Корпус
- 4-Pin SOP (SOIC-4) 1
- DIP-4 10
- DIP-6 23
- DIP8 5
- SMD-8 2
- SO-8 5
- SO6L (6 виводів) 1
Категорії товарів
- TVS-діоди (супресори) (захисні діоди) 52
- Випромінювачі звуку, бузери, buzzer, зумери 3
- Вольтметри цифрові 17
- Вольтметри-амперметри цифрові 1
- Геркони 2
- Діністори 3
- Діоди 154
- Діоди Шоттки 52
- Діодні мости 40
- Електретні мікрофони 3
- Запобіжники 46
- Запчастини для мікрохвильових печей 20
- Інвертори універсальні 3
- Індуктивні елементи 33
- Кварци 29
- Керамічні резонатори 4
- Кнопки мережеві 16
- Конденсатори 487
- Макетні плати 6
- Мікроперемикачі 1
- Мікросхеми 1978
- Оптореле (твердотільні реле) 2
- Оптрони 56
- Панельки під мікросхеми 17
- Процесори для кінескопних ТВ 122
- Резистори 608
- Реле 77
- Різне 37
- Розрядники 2
- Світлодіоди 126
- Сімістори 66
- Стабілітрони 83
- Стабілітрони SMD SOD-80 0.5W 25
- Тактові кнопки 31
- Термозапобіжники 61
- Термостати 47
- Тиристори 22
- Транзистори 1782
- Трансформатори інверторів 17
- Трансформатори рядкові (ТДКС, FBT) 123
- Тюнери для кінескопних ТВ 84
- Фільтри 3
- Фотоприймачі 2
Ціна
Наявність
Оптрони
Оптрони (оптопари) для гальванічної розв’язки кіл, керування симісторами і затворами IGBT/MOSFET.
Оптрон CNY17-3
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DIP-6 |
| Тип виходу | фототранзистор NPN з виводом бази |
| CTR (група -3) | 100–200 % (VCE = 5 В, IF = 10 мА, Tamb 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв., 1 хв) |
| BVCEO | 70 В (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм діода IF | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора IC | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| VCEsat | тип. 0,25 В; макс. 0,4 В (IF = 10 мА, IC = 2,5 мА) |
| Робоча температура | -55…+110 °C |
Оптрон EL1018 , sop-4
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Everlight |
| Тип виходу | фототранзистор (NPN) |
| Корпус | 4-Pin SOP (SOIC-4) |
| CTR | 130–260 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (AC 1 хв) |
| Напруга VCEO | 80 В |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА |
| Макс. прямий струм IF | 60 мА |
| VCE(sat) | 0,3 В (макс.) при IF = 10 мА, IC = 1 мА |
| Розсіювана потужність | 250 мВт |
| Робоча температура | -55…110 °C |
| Шлях витоку | 8 мм |
Оптрон FOD3120SD ( 3120 , FOD3120 ) оригінал, sop-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Піковий вихідний струм | 2,5 А (абсолютний максимум 3,0 А) |
| Напруга живлення Vdd-Vss | 15–30 В (рекомендовані умови) |
| Робочий вхідний струм | 7–16 мА |
| Пороговий вхідний струм | 2,3 мА (тип.), 5,0 мА (макс.) |
| Затримка tPHL / tPLH | 150–400 нс |
| Стійкість до синфазних перешкод | 35 кВ/мкс (мін.) при Vcm = 2000 В |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 12,7 / 11,2 В (тип.), гістерезис 1,5 В |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (діюче, мін.) |
| Опір вихідного каскаду Rds(on) | 1 Ом (тип.) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон FOD3150ASD ( 3150A , FOD3150A ) , sop-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип виходу | драйвер затвора, push-pull |
| Піковий вихідний струм | 3 А (абсолютний максимум) |
| IOH | -1.0 А (мін.), -2.0 А (тип.) при VO = VDD – 3 В |
| IOL | 1.0 А (мін.), 2.0 А (тип.) при VO = VSS + 3 В |
| Напруга живлення VDD–VSS | 15–30 В |
| Робочий вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції VISO | 5000 В (діюче, 1 хв) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO-8 |
Оптрон H11L1
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | тригер Шмітта, відкритий колектор |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга ізоляції Viso | 4170 В (RMS), t = 1 хв |
| Напруга живлення VCC | 3–15 В |
| Швидкість передачі даних | 1 МГц (тип.) |
| Струм вмикання IF(on) | 1,6 мА (макс.) при RL = 270 Ом, VCC = 5 В |
| Максимальний струм світлодіода IF | 30 мА |
| Виробник за datasheet | onsemi (Fairchild) |
Оптрон HCPL3120 ( A3120 , HCPL3120-500E ) оригінал, SOP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Broadcom (Avago) |
| Тип виходу | IC-драйвер для IGBT/MOSFET |
| Піковий вихідний струм, макс. | 2,5 А |
| Піковий вихідний струм, мін. | 2,0 А |
| Напруга живлення (VCC – VEE) | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 3750 В (ср. кв.) |
| CMR | 25 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+100 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон LTV-T350 ( LTV-T350S-TA1 ) оригінал, SMD-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lite-On |
| Тип виходу | IC-драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Піковий вихідний струм | 2,5 А (макс.) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| Затримка поширення | 500 нс (макс.) |
| CMR | 25 кВ/мкс (мін.) |
| Струм споживання ICC | 3,0 мА (макс.) |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Корпус | SMD-8 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон LTV3120CR ( LTV-3120CR , LTV3120 ) оригінал (заміна для LTV-3120S , LTV3120S ), SMD-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lite-On |
| Тип виходу | IC-драйвер для IGBT/MOSFET, rail-to-rail |
| Піковий вихідний струм, макс. | 2,5 А |
| Піковий вихідний струм, мін. | 2,0 А |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.) |
| CMR | 15 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+105 °C |
| Корпус | SMD-8 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон MOC3022 ( CT3022 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга VDRM | 400 В (пік) |
| Макс. струм світлодіода IF | 60 мА (абсолютний максимум, постійний) |
| Пряма напруга світлодіода VF | 1.15 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 10 мА |
| Піковий імпульсний струм ITSM | 1 А (імпульс 100 мс, 120 імп./с) |
| Струм витоку IDRM | 10 нА (typ), 100 нА (max) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Напруга VTM | 1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік |
| Швидкість dv/dt | 1000 В/мкс (min) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Ізоляція VISO | 4170 В (діюче), 1 хвилина |
| Тип | random-phase, вихід – фотосимістор |
| Струм спрацювання IFT | 10 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В |
Оптрон MOC3023 , DIP6
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | DIP-6 |
| Напруга VDRM | 400 В (пік) |
| Макс. струм світлодіода IF | 60 мА (абсолютний максимум, постійний) |
| Пряма напруга світлодіода VF | 1.15 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 10 мА |
| Піковий імпульсний струм ITSM | 1 А (імпульс 100 мс, 120 імп./с) |
| Струм витоку IDRM | 10 нА (typ), 100 нА (max) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Напруга VTM | 1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік |
| Швидкість dv/dt | 1000 В/мкс (min) при номінальній VDRM, IF = 0 |
| Ізоляція VISO | 4170 В (діюче), 1 хвилина |
| Тип | random-phase, вихід – фотосимістор |
| Струм спрацювання IFT | 5 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В |
Оптрон MOC3042
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | DIP-6 |
| Тип | zero-cross, вихід – фотосимістор з детектором переходу через нуль |
| Напруга VDRM | 400 В (пік) |
| Макс. струм світлодіода IF | 60 мА (абсолютний максимум, постійний) |
| Зворотна напруга світлодіода VR | 6 В (абсолютний максимум) |
| Пряма напруга світлодіода VF | 1.25 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 30 мА |
| Струм спрацювання IFT | 10 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В |
| Піковий неповторюваний струм ITSM | 1 А (пік), 60 Гц, синусоїда, один період |
| Напруга VTM | 1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік, IF = 0 |
| Швидкість dv/dt | 2000 В/мкс (typ), 1000 В/мкс (min) при IF = 0 |
| Напруга блокування VIH | 20 В (max) |
| Струм витоку IDRM2 | 2 мА (max) при IF = номінальний IFT, номінальній VDRM |
| Ізоляція VISO | 4170 В (діюче), 1 хвилина |
Оптрон MOC3061
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross) |
| Напруга Vdrm | 600 В (пікова, обидва напрямки) |
| Струм спрацювання LED Ift (макс.) | 15 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік) |
| Максимальний струм світлодіода If | 60 мА (постійний) |
| Пряма напруга світлодіода Vf | 1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА |
| Зворотна напруга світлодіода | 6 В |
| Піковий ударний струм Itsm | 1 А |
| Пікова напруга у відкритому стані Vtm | 1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift |
| dV/dt (статична) | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0 |
| Струм витоку Idrm1 | 10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0 |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом) |
| Повна розсіювана потужність | 250 мВт при Ta = 25 °C |
| Корпус | DIP-6 |
| Виводи | 6 (вивід 5 – NC, не підключати) |
Оптрон MOC3062 smd
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross) |
| Напруга Vdrm | 600 В (пікова, обидва напрямки) |
| Струм спрацювання LED Ift (макс.) | 10 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік) |
| Максимальний струм світлодіода If | 60 мА (постійний) |
| Пряма напруга світлодіода Vf | 1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА |
| Зворотна напруга світлодіода | 6 В |
| Піковий ударний струм Itsm | 1 А |
| Пікова напруга у відкритому стані Vtm | 1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift |
| dV/dt (статична) | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0 |
| Струм витоку Idrm1 | 10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0 |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом) |
| Повна розсіювана потужність | 250 мВт при Ta = 25 °C |
| Корпус | SMD (surface mount DIP-6) |
| Виводи | 6 (вивід 5 – NC, не підключати) |
Оптрон MOC3063 ( EL3063 , CT3063 ) , DIP6
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross) |
| Напруга Vdrm | 600 В (пікова, обидва напрямки) |
| Струм спрацювання LED Ift (макс.) | 5 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік) |
| Максимальний струм світлодіода If | 60 мА (постійний) |
| Пряма напруга світлодіода Vf | 1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА |
| Зворотна напруга світлодіода | 6 В |
| Піковий ударний струм Itsm | 1 А |
| Пікова напруга у відкритому стані Vtm | 1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift |
| dV/dt (статична) | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0 |
| Струм витоку Idrm1 | 10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0 |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом) |
| Повна розсіювана потужність | 250 мВт при Ta = 25 °C |
| Корпус | DIP-6 |
| Виводи | 6 (вивід 5 – NC, не підключати) |
Оптрон MOC3081
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross) |
| Напруга VDRM | 800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова) |
| Струм спрацювання IFT | 15 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. прямий струм LED IF | 60 мА (неперервний, Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED VF | 1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА) |
| Зворотна напруга LED VR | 6 В (макс.) |
| Статична dv/dt | 600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм ITSM | 1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц) |
| Напруга ізоляції VISO | 4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом) |
| Потужність розсіювання PD | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від -40 до +85 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3082
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross) |
| Напруга VDRM | 800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова) |
| Струм спрацювання IFT | 10 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. прямий струм LED IF | 60 мА (неперервний, Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED VF | 1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА) |
| Зворотна напруга LED VR | 6 В (макс.) |
| Статична dv/dt | 600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм ITSM | 1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц) |
| Напруга ізоляції VISO | 4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом) |
| Потужність розсіювання PD | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від -40 до +85 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3083 ( CT3083 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross) |
| Напруга VDRM | 800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова) |
| Струм спрацювання IFT | 5 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. прямий струм LED IF | 60 мА (неперервний, Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED VF | 1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА) |
| Зворотна напруга LED VR | 6 В (макс.) |
| Статична dv/dt | 600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм ITSM | 1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц) |
| Напруга ізоляції VISO | 4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом) |
| Потужність розсіювання PD | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від -40 до +85 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC8106
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | NPN фототранзистор, вивід бази (pin 6) не підключений |
| Напруга колектор-емітер BVCEO | 70 В (мін.) при IC = 1 мА, IF = 0 |
| Макс. напруга колектор-емітер VCEO | 70 В |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА (безперервний) |
| Макс. прямий струм світлодіода IF | 60 мА (безперервний) |
| Коефіцієнт передачі струму CTR | 50–150 % при IF = 10 мА, VCE = 10 В |
| Напруга ізоляції вхід–вихід | 4170 В (діюче), t = 1 хв |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон OR3120 оригінал, SOP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Orient (Shenzhen Orient Components) |
| Піковий вихідний струм IOH / IOL | 3,0 А (абсолютний максимум) |
| Робочий вхідний струм | 7–16 мА |
| Середній вхідний струм | 25 мА (абсолютний максимум) |
| Низький рівень виходу VOL | 0,25 В (макс.) |
| Струм споживання | 3 мА (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMR | 35 кВ/мкс (мін.) при Vcm = 1500 В |
| Затримка розповсюдження | 0,2 мкс (макс.) |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 12,7 / 11,2 В (тип.), гістерезис 1,5 В |
| Робоча температура | -40…110 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон PC111 ( TL111 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга колектор-емітер Vceo | 35 В при Ta = 25 °C |
| CTR | 50–400 % при IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta = 25 °C; типове 100 % |
| Напруга ізоляції вхід–вихід | 5000 В (діюче), AC, 1 хв |
| Макс. прямий струм IF | 50 мА |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА |
| Зворотна напруга VR | 6 В |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF = 20 мА, IC = 1 мА |
| Виводи | 6: 1 анод, 2 катод, 3 NC, 4 емітер, 5 колектор; база (вивід 6) не підключена |
| Корпус | DIP-6 (збільшена відстань витоку) |
Оптрон PC113 , DIP6
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга колектор-емітер Vceo | 70 В при Ta = 25 °C |
| CTR | 40–320 % при IF = 10 мА, VCE = 5 В, RBE = ∞, Ta = 25 °C |
| Напруга ізоляції вхід–вихід | 5000 В (діюче), AC, 1 хв |
| Макс. прямий струм IF | 50 мА |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА |
| Зворотна напруга VR | 6 В |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF = 20 мА, IC = 1 мА |
| Темновий струм ICEO | 100 нА (макс.) при VCE = 20 В, IF = 0 |
| Виводи | 6: 1 анод, 2 катод, 3 NC, 4 емітер, 5 колектор; база (вивід 6) не підключена |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон PC120
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Відстань витоку | 6 і більше мм |
| CTR | 50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (rms) |
| Vceo | 35 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
Оптрон PC814 ( PC814A ) SHARP оригінал, DIP4
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип входу | AC (двонаправлений світлодіод) |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (rms) |
| CTR PC814 | 20–300 % (IF = ±1 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| CTR PC814A | 50–150 % (IF = ±1 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Vceo | 35 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | ±50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = ±20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон PC817 ( PC817C ) оригінал, DIP4
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Напруга ізоляції Viso | 5 кВ (rms) |
| CTR серії | 50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Ic для рангу C | 10–20 мА (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Vceo | 80 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон PS2501 , DIP4
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | NPN кремнієвий фототранзистор, вхід – GaAs світлодіод |
| Корпус | DIP-4 |
| Виробник (документ) | Renesas (раніше NEC) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.), AC 1 хв, TA 25 °C, RH 60 % |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 80 В, TA 25 °C |
| Струм колектора Ic, макс. | 50 мА, TA 25 °C |
| Прямий струм діода If (DC), макс. | 80 мА, TA 25 °C |
| CTR | мін. 80 %, тип. 300 %, макс. 600 %, If 5 мА, Vce 5 В, TA 25 °C |
| Vce(sat) | макс. 0,3 В, If 10 мА, Ic 2 мА, TA 25 °C |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон PS2561 , DIP4
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | NPN кремнієвий фототранзистор, вхід – GaAs світлодіод |
| Корпус | DIP-4 |
| Виробник (документ) | Renesas (раніше NEC) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.), AC 1 хв, TA 25 °C, RH 60 % |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 80 В, TA 25 °C |
| Струм колектора Ic, макс. | 50 мА, TA 25 °C |
| Прямий струм діода If (DC), макс. | 80 мА, TA 25 °C |
| CTR | мін. 80 %, тип. 200 %, макс. 400 %, If 5 мА, Vce 5 В, TA 25 °C |
| Vce(sat) | макс. 0,3 В, If 10 мА, Ic 2 мА, TA 25 °C |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон SFH617A-3 ( SFH617A-2 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | кремнієвий планарний фототранзистор, вхід – GaAs ІЧ-діод |
