Магазин
Транзистор SM1F02N ( SM1F02NSU ) , DPAK оригінал
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sinopower |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В (TA 25 °C) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 35 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 22 А |
| Rds(on) | 46 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 10 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VDS = 75 В, VGS = 10 В, IDS = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 113 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P2103HVG , so-8(Заміна для E6N03 , AO4800 , AO4812 , AP4232GM , AP4936M , FDS6930B , FDS8978 , IRF7303 )
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNIKC |
| Тип каналу | N-канал, здвоєний |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (TA 25 °C) | 8 А |
| Струм Id (TA 70 °C) | 6 А |
| Rds(on) | 21 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 7 А) |
| Vgs(th) | 0,8–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл тип. (VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TA 25 °C) | 2 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор MDD14N25 оригінал (250V,17A)( Заміна для FQD6N25 , FDD7N25LZ ) , D-PAK
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мінімум) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 10,2 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 6,4 А |
| Імпульсний струм Idm | 40,8 А |
| Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS 10 В, ID 5,1 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (VDS 200 В, ID 14 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 741 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 69,4 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус Rthjc | 1,8 °C/Вт |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPP11N60C3 ( 11N60C3 ) оригінал ( Заміна для SPP11N60CFD , 11N60CFD ) , TO220
В наявності
190,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Cool MOS) |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 11 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,34 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–3,9 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 500 мкА) |
| Заряд Qg | 45 нКл тип., 60 нКл макс. (VDD 480 В, ID 11 А, VGS 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS18N20 (заміна для 18N20GS , AP18N20GS , FTB18N20 , 18N20 ) , D2PAK
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 200 В (мін., VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 18 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 11,3 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,12 Ом тип., 0,18 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд Qg | 20,4 нКл (VGS 10 В, ID 18 А, VDD 160 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1136 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
Транзистор BUZ90A оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Siemens |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 4 А (TC 30 °C, постійний) |
| Rds(on) | 1,7 Ом тип., 2 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,8 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUT11AX , TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vceo | 450 В (відкрита база) |
| Напруга Vcesm | 1000 В (пік, VBE = 0) |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний, Ths ≤ 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 10 А |
| Потужність Ptot | 32 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 2,5 А, IB = 0,5 А; Ths 25 °C) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (ефективна, f = 50–60 Гц) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220F (SOT186A, повністю ізольований) |
Транзистор ST1802HI ( 1802HI ) оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 600 В (IB = 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (IE = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 50 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 4 А, IB = 1,2 А; Tcase 25 °C) |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор J6810 ( J6810A ) оригінал демонтаж
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга (за переліком) | 1500 В |
| Струм (за переліком) | 10 А |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD5702 оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий, з демпферним діодом |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (безперервний) |
| Імпульсний струм Icm | 16 А |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц (Ic 1 А, Vce 10 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2689 оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 700 В (Ic 50 мА, Ib 0, Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (безперервний) |
| Імпульсний струм Icm | 25 А |
| Потужність Pt | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SC6090 ( C6090 ) оригінал демонтаж ( заміна для 2SC6092 ), TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 700 В (Ic 100 мА, Ib 0, Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (безперервний) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 25 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | від 15 (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–7 (Ic 8 А, Vce 5 В) |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс макс. (Ic 5 А, Ib1 1 А, Ib2 -2 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5905 оригінал
В наявності
179,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Panasonic |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 30 А |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | 5–12 (Vce 5 В, Ic 10 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 10 А, Ib 2,5 А) |
| Гранична частота fT | 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А, f 0,5 МГц) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс макс. (Ic 10 А, Ib1 2,5 А, Ib2 -5 А) |
| Корпус | TO-3P (TOP-3E-A1, EIAJ SC-94) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4924 оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора | 25 А |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | від 8 (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Час спаду tf | 0,1 мкс тип. (IC 6 А, IB1 1,2 А, IB2 -2,4 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW60N65F1 оригінал, TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В тип. / 2,2 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 158 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-Semi |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 )(650V,80A) , TO247 оригінал демонтаж б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 60.5 А |
| Vce(sat) typ | 1.35 В при Vge 15 В, Ic 50 А |
| Vge(th) typ | 4.0 В при Ic 0,5 мА |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3100 пФ |
| Ptot при Tc 25 °C | 274 Вт |
| Tvj max | 175 °C |
| Вбудований діод | так, RAPID 1 |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K50EH5 ( IKW50N65H5 )(650V,80A) , TO247 оригінал демонтаж б/в
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT TRENCHSTOP 5 H5 з діодом RAPID 1 |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Струм IC при 100 °C | 56 А |
| Імпульсний струм колектора | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C, IC = 50 А | 1,65 В тип., 2,10 В макс. |
| Заряд затвора QG | 120 нКл |
| Потужність Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT30J122 оригінал ,TO-3P(N)IS ізольований корпус
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Імпульсний струм Icp | 100 А (1 мс) |
| Vce(sat) | 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц |
| Час спаду tf | 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор BT40T60 ( BT40T60ANF , BT40T60ANFD , BT40T60BNF ) , TO-3P оригінал
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм ICM | 120 А |
| Vce(sat) (40А/15В/25°C) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. |
| Пряма напруга діода Vf | 1.8 В тип. / 2.6 В макс. |
| Розсіювана потужність Ptot | 280 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AP85GT33SW ( 85GT33SW ) , TO3P оригінал
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 330 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,0…5,0 В |
| Корпус | TO-3P |
| Маркування | 85GT33SW |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40N60FD2 оригінал( SGT40N60FD2 , 40N60FD , TGAN40N60FD , SGT40N60FD ), TO3P
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В тип. / 2,7 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…6,5 В (тип. 5,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вбудований діод (FRD), Vfm | 1,9 В тип. / 2,6 В макс. (If 20 А, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод (FRD), Trr | 32 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSFR1800XSL
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга BVDSS | 500 В |
| Id при TC 25 °C | 7,0 А |
| Id при TC 100 °C | 4,5 А |
| Idm | 23 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,0 А | 0,77 Ом тип. / 0,95 Ом макс. |
| Робоча частота | до 300 кГц |
| Мертвий час | 350 нс |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Електролітичний конденсатор 1500uF 35V 105C ( 1500мкФ 35В 105град , 1500*35*105гр ) гнучкі виводи 10*24мм
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 1500 мкФ |
| Робоча напруга | 35 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 10×24 мм |
| Виводи | гнучкі |
| Корпус | радіальний |
Демонтаж
Транзистор 2SK1938 ( K1938 ) оригінал демонтаж(500V,18A), TO-3PML
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В мін. (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW60V60DF ( STGW60V60DF , GW60V60DLF ) оригінал демонтаж б/в, TO-247(Заміна для NH28AB , HGTG20N60B3D , SGA45T60SMD )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при 25 °C |
| Vce(sat) | 1.85 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C |
| Потужність Pd | 375 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 334 нКл (тип.) при Vcc 480 В, Ic 60 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 8000 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 60T65PES оригінал ( MBQ60T65PES ) , TO247 (650V,60A,428W)
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | IGBT n-канал (Field Stop Trench, 2-ге покоління) із діодом |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В (Ic 2 мА, VGE 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,4 В (макс.) при Ic 60 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,0 В (тип. 5,0) при VCE = VGE, Ic 0,5 мА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.) при Vce 520 В, Ic 60 А, VGE 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2327 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Втрати вимкнення Eoff | 0,53 мДж (тип.) при Ic 60 А, Vcc 400 В, VGE 15 В, Rg 7 Ом, Tvj 25 °C |
| Час спаду tf | 40 нс (тип.) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Потужність розсіювання Pd | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30J122A ( 30J122A ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,7 В (тип.), 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Час спаду tf | 0,20 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В |
| Потужність розсіювання Pc | 120 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK10A60E ( K10A60E ) оригінал ( заміна для TK10A60W , K10A60W , TK10A60D , K10A60D ) (600V,10A), TO220F
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 10 А (постійний) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tch | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 400 нс тип. |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDT3N40 (400V,2A,3.4R) , sot223
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 2,0 А (Tc 25 °C); 1,2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Заряд затвора Qg | 4,5 нКл тип. (VDS = 320 В, ID = 2 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 173 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема DP2525 ( DP2525A , DP2525B ) оригінал , so-7
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOP-7 |
| Макс. напруга на виводі HV | 800 В |
| Vceo вбудованого BJT | 480 В |
| Макс. струм виводу HV | 30 мА |
| Напруга живлення VDD | 7–24 В |
| Частота перемикання | 35–70 кГц |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Виробник | Shenzhen Developer Microelec. |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FA1A50N ( 1A50 , FA1A50 ) , so-8
В наявності
149,93 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 28 В (абсолютний максимум) |
| Рекомендована напруга Vcc | 10–26 В (типово 12 В) |
| Поріг запуску | 9,6 В (типово) |
| Струм запуску | 500 мкА (типово) |
| Робочий струм | 1,5 мА (типово) |
| Поріг захисту за струмом CS | 0,6 В ±2 % |
| Піковий вихідний струм OUT (джерело) | 500 мА |
| Піковий вихідний струм OUT (приймач) | 1000 мА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PH50KD оригінал демонтаж б/в (1200V,45A,200W) , TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRG4PH50KD |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип | IGBT n-канал із діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 45 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 24 А |
| Vce(on) | 2,77 В тип. (Ic 24 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема RDA3118E28 оригінал, tssop-28
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стереопідсилювач звуку |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Напруга живлення | 4,5–26 В |
| Номінальне навантаження | 8 Ом |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FA6B20N ( 6B20 ) оригінал, so-16
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга стартового кола і драйвера верхнього плеча | 600 В |
| Макс. напруга VB | 630 В (абсолютний максимум) |
| Напруга запуску VCC | 14,0 В (мін 13,2, макс 14,8, VCC зростає) |
| Напруга вимкнення VCC | 9,0 В (мін 8,5, макс 9,5, VCC спадає) |
| Рекомендована напруга VCC | 14–29 В (типово 19) |
| Струм споживання VCC | 0,80 мА (спокійний режим) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SB1370 оригінал
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vcbo | -60 В |
| Напруга Vceo | -60 В |
| Напруга Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -3 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора | -6 А |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 100–320 (IC -0,5 А, VCE -5 В) |
| Гранична частота fT | 15 МГц (IC -0,5 А, VCE -5 В, f 5 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ETA9870 , so-8
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер заряду Li-Ion з підвищувальним виходом |
| Виробник | ETA Solution |
| Допустима вхідна напруга | 20 В |
| Струм заряду | 2,4 А |
| Вихідна напруга (підвищення) | 5 В |
| Вихідний струм (підвищення) | 2,4 А при 5 В |
| Напруга закінчення заряду | 4,2 В |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема FA1A60N ( 1A60 , FA1A60 ) оригінал, so-8
В наявності
95,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC (режим критичної провідності) |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 28 В |
| Струм запуску | 250 мкА (тип.) |
| Робочий струм | 0.8 мА (тип.) |
| Поріг захисту за струмом | 0.6 В (±2 %) |
| Піковий струм драйвера затвору | +500 / -1000 мА |
| Розсіювана потужність | 625 мВт (Ta = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | -50…+105 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BP2857D , DIP7
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | неізольований понижувальний драйвер світлодіодів |
| Виробник | BPS |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Vds вбудованого MOSFET | 500 В |
| Rds(on) | 2 Ом |
| Поріг обмеження струму CS | 400 мВ |
| Точність вихідного струму | ±5 % |
| Робоча температура | −40…105 °C |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема STI3408B ( S10xxx , TMI3408 ) , sot23-5
В наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | синхронний понижувальний DC/DC |
| Виробник | TMI |
| Вхідна напруга | 2.5–6.0 В |
| Вихідний струм | 1.2 А |
| Мін. вихідна напруга | 0.6 В |
| Частота перетворення | 1.5 МГц |
| ККД | до 96 % |
| Корпус | SOT23-5 |