Мікросхеми

Показано 1441–1480 із 1978

Показати 20 40 80

Мікросхема UC3843B оригінал, DIP8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипШІМ-контролер струмового режиму
Виробникonsemi
КорпусDIP8
Опорна напруга Vref (тип)5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В
Частота генератора fOSC (тип)52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В
Поріг увімкнення UVLO (тип)8,4 В
Макс. коефіцієнт заповнення96 % (тип) при VCC = 15 В
Вихідний струм (макс.)1,0 А
Напруга живлення VCC (макс.)30 В
Робоча температура0…+70 °C
СтанОригінал

Мікросхема UC3843D ( UC3843BDG ) , so-14

В наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
ТипШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-14
Опорна напруга VREF5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C
Частота генератора52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. робоча частота500 кГц
Піковий струм виходу1 А
Поріг вмикання UVLO8,4 В (7,8–9 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Поріг вимикання UVLO7,6 В (7–8,2 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. коефіцієнт заповнення97 % (92–100 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. напруга живлення VCC30 В (абсолютний максимум)
Робочий діапазон температур0…70 °C

Мікросхема UC3844AN ( UC3844A ) , DIP8

В наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняШІМ-контролер струмового режиму
Частота (макс.)до 500 кГц
Опорна напруга5,00 В (4,90–5,10 В) при Tj = 25 °C, Io = 1 мА
Поріг вмикання UVLO16 В
Поріг вимикання UVLO10 В
Макс. коефіцієнт заповнення47–50 %
Пусковий струм0,5 мА макс.
Макс. напруга живлення30 В
КорпусDIP8

Мікросхема UC3844B ( 3844B , UC3844BD , UC3844A , UC3844 , KA3844 ) оригінал, so-8

В наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
ТипШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-8
Опорна напруга VREF5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C
Частота генератора52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. робоча частота500 кГц
Піковий струм виходу1 А
Поріг вмикання UVLO16 В (14,5–17,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Поріг вимикання UVLO10 В (8,5–11,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. коефіцієнт заповнення48 % (47–50 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. напруга живлення VCC30 В (абсолютний максимум)
СтанОригінал

Мікросхема UC3844BN ( UC3844B ) , DIP8

В наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
ТипШІМ-контролер струмового режиму
КорпусDIP8
Опорна напруга VREF5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C
Частота генератора52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. робоча частота500 кГц
Піковий струм виходу1 А
Поріг вмикання UVLO16 В (14,5–17,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Поріг вимикання UVLO10 В (8,5–11,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. коефіцієнт заповнення48 % (47–50 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ
Макс. напруга живлення VCC30 В (абсолютний максимум)
Робочий діапазон температур0…70 °C

Мікросхема UC3844N демонтаж, DIP8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипШІМ-контролер струмового режиму
Виробник (datasheet)Texas Instruments
КорпусDIP8
Поріг вмикання UVLO16 В (UC3842/4; діапазон 14,5–17,5 В)
Поріг вимикання UVLO10 В (UC3842/4; діапазон 8,5–11,5 В)
Напруга живлення VCC, рекомендована12–28 В
Напруга живлення VCC, макс.30 В (low impedance source)
Частота генератора52 кГц (TJ 25 °C, RRT 10 кОм, CCT 3,3 нФ; діапазон 47–57 кГц)
Робоча частота, макс.до 500 кГц
Опорна напруга VREF5 В (4,9–5,1 В)
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема UC3845B оригінал, DIP8

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипШІМ-контролер струмового режиму
КорпусDIP8
Поріг увімкнення UVLO8.4 В (VCC зростає)
Поріг вимкнення UVLO7.6 В
Опорна напруга Vref5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C)
Частота генератора52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В)
Макс. коефіцієнт заповнення48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ)
Струм виходу, макс.1.0 А (абсолютний максимум)
VCC, макс.36 В (абсолютний максимум)
СтанОригінал

Мікросхема UC3845B оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипШІМ-контролер струмового режиму
КорпусSO-8
Поріг увімкнення UVLO8.4 В (VCC зростає)
Поріг вимкнення UVLO7.6 В
Опорна напруга Vref5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C)
Частота генератора52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В)
Макс. коефіцієнт заповнення48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ)
Струм виходу, макс.1.0 А (абсолютний максимум)
VCC, макс.36 В (абсолютний максимум)
СтанОригінал