| Корпус | DIP-4 |
| Виробник (документ) | Vishay Semiconductors |
| Напруга ізоляції | 5300 В (ср. кв.) |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 70 В, Tamb 25 °C |
| Струм колектора Ic, макс. | 50 мА, Tamb 25 °C |
| Прямий струм діода If, макс. | 60 мА, Tamb 25 °C |
| CTR (SFH617A-3) | мін. 100 %, макс. 200 %, If 10 мА, Vce 5 В, Tamb 25 °C |
| Vce(sat) | тип. 0,25 В, макс. 0,4 В, If 10 мА, Ic 2,5 мА, Tamb 25 °C |
| Робоча температура | -55…+110 °C |
Оптрон TCDT1102G
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип виходу | фототранзистор, база не підключена |
| Корпус | DIP-6, формування виводів G (10,16 мм, 400 mil) |
| CTR | 63–125 % (VCE = 5 В, IF = 10 мА) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (RMS) |
| Напруга Vceo | 32 В (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм IF | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від −55 до +110 °C |
Оптрон TLP152 ( P152 , TLP152(TPL,E ) , 5pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | буферний, totem-pole (джерело і стік струму) |
| Піковий вихідний струм | ±2,5 А (абсолютний максимум, Ta -40…100 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 10–30 В (рекомендовані умови) |
| Струм споживання | 3,0 мА (макс.) |
| Робочий вхідний струм | 10–15 мА |
| Затримка tpHL | 190 нс (макс.) при IF = 10 → 0 мА, Vcc = 30 В |
| Затримка tpLH | 170 нс (макс.) при IF = 0 → 10 мА, Vcc = 30 В |
| Напруга ізоляції BVS | 3750 В (діюче, мін.) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO6 (5 виводів), 11-4L1S |
| Маркування | P152 |
Оптрон TLP155E ( P155E ) , 5pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер, двотактний (push-pull) |
| Корпус | SO6 (5 виводів), 3,7×7,0×2,1 мм |
| Напруга живлення VCC | 10–30 В (рекомендовані умови) |
| Напруга ізоляції | 3750 В (RMS, мін.) |
| Піковий вихідний струм | ±0,6 А (гранично допустимий) |
| Пороговий вхідний струм IFLH | 7,5 мА макс. (VCC = 15 В, VO > 1 В) |
| Затримка tpLH / tpHL | 200 нс макс. (VCC = 20 В, Rg = 30 Ом, Cg = 1 нФ, f = 250 кГц) |
| Робочий діапазон температур | від −40 до +100 °C |
Оптрон TLP250 , 8pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер, двотактний вихід |
| Корпус | DIP8 |
| Піковий вихідний струм | ±1,5 А (PW ≤ 2,5 мкс, f ≤ 15 кГц) |
| Напруга живлення VCC | 10–35 В (рекомендовані умови 15–30 В) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, мін.) |
| Пороговий вхідний струм IFLH | 5 мА макс. (VCC1 = +15 В, VEE1 = −15 В, RL = 200 Ом) |
| Затримка tpLH / tpHL | 0,5 мкс макс. (IF = 8 мА) |
| Робочий діапазон температур | від −20 до +85 °C |
Оптрон TLP350 , SOP-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | двотактний (totem-pole), буферна логіка |
| Піковий вихідний струм, абс. макс. | ±2,5 А |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм увімкнення IF(ON) | 7,5–10 мА |
| Напруга ізоляції | 3750 В (ср. кв.) |
| CMR | ±15 кВ/мкс (мін.) |
| Робочі температури | –40…+100 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 з вигнутими виводами під поверхневий монтаж |
| Розпіновка | 1 – NC, 2 – анод, 3 – катод, 4 – NC, 5 – GND, 6 – VO (вихід), 7 – NC, 8 – VCC |
Оптрон TLP350 оригінал, DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер затвора IGBT / power MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Піковий вихідний струм IO | ±2,5 А (макс.) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Поріг вхідного струму IFLH | 5 мА (макс.) |
| Рекомендований струм IF(ON) | 7,5–10 мА |
| Струм споживання ICC | 2 мА (макс.) |
| Час перемикання | 500 нс (макс.) |
| Напруга ізоляції Viso | 3750 В (AC 1 хв) |
| Макс. прямий струм IF | 20 мА (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP352 , SOP-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | буферна логіка, totem-pole |
| Піковий вихідний струм | ±2.5 А (максимум) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В (абсолютний максимум 35 В) |
| Струм увімкнення IF(ON) | 6.5–10 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 20 мА |
| Затримка поширення | 130 нс (тип.) при VCC = 30 В, Rg = 20 Ом, Cg = 10 нФ |
| Напруга ізоляції | 3750 В (діюче, AC, 60 с) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Оптопари з фототранзистором, для симісторів, драйвери затвора IGBT/MOSFET та інші
Оптопари тут різняться насамперед виходом. Є, наприклад, транзисторні, оптрони для керування симісторами й оптрони-драйвери затвора IGBT/MOSFET. Їх випускають onsemi, Toshiba, Sharp, Vishay, Lite-On, Renesas та інші виробники.
Фототранзистор, симістор чи драйвер на виході
У транзисторної оптопари фотоприймальний елемент – фототранзистор. Основний режим її роботи – ключовий. Такі оптопари застосовують в аналогових і цифрових комутаторах, оптоелектронних реле, у лініях зв'язку для гальванічної розв'язки. У частині карток вказано фототранзистор NPN з виводом бази. Є й транзисторний оптрон із входом змінного струму.
Ще одна важлива область застосування оптронів – оптичне, безконтактне керування потужнострумовими і високовольтними колами. Для цього є оптрони, які керують симістором: у частини з них – детектор переходу через нуль (zero-cross). Самі симістори – у розділі Сімістори.
Оптрони-драйвери затвора призначені для IGBT і MOSFET. Драйвером у підручнику називають схему керування затвором IGBT-транзистора. Транзистори – у розділах IGBT-транзистори і Польові транзистори.
Що означають Viso і CTR у картках
- Напруга ізоляції Viso. У картках Viso найчастіше 5000 В, трапляються, наприклад, 3750, 4170 і 7500 В.
- CTR. Це коефіцієнт передачі за струмом: відношення струму на виході оптопари до струму на її вході. Для всіх типів оптопар, крім тиристорних, це основний параметр передачі сигналу. CTR вказано в частині карток, найчастіше – 50 %.
DIP-6, DIP-4 та інші корпуси
Найбільше оптронів у корпусі DIP-6, на другому місці DIP-4. Є й інші, наприклад DIP-8, SOP-8, SO-6 і SOP-4. Трапляються й SMD-корпуси, як-от SMD-8.
Оптопари, які шукають і замовляють найчастіше
- PC817 (PC817C) – корпус DIP4, у назві позначено «оригінал».
- MOC3063 – корпус DIP6, у назві також наведено EL3063 і CT3063.
- TLP250 – 8 виводів.
- HCPL3120 (A3120, HCPL3120-000E) – корпус DIP8, оригінал. Є й HCPL3120-500E у корпусі SOP8.
Разом з оптронами в одному замовленні часто беруть мікросхеми, електролітичні конденсатори, діодні мости і діоди.
Трапляється й демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж». Відправка – Новою Поштою по Україні, у день оплати або наступного дня.
Часті запитання
Чим оптопара відрізняється від оптрона?
Оптопару в підручнику називають елементарним оптроном. Оптрони ширше: крім оптопар, до них належать оптоелектронні інтегральні схеми та спеціальні види оптронів.
Як влаштована оптопара?
Вона складається з випромінювального і фотоприймального елементів, оптично і конструктивно зв'язаних один з одним. Випромінює світло світлодіод, а приймає його фотоприймач: фотодіод, фототранзистор або фототиристор.
Як працює оптопара?
Принцип дії заснований на подвійному перетворенні енергії. Випромінювач перетворює електричний сигнал в оптичне випромінювання, а фотоприймач – оптичний сигнал знову в електричний, струм або напругу. Усередині оптопари вхід зв'язаний з виходом оптичними сигналами.
Для чого потрібен оптрон?
Оптрони широко використовують в електронній апаратурі для гальванічної розв'язки електронних кіл. Це дозволяє підвищити завадостійкість апаратури і забезпечує спільну роботу пристроїв, які перебувають під різними потенціалами.