Магазин
Демонтаж
Рядковий трансформатор BSC25-N0102 оригінал демонтаж
Немає в наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Рядковий трансформатор BSC24-01N40TA демонтаж
Немає в наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Рядковий трансформатор 1142.1515 оригінал демонтаж ( 1142.1515A , HR8019 )
Немає в наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діодний міст DB207
Немає в наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MDD (Microdiode Semiconductor) |
| Конфігурація | однофазний мостовий, скляна пасивація |
| Напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Напруга Vdc | 1000 В |
| Прямий струм If(av) | 2.0 А (Tc 40 °C, активне або індуктивне навантаження 60 Гц) |
| Імпульсний струм Ifsm | 50 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vf | 1.1 В (If 2 А, на діод) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr) |
| Зворотний струм Ir (100 °C) | 500 мкА (Ta 100 °C, номінальна Vr) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | DB (JEDEC DB, пластик, 4 виводи) |
Транзистор BUZ90AF оригінал
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vdss | 600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tc 25 °C, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.0 А (Tc 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.0 Ом (макс.; Vgs 10 В, Id 2.8 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–4.0 В (Vds 10 В, Id 1.0 мА, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55~150 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.2 В (макс.; Is 2.8 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 50R380P ( MMD50R380P ) оригінал (550V,11A), DPAK
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C; 550 В при Tj max) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Опір Rds(on), тип. | 0.35 Ом (VGS=10 V, ID=3.8 A, Tc 25 °C; макс. 0.38 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0 В (2.5–3.5 В) (VDS=VGS, ID=0.25 mA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 21.8 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=11 A) |
| Потужність Pd | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW30NC60KD ( STGW30NC60KD ) , TO247 оригінал демонтаж б/в, TO247
Немає в наявності
296,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 28 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,7 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,5–6,5 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultra fast), IF = 30 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5793 оригінал , TO-3PML
Немає в наявності
244,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 40 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 95 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | мін. 10 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Час спаду tf | макс. 0,2 мкс (Ic 10 А, Ib1 1,6 А, Ib2 –5 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор BTS141 оригінал, TO220
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, Smart SIPMOS, нижній ключ (low side) |
| Напруга Vds | 60 В (Tj = 25 °C) |
| Rds(on) | 25 мОм тип., 28 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) при 150 °C | 45 мОм тип., 56 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 150 °C) |
| Поріг входу VIN(th) | 1,3–2,2 В, тип. 1,7 В (ID = 2,7 мА) |
| Струм обмеження ID(lim) | 25–50 А, тип. 35 А |
| Номінальний струм ID(ISO) | 12 А (TC = 85 °C) |
| Макс. робоча температура | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA5Q0765RT ( 5Q0765RT ) оригінал
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F-5L |
| Напруга стік–витік Vdss | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 3,8 А (Tc 25 °C); 2,4 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1,3 Ом тип., 1,6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4,0 А, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 47 Вт (Ta 25 °C) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц, Ta 25 °C) |
| Максимальна напруга Vcc | 40 В |
| Максимальна температура переходу | 160 °C |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор SP25N135T оригінал(1350V,25A) , TO-3P
Немає в наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, ID = 0,5 мА, мін.) |
| Струм Ic | 25 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 25 А, Tc = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,5 В, тип. 5,2 В (VGE = VCE, ID = 0,4 мА) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Xiner |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор комп’ютерний 1500uF 25V 105C ( 1500мкФ 25В 105град , 1500*25*105гр ) CapXon 10×25мм
Немає в наявності
18,80 ₴
Мікросхема SM4108 , QFN88
Немає в наявності
159,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PMIC для TFT LCD панелей |
| Виробник | Silicon Mitus |
| Вхідна напруга живлення | 8,7…14,5 В |
| Частота перетворення | 750 кГц |
| Ключ boost-перетворювача | 20 В, 3,3 А, 0,15 Ом (режим напруги) |
| Смуга ОП (-3 дБ) | 15 МГц |
| Вихідний струм ОП | 100 мА |
| Вихідні рівні сканувального драйвера | -25…35 В |
| Корпус | QFN88 (88 QFN, 10 × 10 мм) |
Демонтаж
Мікросхема TOP247YN демонтаж , TO220-6
Немає в наявності
59,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-перемикач TOPSwitch-GX |
| Виробник | Power Integrations |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін; IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 3,60 А |
| Опір каналу RDS(ON) | 1,95 Ом (тип.; ID = 400 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO220-6 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема RT9193-33GB , sot23-5
Немає в наявності
15,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Лінійний стабілізатор (LDO) |
| Вихідна напруга | 3,3 В (допуск ×0,98…×1,02; IOUT = 40 мА, VIN = VOUT + 1 В) |
| Макс. вихідний струм | 300 мА (типове; VIN = VOUT + 1 В) |
| Макс. вхідна напруга | 6 В (абсолютний максимум) |
| Падіння напруги | 90 мВ (типове; IOUT = 100 мА) |
| PSRR | 70 дБ (типове; IOUT = 40 мА, f = 1 кГц) |
| Струм споживання | 70 мкА (типове; VIN = VOUT + 1 В) |
| Розсіювана потужність | 400 мВт (SOT23-5L) |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема TOP224YN , TO220-3
Немає в наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line ШІМ-перемикач із силовим MOSFET |
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, від -0,3 В) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін; ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 75 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 45 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 1,5 А (мін 1,35, макс 1,65; di/dt = 240 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) | 5,2 Ом (тип.; макс 6,0; ID = 150 мА, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) при 100 °C | 8,6 Ом (тип.; макс 10,0; ID = 150 мА, TJ = 100 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц (мін 90, макс 110; IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % (мін 64, макс 70; IC = ICD1 + 0,4 мА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C (робоча, від -40 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус RθJC | 2 °C/Вт (корпус Y) |
| Тепловий опір перехід–повітря RθJA | 70 °C/Вт (корпус Y, без радіатора) |
| Корпус | TO-220/3 (корпус Y), 3 виводи: DRAIN, SOURCE, CONTROL |
Демонтаж
Мікросхема TOP227YN ( TOP227Y ) оригінал демонтаж, TO220-3
Немає в наявності
120,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line ШІМ-перемикач із силовим MOSFET |
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, від -0,3 В) |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (мін; ID = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 150 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 90 Вт (корпус Y, з радіатором, Tj нижче 100 °C) |
| Обмеження струму ILIMIT | 3,0 А (мін 2,70, макс 3,30; di/dt = 480 мА/мкс, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) | 2,6 Ом (тип.; макс 3,0; ID = 300 мА, TJ = 25 °C) |
| Опір каналу RDS(ON) при 100 °C | 4,3 Ом (тип.; макс 5,0; ID = 300 мА, TJ = 100 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц (мін 90, макс 110; IC = 4 мА, TJ = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % (мін 64, макс 70; IC = ICD1 + 0,4 мА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C (робоча, від -40 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус RθJC | 2 °C/Вт (корпус Y) |
| Тепловий опір перехід–повітря RθJA | 70 °C/Вт (корпус Y, без радіатора) |
| Корпус | TO-220/3 (корпус Y), 3 виводи: DRAIN, SOURCE, CONTROL |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема SEM2107 , so-28
Немає в наявності
64,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | SEM2107 |
| Корпус | SOP-28 |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А (Tc = 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В тип., 1,8 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 195 нКл (VCC = 1080 В, IC = 20 А) |
| Потужність Pd | 310 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW40NC60KD ( STGW40NC60KD ) , TO247
Немає в наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Струм колектора Ic | 70 А (Tc 25 °C); 38 А (Tc 100 °C), розрахункові за формулою з документа |
| Імпульсний струм колектора Icp | 220 А (ширина імпульсу обмежена Tj max) |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 135 нКл (Vce 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.1 В тип. / 2.7 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C); 1.9 В тип. (Tc 125 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.5 / 6.5 В (мін. / макс.; Vce = Vge, Ic 250 мкА) |
| Час спаду струму tf | 87 нс (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C); 130 нс (Tc 125 °C) |
| Втрати вимкнення Eoff | 716 мкДж (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C); 1200 мкДж (Tc 125 °C) |
| Час витримки короткого замикання | 10 мкс (Vce = 0,5 V(br)ces, Tj 125 °C, Rg 10 Ом, Vge 12 В) |
| Вбудований діод | є, надшвидкий (ultra fast free-wheeling) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.4 В тип. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 45 нс (If 30 А, Vr 50 В, di/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C); 100 нс (Tc 125 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.5 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
Транзистор ME12N15 ( ME12N15-G ) , D-PAK (150V,13.6A,0.15R)
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 150 В (VGS=0 V, ID=250 µA) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 13.6 А |
| Струм Id (Tc 70 °C) | 10.9 А |
| Опір Rds(on), макс. | 150 мОм (VGS=10 V, ID=8 A; 250 мОм при VGS=4.5 V, ID=5 A) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS=VGS, ID=250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 31.8 нКл (VDD=120 V, VGS=10 V, ID=8 A) |
| Потужність Pd | 28.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N (logic level) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AOD5N50 ( D5N50 , 5N50 ) , D-PAK
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (ID=250 µA, VGS=0 V, Tj 25 °C; 600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 3.1 А |
| Опір Rds(on), тип. | 1.2 Ом (VGS=10 V, ID=2.5 A, Tj 25 °C; макс. 1.6 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 4.1 В (3.4–4.5 В) (VDS=5 V, ID=250 µA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 11.5 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=5 A) |
| Потужність Pd | 104 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Вбудований діод | є (Vsd тип. 0.76 В, макс. 1 В при Is=1 A, VGS=0 V) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема R2A20117 , sop-16
Немає в наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер корекції коефіцієнта потужності (PFC) |
| Виробник | Renesas Electronics |
| Максимальна напруга живлення Vcc | 24 В |
| Опорна напруга Vref | 5 В (допуск ±1,5 %) |
| Піковий струм виходу керування затвором | –300 / 1200 мА (втікаючий / витікаючий) |
| Робочий діапазон температур переходу | –40…150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема PS224U ( PS224 ) , DIP16
Немає в наявності
48,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silicon Touch Technology (SiTI) |
| Діапазон напруги живлення | 3,8–16 В |
| Максимальна напруга VCC | 16 В (гранично допустима, від –0,5 В) |
| Затримка сигналу Power Good | 300 мс (вбудована) |
| Кількість виводів | 16 |
| Корпус | DIP16 |
Позистор MZ9 круглий , діаметр 9мм ( PTC-термістор , РТС-терморезистор ) R= 30-60 Om
Немає в наявності
58,75 ₴
Мікросхема NCP1653 ( N1653 ) , so-8
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Частота перемикання | 100 кГц (NCP1653; варіант із суфіксом A – 67 кГц; тип. 102, мін. 90, макс. 110 кГц; VCC = 15 В) |
| Максимальна напруга живлення VCC | 18 В |
| Поріг вмикання UVLO | 13,25 В (тип.; мін. 12,25, макс. 14,5 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 8,7 В (тип.; мін. 8,0, макс. 9,5 В) |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 94 % (мін., VM = 0 В) |
| Захист від перенапруги | 107 % від номінального вихідного рівня |
| Робочий діапазон температур переходу | –40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MIP2K3 , DIP7
Немає в наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга Vdss | 700 В |
| Струм обмеження | 0,5 А |
| Опір відкритого каналу R(DS)ON | 10 Ом |
| Вихідна потужність | до 8 Вт (орієнтир; залежить від трансформатора та умов охолодження) |
| Частота перетворення | 100 кГц (тип.; з модуляцією частоти ±5,5 кГц, частота модуляції 260 Гц) |
| Корпус | DIP7 |