Мікросхема UCC21520 ( UCC21520DWR ) оригінал, SOIC-16-300mil

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Піковий вихідний струм (source)4 А
Піковий вихідний струм (sink)6 А
Напруга живлення входу VCCI3–18 В
Напруга живлення виходів VDDA/VDDBдо 25 В
Ізоляція вхід-вихід5,7 кВ (RMS)
CMTIне менше 125 В/нс
Температура переходу Tjвід −40 до +150 °C
КорпусSOIC-16 (wide body)
Корпус (докладно)SOIC-16 (DW)
Число виводів16
СтанОригінал

Мікросхема UCC23513 ( UCC23513DWYR , UC23513 ) оригінал, SOIC-6-300mil

В наявності

123,14 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
ПризначенняОдноканальний ізольований драйвер затвора IGBT, MOSFET і SiC MOSFET з оптосумісним входом
Піковий вихідний струм (джерело)4,5 А
Піковий вихідний струм (стік)5,3 А
Напруга живлення вихідної сторони, макс.33 В (VCC-VEE)
Робочий прямий струм входу7–16 мА
Затримка розповсюдження, макс.105 нс (Cg = 1 нФ, VCC = 15–30 В)
CMTI, мін.150 кВ/мкс
Ізоляція5,7 кВ (RMS), підсилена, 1 хвилина, UL 1577
Температура переходу TJ-40…+150 °C
КорпусSO-6 (розтягнутий)
СтанОригінал

Мікросхема UCC23513B ( UCC23513BDWYR , UC23513B ) оригінал, SOIC-6-300mil

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипОдноканальний ізольований драйвер затвора
ВиробникTexas Instruments
Піковий струм source4.5 А (typ, IF = 10 мА, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ)
Піковий струм sink5.3 А (typ, VF = 0 В, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ)
Ізоляція5700 В RMS, 60 с
Напруга живлення VCC-VEE10–33 В
Поріг UVLO (зростання)8.5 В
Струм вхідного діода7–16 мА
CMTI150 кВ/мкс (мін., VCM = 1500 В)
КорпусSO-6 (розтягнутий)
СтанОригінал

Мікросхема UCC25600 ( 25600 ) , so-8 ( MEG003 )

В наявності

83,19 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Типконтролер резонансного (LLC) режиму
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SOIC-8 (D)
Діапазон частот перемикання40–350 кГц
Мінімальна частота перемикання41.70 кГц (GD1, GD2, -40–125 °C)
Струм драйвера затворів0.4 А витік / 0.8 А стік
VCC рекомендована11.5–18.0 В
VCC, макс.22 В (абсолютний максимум)
Поріг увімкнення UVLO10.5 В (VCC зростає)
Поріг вимкнення UVLO9.5 В (VCC спадає)
Мертвий час420 нс (RDT = 16.9 кОм)
Робоча температура-40–125 °C

Мікросхема UCC27324 ( UCC27324DR , 27324 ) оригінал, so-8

В наявності

80,37 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Кількість каналів2
Пік вихідного струму4 А (VDD = 14 В)
Напруга живлення VDD4,5–15 В
Абсолютний максимум VDD16 В
Час наростання (CLOAD = 1,8 нФ)20 нс (тип.), 40 нс (макс.)
Час спаду (CLOAD = 1,8 нФ)15 нс (тип.), 40 нс (макс.)
Затримка розповсюдження35 / 25 нс
Опір виходу у високому стані (IOUT = 10 мА)0,6 Ом (тип.), 1,5 Ом (макс.)
Робоча температура переходу-40…125 °C
Максимальна температура переходу150 °C
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SOIC-8 (D)
Кількість виводів8
СтанОригінал

Мікросхема UCC27424 ( UCC27424DR , 27424 ) оригінал, so-8

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипПодвійний нижньоплечовий драйвер MOSFET, неінвертуючий
ВиробникTexas Instruments
Піковий струм на канал4 А (sink/source, у зоні плато Міллера)
Напруга живлення VDD4–15 В
Час наростання20 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ)
Час спаду15 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ)
ВходиСумісні з TTL/CMOS
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SOIC-8 (D), 4.90 x 3.91 мм
СтанОригінал

Мікросхема UCC27624 ( UCC27624DR , U27624 , 27624 ) оригінал, so-8

В наявності

64,86 ₴
ПараметрЗначення
ТипДвоканальний нижньоплечовий драйвер затвора
ВиробникTexas Instruments
Піковий струм source/sink5 А на канал (typ)
Напруга живлення VDD4.5–26 В (рекомендовані), 30 В абсолютний максимум
Поріг UVLO4.1 В (typ)
Час наростання6 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ, VDD = 12 В)
Час спаду10 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ, VDD = 12 В)
Затримка розповсюдження17 нс (typ)
Температура переходу-40…150 °C
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SOIC-8 (D), 4.90 x 3.91 мм
СтанОригінал

Мікросхема UCC37322P , DIP8

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Призначеннядрайвер затвора MOSFET нижнього плеча, неінвертуючий, з входом Enable
Піковий вихідний струм9 А (VDD = 14 В, на плато Міллера)
Напруга живлення VDD4–15 В
Максимальна напруга живлення16 В
Час наростання і спаду20 нс (типове, навантаження 10 нФ)
Логіка входівTTL/CMOS
Робочий діапазон температур0…+70 °C
КорпусDIP8

Мікросхема ULN2003A оригінал ( заміна для ULN2003ADR , ULN2003AG4 , ULN2003 , ULN2003D1 ) , so-16

В наявності

29,14 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Максимальна напруга колектор–емітер (вихід)50 В
Струм колектора одного каналу500 мА (Absolute Maximum Ratings)
Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN)7 шт
Захисні діоди на виходахє, спільний катод, для індуктивних навантажень
Vce(sat), макс.1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА)
Струм відсічки колектора Iсех, макс.50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C)
Пряма напруга захисного діода Vf, макс.2 В (If = 350 мА, TA 25 °C)
Температура переходу Tj (робоча)-40…125 °C
Кількість виводів16 шт
КорпусSO-16
Вхідний резистор бази2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS)
Vi(on), макс.2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА)
СтанОригінал

Мікросхема ULN2003AN оригінал ( заміна для ULN2003APG , ULN2003A , ULN2003 ), DIP16

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Максимальна напруга колектор–емітер (вихід)50 В
Струм колектора одного каналу500 мА (Absolute Maximum Ratings)
Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN)7 шт
Захисні діоди на виходахє, спільний катод, для індуктивних навантажень
Vce(sat), макс.1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА)
Струм відсічки колектора Iсех, макс.50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C)
Пряма напруга захисного діода Vf, макс.2 В (If = 350 мА, TA 25 °C)
Температура переходу Tj (робоча)-40…125 °C
Кількість виводів16 шт
КорпусDIP16
Вхідний резистор бази2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS)
Vi(on), макс.2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА)
СтанОригінал

Мікросхема ULN2004 ( ULN2004A , ULN2004D1 , KID65004AF ) оригінал, so-16

В наявності

31,02 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTexas Instruments
Максимальна напруга колектор–емітер (вихід)50 В
Струм колектора одного каналу500 мА (Absolute Maximum Ratings)
Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN)7 шт
Захисні діоди на виходахє, спільний катод, для індуктивних навантажень
Vce(sat), макс.1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА)
Струм відсічки колектора Iсех, макс.50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C)
Пряма напруга захисного діода Vf, макс.2 В (If = 350 мА, TA 25 °C)
Температура переходу Tj (робоча)-40…125 °C
Кількість виводів16 шт
КорпусSO-16
Вхідний резистор бази10.5 кОм (для CMOS 6–15 В)
Vi(on), макс.5 В (Vce = 2 В, Ic = 125 мА); 6 В (Ic = 200 мА); 7 В (Ic = 275 мА); 8 В (Ic = 350 мА)
Вхідний струм Ii, тип. / макс.0.35 / 0.5 мА (Vi = 5 В); 1 / 1.45 мА (Vi = 12 В)
СтанОригінал

Мікросхема ULN2004A ( ULN2004APG , ULN2004AN ) оригінал, DIP16

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипЗбірка транзисторів Дарлінгтона (NPN) із захисними діодами
ВиробникTexas Instruments
Кількість каналів7 шт.
Струм колектора одного каналу500 мА
Напруга колектор–емітер (макс.)50 В при TA 25 °C
Зворотна напруга захисного діода (макс.)50 В при TA 25 °C
Вхідна напруга (макс.)30 В відносно виводу E
Vce(sat) (макс.)1,1 В при TA 25 °C, II = 250 мкА, IC = 100 мА
Температура переходу (макс.)150 °C
КорпусDIP16
СтанОригінал

Мікросхема ULN2803A оригінал ( заміна для ULN2803APG , TD62083AP ) , DIP18

В наявності

65,80 ₴
ПараметрЗначення
Конфігурація8 каналів Дарлінгтона із загальним емітером, вбудовані захисні діоди
Вихідна напруга50 В макс. у закритому стані
Струм колектора500 мА на канал, піковий 600 мА
Вхідна напруга (макс.)30 В
Потужність розсіювання1 Вт на Дарлінгтон, 2,25 Вт на корпус
Робоча температура-20…85 °C
КорпусDIP-18
СтанОригінал

Мікросхема ULN2804AFWG , smd

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Конфігурація8 каналів Дарлінгтона NPN із вбудованими захисними діодами
Вихідна напруга VCE(SUS)50 В (макс. у закритому стані, мін. 50 В)
Вихідний струм500 мА на канал, макс.
Вхідна напруга (макс.)30 В при Ta 25 °C
Зворотна напруга захисного діода50 В при Ta 25 °C
Прямий струм захисного діода500 мА при Ta 25 °C
Вхідрезистор 10,5 кОм, для КМОН і PMOS 6–15 В
Робоча температура-40…85 °C
Температура зберігання-55…150 °C
КорпусSOP-18

Мікросхема UTC1031 демонтаж

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннякадрова розгортка ТВ
Робоча напруга живлення9–18 В за схемою застосування
Напруга живлення (макс.)20 В при Ta 25 °C
Вихідний струм (розмах)2 А (p-p) при Ta 25 °C
Робоча температура-20…70 °C
Температура зберігання-40…125 °C
КорпусSIP-10H
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема UTC1353 демонтаж

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннятракт ПЧ звуку телевізора
Робоча напруга живлення9–18 В
Напруга живлення V10 (макс.)20 В при Ta 25 °C
Вихідна потужність2,4 Вт при Vcc 18 В, RL 8 Ом; 1,2 Вт при Vcc 12 В, RL 8 Ом
Придушення шуму (squelch)80 дБ, типове
Робоча температура-20…75 °C
Температура зберігання-40…150 °C
КорпусDIP-14H
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема UTC3845D оригінал, DIP8

В наявності

49,35 ₴
ПараметрЗначення
КорпусDIP8
Поріг вмикання UVLO8.4 В
Поріг вимикання UVLO7.6 В
Частота перемикання виходудо 500 кГц
Опорна напруга Vref4.82–5.18 В
Макс. напруга живлення Vcc30 В
Потужність розсіювання (DIP-8)1250 мВт
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал

Мікросхема VDP3108B C3

В наявності

470,00 ₴
ПараметрЗначення
Типоднокристальний відеопроцесор

Мікросхема VDP3120B C3 б/в

В наявності

244,40 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіVDP3120B C3
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема VDP3120B C3 ( VDP3112B C3 , VDP3116B C3 )

В наявності

265,55 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіVDP3120B C3
Позначення в назвіVDP3112B C3, VDP3116B C3

Мікросхема VIPer12A оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняoff-line імпульсний первинний перемикач
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга стік-витік730 В (Tj 25–125 °C, абсолютний максимум)
Пробивна напруга стік-витік730 В (ID 1 мА, VFB 2 В, Tj 25 °C, мін.)
Rds(on)27 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, VDD 18 В, тип.)
Обмеження піків струму0,4 А (VFB 0 В, VDD 18 В, тип.)
Частота перемикання60 кГц
Напруга живлення VDD9–38 В
Поріг запуску VDD14,5 В (тип.)
Поріг вимкнення VDD8 В (тип.)
Типова потужність (SO-8)8 / 5 Вт (195–265 В AC / 85–265 В AC)
Робоча температура корпусу-40…150 °C
КорпусSO-8
СтанОригінал

Мікросхема VIPer16H ( VIPer16HN ) оригінал, DIP7

В наявності

155,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP7
Пробивна напруга ключа800 В
Опір відкритого ключа20 Ом
Робоча частота (тип H)115 кГц
Обмеження струму стоку0,4 А
Робочий діапазон VDD11,5–23,5 В
Діапазон температури переходу–40…150 °C
СтанОригінал

Мікросхема VIPer16L ( VIPer16LN ) оригінал, DIP7

В наявності

108,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP7
Напруга стік-витік Vdrain (макс.)800 В
Пробивна напруга BVdss800 В (мін.) при Idrain = 1 мА, Tj = 25 °C
Rds(on) при 25 °C20 Ом (тип.) / 24 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А
Rds(on) при 125 °C40 Ом (тип.) / 48 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А
Робоча частота60 кГц
СтанОригінал

Мікросхема VIPer20A ( VIPER20 ) , TO220-5

В наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусTO220-5
Напруга VDSS700 В при Id = 1 мА, Vcomp = 0 В
Струм ключа0,5 А
Rds(on) при 25 °C15,5 Ом (тип.) / 18 Ом (макс.) при Id = 0,4 А
Rds(on) при 100 °C32 Ом (макс.) при Id = 0,4 А
Розсіювана потужність Ptot57 Вт при Tc = 25 °C
Частота перемиканнярегулюється до 200 кГц

Мікросхема VIPer22A оригінал ( заміна для AP8012 ), DIP8

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP8
Напруга BVdss730 В (мін.) при Id = 1 мА, Vfb = 2 В
Обмеження струму Idlim0,56 / 0,70 / 0,84 А (мін. / тип. / макс.)
Частота60 кГц (54 / 66 кГц мін. / макс.) при Tj = 0–100 °C
Напруга живлення VDD9–38 В
Поріг запуску VDD on14,5 В (тип.)
Тепловий опір перехід-середовище45 °C/Вт (макс.), плата FR4, 200 мм2 міді під виводами DRAIN
СтанОригінал

Мікросхема VIPer26L , so-16

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняoff-line перетворювач, ШІМ + силова частина 800 В
ВиробникSTMicroelectronics
Пробивна напруга стік-витік800 В (ID 1 мА, VCOMP = GND, Tj 25 °C, мін.)
Rds(on)7 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, тип.; 14 Ом при Tj 125 °C)
Обмеження струму стоку0,7 А (ILIM −10 мкА, VCOMP 3,3 В, Tj 25 °C)
Частота перемикання (тип L)60 кГц (54–66 кГц)
Напруга обмеження VDD23,5 В (IDD 15 мА)
Типова потужність (адаптер)18 Вт (230 В AC); 10 Вт (85–265 В AC)
Робоча температура переходу-40…150 °C
КорпусSO-16

Мікросхема VIPER27L оригінал, DIP7

В наявності

88,36 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга пробою силового ключа800 В (IDRAIN 1 мА, VFB = GND, Tj 25 °C)
Обмеження струму стоку0.7 А (типове; діапазон 0,66–0,74 А)
Частота перетворення (тип L)60 кГц (діапазон 54–66 кГц; з частотним джиттером)
Напруга живлення VDD8.5–23.5 В (після включення)
Споживання в режимі очікуванняменше 50 мВт (при 265 В AC)
Робоча температура переходу-40…150 °C
КорпусDIP7
СтанОригінал

Мікросхема VIPer50A ( VIPer50 ) оригінал, TO220-5

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга стік-витік700 В
Номінальний струм MOSFET1,5 А
Опір відкритого каналу4,6 Ом (ID 2 А, тип.)
Піковий струм обмеження2 А (VDD 12 В, тип.)
Частота перемиканнядо 200 кГц
КорпусPentawatt HV (TO-220-5)
СтанОригінал

Мікросхема VIPer53 ( VIPer53E ) , DIP8

В наявності

219,96 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Пробивна напруга стік-витік620 В
Опір відкритого каналу0,9 Ом (ID 1 А, тип.)
Піковий струм стоку2 А
Частота перемиканнядо 300 кГц
КорпусDIP8

Мікросхема WT61P805 , QFP-48

В наявності

361,90 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
ПозначенняWT61P805
КорпусQFP-48

Мікросхема WT7510 оригінал ( заміна для TPS3510 , LP3510 , LP7510 ), DIP8

В наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення Vcc4–15 В (типово 12 В)
Поріг перенапруги V333,9 В (тип.)
Поріг перенапруги V56,1 В (тип.)
Поріг перенапруги Vcc/V1213,4 В (тип.)
Затримка Power Good300 мс
ВиходиPGO і FPL_N – з відкритим стоком
КорпусDIP8
СтанОригінал

Мікросхема WT7520 оригінал, DIP16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeltrend Semiconductor
КорпусDIP16
Vcc, макс. (граничне)5,5 В
Потужність розсіювання Pd (граничне)200 мВт
Робоча температура-10…+70 °C
Затримка Power Good150 / 280 / 350 мс (мін/тип/макс) при Ta 25 °C, Vcc 5 В
СтанОригінал