Транзистор 6R199P ( IPP60R199CP ) оригінал демонтаж, TO220

6R199P (IPP60R199CP) – N-канальний MOSFET Infineon серії CoolMOS CP. Напруга Vds – 600 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.; 650 В при Tj max). Струм стоку Id – 16 А при TC 25 °C і 10 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,199 Ом макс. (типово 0,18 Ом) при VGS 10 В, ID 9,9 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 32 нКл типово (макс. 43 нКл) при VDD 400 В, ID 9,9 А, VGS 0…10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В типово (2,5–3,5 В) при VDS = VGS, ID 0,66 мА. Потужність розсіювання Pd – 139 Вт при TC 25 °C, Tj до 150 °C. Вбудований діод: VSD 0,9 В (макс. 1,2 В) при IF 9,9 А, VGS 0 В; Qrr 5,5 мкКл при VR 400 В. За документом, транзистор призначений для жорстко-ключових топологій: джерел живлення серверів і телеком-обладнання.

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Маркування на корпусі – 6R199P. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при однаковому Vgs і корпус; якщо Qg заміни удвічі більший, перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою, відправка в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• Жорстко-ключові топології: джерела живлення серверів і телеком-обладнання