Польові транзистори
Транзистор VS1401ATH ( 1401ATH ) оригінал ( заміна для KS12015T , KS12015CAT ) , TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vanguard Semiconductor |
| Позначення | VS1401ATH |
| Маркування | 1401ATH |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 200 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 142 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 14755 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS8402ATH ( 8402ATH ) оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id | 160 А (TC 25 °C), 113 А (TC 100 °C), VGS=10 В |
| Rds(on) | 4.5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.1 В тип. (2.6–3.6 В; VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 144 нКл тип. (VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8655 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 259 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vergiga |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор WFW20N50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wisdom Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 13 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.21 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.26 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Енергія лавини EAS | 1110 мДж |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор WSF70P03 оригінал, DPAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга стік–витік Vds | -30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -57 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS=-10 В) | -36 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -180 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-30 А) | 7.5 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-15 А) | 12 мОм тип., 16 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.0 … -2.5 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3448 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 52.1 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Winsok Semicon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE30H15K оригінал, D-PAK
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.0 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 4.4 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл (Vds=15 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE40H12K оригінал, D-PAK
В наявності
77,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C), 85 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 330 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.6 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 5.8 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (Vds=20 В, Id=20 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE6075K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 75 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 9.1 мОм, макс. 11.5 мОм (Vgs=10 В, Id=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCEP023N10LL , TOLL
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 300 А (Tc 25 °C), 220 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,7 мОм тип., макс. 2,3 мОм (Vgs 10 В, Id 150 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,0 В тип. (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 240 нКл тип. (Vds 50 В, Vgs 10 В, Id 150 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 14000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TOLL |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
Транзистор Wuxi NCEP039N10D оригінал, TO263
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 135 А при Tc 25 °C; 108 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 540 А |
| Опір Rds(on) | 3,5 мОм тип., макс. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 65 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0 В тип., 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 6400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQD5N60C ( заміна для FCD5N60 , SVF5N60D , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, QFET |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 2,8 А |
| Струм Id (100 °C) | 1,8 А |
| Rds(on) | 2,0 Ом (тип.), 2,5 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 1,4 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 15 нКл (тип.), 19 нКл (макс.) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Діапазон температур | –55…150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | onsemi |
Транзистор 2N7002 , sot23
Немає в наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 300 мА (TA 25 °C); імпульсний 1200 мА |
| Потужність Pd | 350 мВт (TA 25 °C, на платі з оксиду алюмінію 10x8x0,6 мм) |
| Вхідна ємність Ciss | 18 пФ (тип., Vds 25 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,1–2,35 В (Vds=Vgs, Id=250 мкА, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор 2SK170
Немає в наявності
27,26 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (JFET) |
| Напруга Vgds | -40 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Idss | 2,6–20 мА (Vds=10 В, Vgs=0; GR 2,6–6,5, BL 6,0–12, V 10–20 мА) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | -0,2…-1,5 В (Vds=10 В, Id=0,1 мкА) |
| Крутизна |Yfs| | 22 мСм (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 кГц) |
| Вхідна ємність Ciss | 30 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц) |
| Прохідна ємність Crss | 6 пФ (тип., Vdg=10 В, Id=0, f=1 МГц) |
| Шум En | 0,95 нВ/√Гц (тип., Vds=10 В, Id=1 мА, f=1 кГц) |
| Струм витоку затвора Igss | -1,0 нА (макс., Vgs=-30 В, Vds=0) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SK2749 , TO-218
Немає в наявності
98,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-218 |
| Напруга Vdss | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Ta 25 °C) |
| Струм стоку імпульсний Idp | 21 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1,6 Ом тип., 2,0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Напруга затвор-витік Vgss | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Крутизна |Yfs| | 5,0 См тип. (Vds 10 В, Id 3,5 А) |
Транзистор 2SK2843 , TO220F
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (серія π-MOSV) |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 10 А; імпульсний 40 А |
| Опір Rds(on) | 0,54 Ом (тип., макс. 0,75; Vgs=10 В, Id=5 А, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds=10 В, Id=1 мА) |
| Крутизна |Yfs| | 9,0 См (тип., Vds=10 В, Id=5 А) |
| Енергія лавинного пробою Eas | 363 мДж (Vdd=90 В, Tch 25 °C, L=6,36 мГн, Iar=10 А) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SK3067
Немає в наявності
46,53 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, серія π-MOSV |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 2 А (Tc 25 °C; імпульсний 5 А за 1 мс, 8 А за 100 мкс) |
| Опір Rds(on) | 4,2 Ом тип., макс. 5,0 Ом (Vgs 10 В, Id 1 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 9 нКл тип. (Vdd≈480 В, Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 380 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Транзистор 2SK3114 (600V,4A,30W,1.6R)
Немає в наявності
62,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (DMOS) |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Vds 0) |
| Струм Id | 4,0 А (Tc 25 °C; імпульсний 16 А, PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1 %) |
| Опір Rds(on) | макс. 2,2 Ом, тип. 1,6 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А, Ta 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 4,0 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 550 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pt | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | NEC |
Транзистор 2SK3115 (2SK3115B) , TO220F
Немає в наявності
39,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Vds 0 В) |
| Струм Id | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 24 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | макс. 1,2 Ом, тип. 0,9 Ом (Vgs 10 В, Id 3,0 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 21 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 6,0 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1090 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | NEC Electronics (Renesas Electronics) |
Транзистор 2SK3264 (800V,7A,60W) , TO220F
Немає в наявності
46,06 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 28 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 Ом макс. (типово 1.62 Ом; ID 3.5 А, VGS 10 В, Tch 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (типово 4.0 В; ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Fuji Electric |
Транзистор 2SK3530
Немає в наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 28 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.9 Ом (VGS 10 В, ID 3.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність Pd | 70 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SK3918 , D-PAK
Немає в наявності
17,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 192 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | 7.5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 24 А) |
| Потужність Pd | 29 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (типово) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В (VDS = 0 В) |
| Енергія лавини Eas | 48 мДж (IAS 22 А) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NEC Electronics (Renesas Electronics) |
Транзистор 50R380P ( MMD50R380P ) оригінал (550V,11A), DPAK
Немає в наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C; 550 В при Tj max) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Опір Rds(on), тип. | 0.35 Ом (VGS=10 V, ID=3.8 A, Tc 25 °C; макс. 0.38 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 3.0 В (2.5–3.5 В) (VDS=VGS, ID=0.25 mA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 21.8 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=11 A) |
| Потужність Pd | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 5N3011 оригінал демонтаж, TO-3P
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 300 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 88 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 176 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | 0.048 Ом макс.; тип. 0.042 (ID 44 А, VGS 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(off) | 3.0–4.5 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.; VDD 240 В, VGS 10 В, ID 88 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (тип.; VDS 25 В, VGS 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 0.833 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60S180P7 ( IPA60R180P7S ) оригінал, TO220F
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 53 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,145 Ом тип., 0,180 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,6 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В, тип. 3,5 В (VDS = VGS, ID = 0,28 мА) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (VDD = 400 В, ID = 5,6 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Ptot | 26 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2500 В ефект. (TC = 25 °C, t = 1 хв) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65R048M1 ( IMZA65R048M1H ) оригінал, PG-TO247-4-3
Немає в наявності
423,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (Tj = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 39 А (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 24 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 48 мОм тип., 64 мОм макс. (VGS = 18 В, ID = 20.1 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–5.7 В, тип. 4.5 В (VDS = VGS, ID = 6 мА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. (VDD = 400 В, ID = 20.1 А, VGS = 0–18 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO247-4 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 6R199P ( IPP60R199CP ) оригінал демонтаж, TO220
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.; 650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 10 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,199 Ом макс., 0,18 Ом тип. (VGS 10 В, ID 9,9 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 43 нКл макс. (VDD 400 В, ID 9,9 А, VGS 0…10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 139 Вт (TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. (2,5–3,5 В; VDS = VGS, ID 0,66 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD 0,9 В, макс. 1,2 В при IF 9,9 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 70N60DM2 ( STW70N60DM2 , 70N60M2 , STW70N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247( 600V, 66A , 0.042R )
Немає в наявності
221,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 66 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 42 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 37 мОм (тип.), 42 мОм (макс.); Vgs 10 В, Id 33 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 4 / 5 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (тип.; Vdd 480 В, Id 66 А, Vgs 0…10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 446 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55…150 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 150 нс (тип.; Isd 66 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В; 250 нс при Tj 150 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.6 В (макс.; Vgs 0 В, Isd 66 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 72N60DM2 ( STW72N60DM2 , 72N60M2 , STW72N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247( 600V, 66A )
Немає в наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (MDmesh DM2, швидкий діод) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 66 А (Tc 25 °C), 42 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 37 мОм тип., 42 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 33 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–5 В, тип. 4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (Vdd 480 В, Id 66 А, Vgs 0–10 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 446 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 150 нс (Isd 66 А, dI/dt 100 А/мкс, Vdd 480 В, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | швидкий (fast-recovery), Vsd макс. 1,6 В при Isd 66 А |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор AF4502C (30V,10A,-8.5A,2.1W) ( AO4620 )
Немає в наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anachip |
| Тип каналу | N + P (комплементарна пара) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds (N-канал) | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vds (P-канал) | -30 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм Id (N-канал) | 10 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4) |
| Струм Id (P-канал) | -8.5 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4) |
| Струм Id (N-канал, TA 70 °C) | 8.1 А |
| Опір Rds(on) N-канал | 11 мОм тип. / 13.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Опір Rds(on) P-канал | 16 мОм тип. / 19 мОм макс. (VGS = -10 В, ID = -8.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 1.95 В тип. (1–3 В; VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Порогова напруга Vgs(th) P-канал | -1.6 В тип. (-1 – -3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (N-канал) | 12 нКл тип. / 19 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 4.5 В, ID = 10 А) |
| Потужність Pd | 2.1 Вт (TA 25 °C; 1.3 Вт при TA 70 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C) |
Транзистор AO3401A , sot23
Немає в наявності
15,51 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | P |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм Id | -4 А (TA 25 °C; -3.2 А при TA 70 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS -10 В | 41 мОм тип. / 50 мОм макс. (ID = -4 А) |
| Опір Rds(on) при VGS -4.5 В | 47 мОм тип. / 60 мОм макс. (ID = -3.5 А) |
| Опір Rds(on) при VGS -2.5 В | 60 мОм тип. / 85 мОм макс. (ID = -2.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -0.9 В тип. (-0.5 – -1.3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 14 нКл (VGS = -10 В, VDS = -15 В, ID = -4 А; 7 нКл при VGS = -4.5 В) |
| Потужність Pd | 1.4 Вт (TA 25 °C; 0.9 Вт при TA 70 °C) |
| Напруга Vgs | ±12 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C) |
Транзистор AOD405 (D405) p-канал (30V,18A)
Немає в наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм Id | -18 А (VGS -10 В, TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 24.5 мОм тип. / 32 мОм макс. (VGS -10 В, ID -18 А) |
| Заряд затвора Qg | 18.7 нКл тип. / 23 нКл макс. (VGS -10 В, VDS -15 В, ID -18 А) |
| Потужність Pd | 60 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AOD452 (AOD452A) , D-PAK
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА; TJ = 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (70 °C) | 60 А (TC = 70 °C, TJ = 175 °C) |
| Опір Rds(on) при 10 В | 0,005 Ом (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 0,006 Ом (VGS = 4,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 31 нКл |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
Транзистор AOD458 ( D458 ) , D-PAK (250V , 14A , n-канал)(Заміна для KF5N25D )
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 250 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, TJ = 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 10 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 7 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В, тип. 3,8 В (VDS = 5 В, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 12 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 200 В, ID = 14 А) |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
Транзистор AOD5N50 ( D5N50 , 5N50 ) , D-PAK
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (ID=250 µA, VGS=0 V, Tj 25 °C; 600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 3.1 А |
| Опір Rds(on), тип. | 1.2 Ом (VGS=10 V, ID=2.5 A, Tj 25 °C; макс. 1.6 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 4.1 В (3.4–4.5 В) (VDS=5 V, ID=250 µA) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 11.5 нКл (VGS=10 V, VDS=400 V, ID=5 A) |
| Потужність Pd | 104 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Вбудований діод | є (Vsd тип. 0.76 В, макс. 1 В при Is=1 A, VGS=0 V) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AP40T03GH ( 40T03GH ) , D-PAK
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 28 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 24 А (TA = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при 10 В | 25 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 18 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 45 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 8,8 нКл тип. (ID = 18 А, VDS = 20 В, VGS = 4,5 В) |
| Потужність Pd | 31,25 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |