний сплав |
| Опір котушки | 2880 Ом ±10 %, 20 °C |
| Струм котушки | 8,3 мА |
| Потужність котушки | близько 0,2 Вт |
| Напруга спрацювання | не більше 75 % від номінальної |
| Напруга відпускання | не менше 10 % від номінальної |
| Час спрацювання | 10 мс макс. |
| Час відпускання | 5 мс макс. |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | для монтажу на друковану плату, захист від флюсу (SS), 23,1 × 16 × 10,2 мм |
Діод Шоттки SR5150 ( заміна для SB5150 , MBR5150 ) (5A,150V)
В наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки одиночний |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 150 В |
| Середній прямий струм | 5 А |
| Пряма напруга Vf | 0,85 В при If = 5 А, Ta = 25 °C |
| Зворотний струм Ir | 0,05 мА при номінальній Vr, Ta = 25 °C |
| Ємність переходу Cj | 350 пФ (тип., 1 МГц, Vr = 4 В) |
| Корпус | DO-201AD |
| Корпус (докладно) | DO-27 (DO-201AD), аксіальний |
Діод Шоттки SR5100 ( SB5100 , MBR5100 ) (5A,100V)
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки одиночний |
| Корпус | DO-201AD |
| Зворотна напруга VRRM | 100 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 5 А (60 Гц) |
| Ударний струм IFSM | 150 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга VF | 0,82 В при IF = 5 А, 25 °C (макс.) |
| Пряма напруга VF (125 °C) | 0,70 В при IF = 5 А, 125 °C (макс.) |
| Зворотний струм IR | 0,5 мА при 25 °C, 20 мА при 125 °C |
| Діапазон Tj | -50…150 °C |