Польові транзистори
Транзистор ME60N03A оригінал (заміна для ME60N03L , FQD60N03L ) , DPAK
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 25 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Rds(on) | 8,5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 30 А); 13 мОм макс. (Vgs 4,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 22 нКл (Vds 15 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1100 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1–3 В (Id 250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Matsuki |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPF12N65 оригінал ( заміна для JX12N65 ) , TO220F
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Miracle Technology |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.80 Ом макс., 0.65 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 40.2 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MPF13N50 оригінал, TO220F
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.55 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Vgs(th) | 2.0 В мін., 3.0 В тип., 4.0 В макс. (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2315 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100 оригінал, TO-3PH
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | MASPOWER |
| Напруга Vds | 1000 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 5 А (Tc 25 °C), 3 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,5 Ом тип., 4,5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 74 Вт (Tc 25 °C, TO-3PH) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PH |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FE оригінал, D2PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | до 4.5 Ом (VGS=10 В, ID=1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 198 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FT оригінал, TO220
В наявності
66,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 198 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 1.02 мкс |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MASPOWER |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100S оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 1 А) | 3,5 Ом (тип.), 4,5 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 18,68 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 48 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | MASPOWER |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MT3205A ( MT3205 ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 140 А (Tc 25 °C; обмежено корпусом до 75 А) |
| Rds(on) | 3.6 мОм типово (Vgs 10 В, Id 100 А; макс. 4.5 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В макс. |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MT6808D оригінал, DPAK
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 70 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 55 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А, типове, макс. 8,0) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3) |
| Потужність Pd | 112 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4903 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 33 нс (ISD = 40 А, dISD/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MXP4004BT ( MXP4004BTS ) оригінал, TO220
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 40 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 173 А |
| Імпульсний струм Idm | 693 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 24 А) | 2.5 мОм (тип.), макс. 4 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5016 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MaxPower Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MXP4004DT оригінал ( заміна для MXP4004CT , MXP4004AT ) , TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | MaxPower Semiconductor |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 164 А (Tc 25 °C; обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм Idm | 655 А (Tc 25 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 2.8 мОм тип., макс. 4 мОм (VGS 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл тип. (VDD 20 В, Id 82 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4037 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MXP6008CT оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MaxPower |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 109 А (обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм стоку | 436 А (VG=10 В) |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 6,3 / 8 мОм (VGS=10 В, ID=24 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 50 нКл (VDD=30 В, VGS=10 В, ID=38 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3395 пФ |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE0130KA оригінал, D-PAK
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 30 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 21 А |
| Опір Rds(on) | 32 мОм макс. (тип. 25 мОм; VGS=10 В, ID=10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.3–2.5 В |
| Заряд затвора Qg | 67.2 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2479 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 85 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип каналу | N-канал |
| Час відновлення діода trr | 32 нс (тип.; IF=10 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE0157A2 ( NCE0157A , NCE0157 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 57 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 14.5 мОм типове, макс. 17.5 мОм (VGS=10 В, ID=28 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3969 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE3080K оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 50 А |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 30 А) | 6.5 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2330 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 83 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30H10 оригінал, TO220
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (за заголовком таблиці TA 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 70 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 110 Вт (за заголовком таблиці TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30H10K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 70 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор NCE30H29D оригінал демонтаж(30V,290A), D2PAK
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 30 В (VGS 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 290 А (Tc 25 °C), 205 А (Tc 100 °C), обмеження за кремнієм |
| Rds(on) | 1.4 мОм тип., макс. 1,8 мОм (VGS 10 В, Id 160 А) |
| Заряд затвора Qg | 231 нКл тип. (VGS 10 В, VDD 15 В, Id 160 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13873 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1.6 В тип. (мін. 1,0, макс. 2,5; VDS = VGS, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H12 оригінал, TO220
В наявності
95,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor (Wuxi) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 120 А |
| Струм Id (100 °C) | 85 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 4,0 мОм (макс.), 3,2 мОм (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,2–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H29D оригінал (40V,290A), D2PAK
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 290 А (таблиця граничних значень, TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 205 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А, типове, макс. 2,4) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,3–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 1,8) |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (ID = 20 А, VDD = 20 В, VGS = 10 В, типове) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 310 Вт (TA = 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 55 нс (TJ = 25 °C, IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40P13S оригінал, so-8
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | -40 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -13 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | -9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм (VGS = -10 В, ID = -12 А, типове; макс. 15) |
| Опір Rds(on) при -4,5 В | 18 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1,3…-2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (VDS = -20 В, ID = -12 А, VGS = -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (TA = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6020AK оригінал, D-PAK
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А |
| Струм Id (100 °C) | 14 А |
| Опір Rds(on) при 10 В | 24 мОм тип., 35 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 30 мОм тип., 40 мОм макс. (Vgs 4.5 В, Id 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (Vds 30 В, Id 10 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 973.2 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.6 В тип. (1.2–2.5 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6050A оригінал, TO220
В наявності
76,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 60 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 50 А при Tc 25 °C; 35.4 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 90 А |
| Rds(on) | 20 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 20 А (тип. 14 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл при Vds 30 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2050 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 85 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6080K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 56.5 А |
| Опір Rds(on) | 7 мОм тип., 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (Vds 30 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.8 В тип. (2–4 В) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60H15A оригінал, TO220
В наявності
74,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 130.8 нКл (typ., VDS 30 В, ID 75 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5451 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF099T оригінал, TO247
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 38 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 24 А |
| Опір Rds(on) | 109 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А; typ 89 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл typ. (VDS=480 В, ID=38 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 322 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | швидкий, trr typ. 180 нс (Tj 25 °C, IF=19 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF130F оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 28 А при Tc 25 °C; 18 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 112 А |
| Опір Rds(on) | 110 мОм тип., макс. 130 мОм (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,5 В тип., 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±30 В (AC, f > 1 Гц) |
| Потужність Pd | 35 Вт при Tc 25 °C (TO-220F) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF130T оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 28 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) | 149 мОм (макс., Vgs 10 В, Id 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.6–4.3 В |
| Заряд затвора Qg | 37.5 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2070 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 260 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE80H11 оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 105 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 80 А |
| Опір Rds(on) | 8 мОм макс., VGS = 10 В, ID = 40 А (типово 6,3 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE80H12 оригінал, TO220
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В |
| Rds(on) тип. | 4.9 мОм (VGS=10 В, ID=40 А; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg тип. | 163 нКл (VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| trr діода тип. | 42 нс (TJ=25 °C, IF=40 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8290AC оригінал ( заміна для NCE8290 , NCE8290B ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Напруга Vds | 82 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 90 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 9 мОм тип., 12 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 81.5 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4414 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295A оригінал , TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 82 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 95 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 67 А |
| Опір Rds(on) | 6.6 мОм, макс. 8.0 мОм (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, типово 2.9 В |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Імпульсний струм Idm | 320 А |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295AD оригінал , D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 82 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 95 А (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 67 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 320 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.6 мОм (типове, Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.9 В (типове, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл (типове, Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.88 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295AK ( NCE8295 )(заміна для 80N07 , 6888K , FM6888K ) оригінал, D-PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 82 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 95 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 67 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) | 6.6 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 2.9 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл тип. (VDS=40 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.2 В, trr 37 нс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE85H21C оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 148 А |
| Опір Rds(on) | 4,1 мОм тип., 4,95 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE85H21TC оригінал, TO247
В наявності
113,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А |
| Опір Rds(on) | 3,9 мОм макс. (тип. 3,4 мОм), VGS=10 В, ID=40 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 330 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP023N10T оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 280 А (Tc 25 °C), 200 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) тип. | 1.85 мОм (Vgs 10 В, Id 140 А, Tc 25 °C; макс. 2.3 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В), Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 252 нКл (Vds 50 В, Id 140 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 17000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 365 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP028N85 оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id | 200 А при TC 25 °C; 150 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 2.55 мОм типово, макс. 2.8 мОм (VGS=10 В, ID=100 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0 В типово (від 2.0 до 4.0 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Qg | 124 нКл типово (VDS=40 В, ID=100 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7680 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 245 Вт при TC 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |