Магазин
Мікросхема NSI6602CD оригінал ( NSI6602C-DSWR , NSI66 02CD , NS16602CD , NS166 02CD ), sow16
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Вихідний струм (джерело) | 4 А, пікове значення |
| Вихідний струм (приймач) | 6 А, пікове значення |
| Напруга VDDA/VDDB (варіант C) | 14,2…25 В |
| Напруга VDDI | 3…5,5 В |
| UVLO вихідної сторони (варіант C) | 13 В, типовий |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL 1577 |
| Затримка поширення | 25 нс, типова |
| CMTI | 150 кВ/мкс, типова |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP15810 ( 15810 ) оригінал, TO220
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (STripFET F7) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,0036 Ом тип. / 0,0042 Ом макс. (VGS 10 В, ID 55 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл (VDD 55 В, ID 90 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8115 пФ (Vds 55 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CSD19505KCS оригінал, TO220
В наявності
214,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип каналу | N-канал (NexFET) |
| Напруга Vds | 80 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs (макс.) | ±20 В (TA 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 150 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип. / 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А, TA 25 °C) |
| Qg | 76 нКл (Vgs 10 В, Vds 40 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6090 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт |
| Tj | від –55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод BYV30B-600P ( BYV30B-600PJ ) оригінал (заміна для RFUH20NS6S , RFUH20 NS6S )(600V,30A), D2PAK
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод ультрашвидкий, одиночний |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (δ = 0,5, меандр, Tmb ≤ 122 °C) |
| Пряма напруга Vf | 1,55 В макс. (If 30 А, Tj 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс макс. (If 1 А, Vr 30 В, dIf/dt 50 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1324S-7P ( F1324S-7P ) оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
394,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, HEXFET |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 24 В |
| Струм Id (обмеження корпусом, Tc 25 °C) | 240 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 25 °C) | 429 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 100 °C) | 303 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 160 А | 0,8 мОм тип. / 1,0 мОм макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 7700 пФ (Vds 19 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL40SC209 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
310,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, logic level, HEXFET StrongIRFET |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (обмеження корпусом, Tc 25 °C) | 300 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 25 °C) | 478 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 100 А | 0,6 мОм тип. / 0,8 мОм макс. |
| Rds(on) при VGS 4,5 В, ID 50 А | 0,8 мОм тип. / 1,1 мОм макс. |
| Vgs(th) | 1,0–2,4 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15270 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL40SC228 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (за кремнієм) | 557 А (Tc 25 °C, VGS 10 В); 393 А (Tc 100 °C); виводи обмежують до 360 А |
| Rds(on) | 0,50 мОм тип. / 0,65 мОм макс. (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при VGS 4,5 В | 0,60 мОм тип. / 0,90 мОм макс. (ID 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 1,0 мін. / 2,4 макс. В (VDS = VGS, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 тип. / 307 макс. нКл (VGS 4,5 В, VDS 20 В, ID 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 416 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ80N65F оригінал (заміна для CRJQ80N65GC ) , TO247
В наявності
178,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRM (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 43 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 32.3 А |
| Імпульсний струм стоку | 172 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 77 мОм (VGS=10 В, ID=21.5 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.3–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3435 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 470 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD65BT оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD60BT оригінал, TO247
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 600 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G15T120BNR3S ( CRG15T120BNR3S ) оригінал , TO-3P
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга VCES | 1200 В |
| Струм IC при 25 °C | 30 А |
| Струм IC при 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм ICM | 45 А |
| VCE(sat) typ. | 1.95 В при IC 15 А, VGE 15 В |
| VGE(th) typ. | 5.8 В |
| Pd при 25 °C | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GD18N40LZ ( STGD18N40LZT4 , 18N40LZ ) оригінал, DPAK
В наявності
267,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з внутрішнім обмеженням напруги |
| Виробник | STMicroelectronics |
| VCES(clamped) типово | 390 В |
| VCE(sat) типово | 1.35 В (VGE 4.5 В, IC 10 А, TC 25 °C) |
| VGE(th) типово | 1.6 В |
| Qg типово | 29 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 490 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| ICP | 40 А |
| ESCIS | 180 мДж |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NS4225 , tssop-24
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Nsiway Technology |
| Корпус | TSSOP-24 |
| Напруга живлення (рекомендована) | 6–16 В, TA 25 °C |
| Макс. напруга PVCC | 17 В |
| Потужність BTL 8 Ом | 10 Вт на канал, VCC 12 В, THD+N 10 %, 1 кГц |
| Потужність BTL 4 Ом | 17 Вт на канал, VCC 12 В, THD+N 10 %, 1 кГц |
| Потужність PBTL 4 Ом | 20 Вт, VCC 12 В, THD+N 10 %, 1 кГц |
| ККД | 94 %, Po = 8 Вт × 2, RL 8 Ом, VDD 12 В |
| Струм спокою | 35 мА, без навантаження, VDD 12 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Мікросхема SLM341 ( SLM341CK-DG ) оригінал, so-6
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Вихідний струм (джерело/приймач) | 3,0 А / 3,0 А (пік) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| Напруга живлення затвора | 14…40 В |
| Затримка поширення | 140 нс (макс.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDPF51N25 ( 51N25 ) оригінал демонтаж , TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 51 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм стоку | 204 А |
| Опір Rds(on) | 48 мОм (VGS=10 В, ID=25.5 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) макс. | 5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2620 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 38 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY3708P ( HY3708 ) оригінал,TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 170 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 114 А |
| Імпульсний струм стоку | 660 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.8 мОм (VGS=10 В, IDS=85 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 152 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6109 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 288 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3215P ( HY3215 ) оригінал, TO220
В наявності
94,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 84 А |
| Імпульсний струм стоку | 480 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм тип., 15 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=60 А) |
| Заряд затвора Qg | 137 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5785 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Діод SF10A400H оригінал, TO220F-2pin ( заміна для RD1004 )
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | AUK (Kodenshi AUK Group) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А |
| Імпульсний струм Ifsm | 120 А (8,3 мс, напівсинусоїда на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,40 В (If 10 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 20 мкА (Vr = Vrrm, Tj 25 °C); 200 мкА при Tj 125 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 30 нс (If 1 А, di/dt –100 А/мкс) |
| Ємність переходу Cj | 65 пФ тип. (Vr 10 В, f 1 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3,5 °C/Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал |
Діод SFF1008G ( заміна для SFF1005G ) , TO220F-3pin
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Taiwan Semiconductor |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Прямий струм If | 10 А (два кристали) |
| Імпульсний струм Ifsm | 125 А (8,3 мс, напівсинус) |
| Час відновлення trr | 35 нс (IF = 0,5 А, IR = 1,0 А, Irr = 0,25 А) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2 °C/Вт (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Конфігурація | два кристали в корпусі |
Транзистор OSG65R220PZ оригінал, TO220
В наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11.5 А |
| Імпульсний струм стоку | 54 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 220 мОм макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Заряд затвора Qg | 21.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В |
| Потужність розсіювання Pd | 151 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 75G60WQ ( FGW75N60WQ ) , TO247
В наявності
357,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 200 мкА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic | 110 А (TC = 25 °C), 75 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 225 А |
| Vce(sat) | 2.55 В макс. (IC = 75 А, TC = 25 °C) |
| Vge(th) | 3.0–5.0 В (VCE = VGE, IC = 75 мА, TC = 25 °C) |
| Потужність Pd | 405 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP50B60PD ( GP50B60PD , GP50B60PD1 , IRGP50B60PD1 , 50B60PD1-E ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 75 А |
| Струм Ic при 100 °C | 45 А |
| Vce(on) типово | 2.00 В (Ic 33 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3648 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CRSS052N08N оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, SkyMOS1 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 135 А (кремній); 120 А (обмеження корпусу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 86 А |
| Опір Rds(on) | 4.3 мОм тип., 5.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 174 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AOD4454 ( D4454 ) , D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id | 20 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | < 94 мОм (тип. 75,5 мОм) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,4–4,6 В (тип. 4 В) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл (Vgs 10 В, Vds 75 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 820 пФ |
| Температура переходу Tj | -55…175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Демонтаж
Діод STTH60P03SW оригінал демонтаж ( заміна для STTH6002C , VS-S1558 , VS-S155B , STTH40P03S ), TO247
В наявності
129,72 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В |
| Середній прямий струм If(av) | 60 А |
| Імпульсний струм Ifsm | 250 А (tp = 10 мс, синус) |
| Пряма напруга Vf | 0,9 В тип., макс. 1,15 В (IF = 30 А, Tj = 125 °C) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,5 В (IF = 30 А, Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор JT015N065FED ( 015N065FED ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при 100 °C | 15 А |
| Vce(sat) типово | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0–6.5 В |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 31 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3435B ( K3435B , 2SK3435 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NEC |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC 25 °C, DC) |
| Rds(on) | 11 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (ID=80 А, VDD=48 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга | 1.5–2.5 В (тип. 2.0 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 84 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HY1906P ( HY1906 ) оригінал демонтаж,TO220
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, IDS=250 µA, TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 80 А |
| Rds(on) | 6.0 мОм тип., 7.5 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=60 А) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (VDS=30 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4577 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 188 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP15T14 оригінал, TO220
В наявності
109,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип | MOSFET, N-канал, Super Trench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 150 В (VGS=0 В, ID=250 µA, TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А |
| Rds(on) | 5.6 мОм тип., 6.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=70 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл (VDS=75 В, ID=70 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 320 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10NS1B ) оригінал(100V,160A) , D2PAK
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, IDS = 250 µA, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 160 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 113 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. / 4.2 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл (VDS = 80 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема UC3844N демонтаж, DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник (datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Поріг вмикання UVLO | 16 В (UC3842/4; діапазон 14,5–17,5 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В (UC3842/4; діапазон 8,5–11,5 В) |
| Напруга живлення VCC, рекомендована | 12–28 В |
| Напруга живлення VCC, макс. | 30 В (low impedance source) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ 25 °C, RRT 10 кОм, CCT 3,3 нФ; діапазон 47–57 кГц) |
| Робоча частота, макс. | до 500 кГц |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) |
| Стан | Демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGW50N65F1 оригінал, TO247
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1.80 В (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 312 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |