Мікросхеми
Мікросхема UC3843B оригінал, DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 8,4 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3843D ( UC3843BDG ) , so-14
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-14 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 8,4 В (7,8–9 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 7,6 В (7–8,2 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 97 % (92–100 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема UC3844B ( 3844B , UC3844BD , UC3844A , UC3844 , KA3844 ) оригінал, so-8
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 16 В (14,5–17,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В (8,5–11,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (47–50 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3844BN ( UC3844B ) , DIP8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 16 В (14,5–17,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В (8,5–11,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (47–50 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Демонтаж
Мікросхема UC3844N демонтаж, DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник (datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Поріг вмикання UVLO | 16 В (UC3842/4; діапазон 14,5–17,5 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В (UC3842/4; діапазон 8,5–11,5 В) |
| Напруга живлення VCC, рекомендована | 12–28 В |
| Напруга живлення VCC, макс. | 30 В (low impedance source) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ 25 °C, RRT 10 кОм, CCT 3,3 нФ; діапазон 47–57 кГц) |
| Робоча частота, макс. | до 500 кГц |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема UC3845B оригінал, DIP8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC21520 ( UCC21520DWR ) оригінал, SOIC-16-300mil
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий вихідний струм (source) | 4 А |
| Піковий вихідний струм (sink) | 6 А |
| Напруга живлення входу VCCI | 3–18 В |
| Напруга живлення виходів VDDA/VDDB | до 25 В |
| Ізоляція вхід-вихід | 5,7 кВ (RMS) |
| CMTI | не менше 125 В/нс |
| Температура переходу Tj | від −40 до +150 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOIC-16 (DW) |
| Число виводів | 16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC23513 ( UCC23513DWYR , UC23513 ) оригінал, SOIC-6-300mil
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | Одноканальний ізольований драйвер затвора IGBT, MOSFET і SiC MOSFET з оптосумісним входом |
| Піковий вихідний струм (джерело) | 4,5 А |
| Піковий вихідний струм (стік) | 5,3 А |
| Напруга живлення вихідної сторони, макс. | 33 В (VCC-VEE) |
| Робочий прямий струм входу | 7–16 мА |
| Затримка розповсюдження, макс. | 105 нс (Cg = 1 нФ, VCC = 15–30 В) |
| CMTI, мін. | 150 кВ/мкс |
| Ізоляція | 5,7 кВ (RMS), підсилена, 1 хвилина, UL 1577 |
| Температура переходу TJ | -40…+150 °C |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC23513B ( UCC23513BDWYR , UC23513B ) оригінал, SOIC-6-300mil
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Одноканальний ізольований драйвер затвора |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм source | 4.5 А (typ, IF = 10 мА, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ) |
| Піковий струм sink | 5.3 А (typ, VF = 0 В, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ) |
| Ізоляція | 5700 В RMS, 60 с |
| Напруга живлення VCC-VEE | 10–33 В |
| Поріг UVLO (зростання) | 8.5 В |
| Струм вхідного діода | 7–16 мА |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін., VCM = 1500 В) |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC25600 ( 25600 ) , so-8 ( MEG003 )
В наявності
83,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | контролер резонансного (LLC) режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D) |
| Діапазон частот перемикання | 40–350 кГц |
| Мінімальна частота перемикання | 41.70 кГц (GD1, GD2, -40–125 °C) |
| Струм драйвера затворів | 0.4 А витік / 0.8 А стік |
| VCC рекомендована | 11.5–18.0 В |
| VCC, макс. | 22 В (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення UVLO | 10.5 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 9.5 В (VCC спадає) |
| Мертвий час | 420 нс (RDT = 16.9 кОм) |
| Робоча температура | -40–125 °C |
Мікросхема UCC27324 ( UCC27324DR , 27324 ) оригінал, so-8
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 2 |
| Пік вихідного струму | 4 А (VDD = 14 В) |
| Напруга живлення VDD | 4,5–15 В |
| Абсолютний максимум VDD | 16 В |
| Час наростання (CLOAD = 1,8 нФ) | 20 нс (тип.), 40 нс (макс.) |
| Час спаду (CLOAD = 1,8 нФ) | 15 нс (тип.), 40 нс (макс.) |
| Затримка розповсюдження | 35 / 25 нс |
| Опір виходу у високому стані (IOUT = 10 мА) | 0,6 Ом (тип.), 1,5 Ом (макс.) |
| Робоча температура переходу | -40…125 °C |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D) |
| Кількість виводів | 8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC27424 ( UCC27424DR , 27424 ) оригінал, so-8
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний нижньоплечовий драйвер MOSFET, неінвертуючий |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм на канал | 4 А (sink/source, у зоні плато Міллера) |
| Напруга живлення VDD | 4–15 В |
| Час наростання | 20 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ) |
| Час спаду | 15 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ) |
| Входи | Сумісні з TTL/CMOS |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D), 4.90 x 3.91 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC27624 ( UCC27624DR , U27624 , 27624 ) оригінал, so-8
В наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Двоканальний нижньоплечовий драйвер затвора |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм source/sink | 5 А на канал (typ) |
| Напруга живлення VDD | 4.5–26 В (рекомендовані), 30 В абсолютний максимум |
| Поріг UVLO | 4.1 В (typ) |
| Час наростання | 6 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ, VDD = 12 В) |
| Час спаду | 10 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ, VDD = 12 В) |
| Затримка розповсюдження | 17 нс (typ) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D), 4.90 x 3.91 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC37322P , DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | драйвер затвора MOSFET нижнього плеча, неінвертуючий, з входом Enable |
| Піковий вихідний струм | 9 А (VDD = 14 В, на плато Міллера) |
| Напруга живлення VDD | 4–15 В |
| Максимальна напруга живлення | 16 В |
| Час наростання і спаду | 20 нс (типове, навантаження 10 нФ) |
| Логіка входів | TTL/CMOS |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ULN2003A оригінал ( заміна для ULN2003ADR , ULN2003AG4 , ULN2003 , ULN2003D1 ) , so-16
В наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2003AN оригінал ( заміна для ULN2003APG , ULN2003A , ULN2003 ), DIP16
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | DIP16 |
| Вхідний резистор бази | 2.7 кОм (для входів TTL і 5 В CMOS) |
| Vi(on), макс. | 2.4 В (Vce = 2 В, Ic = 200 мА); 2.7 В (Ic = 250 мА); 3 В (Ic = 300 мА) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2004 ( ULN2004A , ULN2004D1 , KID65004AF ) оригінал, so-16
В наявності
31,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна напруга колектор–емітер (вихід) | 50 В |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА (Absolute Maximum Ratings) |
| Кількість каналів (пари Дарлінгтона NPN) | 7 шт |
| Захисні діоди на виходах | є, спільний катод, для індуктивних навантажень |
| Vce(sat), макс. | 1.1 В (Ii = 250 мкА, Ic = 100 мА, TA 25 °C); 1.3 В (Ii = 350 мкА, Ic = 200 мА); 1.6 В (Ii = 500 мкА, Ic = 350 мА) |
| Струм відсічки колектора Iсех, макс. | 50 мкА (Vce = 50 В, Ii = 0, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода Vf, макс. | 2 В (If = 350 мА, TA 25 °C) |
| Температура переходу Tj (робоча) | -40…125 °C |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Корпус | SO-16 |
| Вхідний резистор бази | 10.5 кОм (для CMOS 6–15 В) |
| Vi(on), макс. | 5 В (Vce = 2 В, Ic = 125 мА); 6 В (Ic = 200 мА); 7 В (Ic = 275 мА); 8 В (Ic = 350 мА) |
| Вхідний струм Ii, тип. / макс. | 0.35 / 0.5 мА (Vi = 5 В); 1 / 1.45 мА (Vi = 12 В) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2004A ( ULN2004APG , ULN2004AN ) оригінал, DIP16
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Збірка транзисторів Дарлінгтона (NPN) із захисними діодами |
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 7 шт. |
| Струм колектора одного каналу | 500 мА |
| Напруга колектор–емітер (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Зворотна напруга захисного діода (макс.) | 50 В при TA 25 °C |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В відносно виводу E |
| Vce(sat) (макс.) | 1,1 В при TA 25 °C, II = 250 мкА, IC = 100 мА |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2803A оригінал ( заміна для ULN2803APG , TD62083AP ) , DIP18
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація | 8 каналів Дарлінгтона із загальним емітером, вбудовані захисні діоди |
| Вихідна напруга | 50 В макс. у закритому стані |
| Струм колектора | 500 мА на канал, піковий 600 мА |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В |
| Потужність розсіювання | 1 Вт на Дарлінгтон, 2,25 Вт на корпус |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Корпус | DIP-18 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ULN2804AFWG , smd
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Конфігурація | 8 каналів Дарлінгтона NPN із вбудованими захисними діодами |
| Вихідна напруга VCE(SUS) | 50 В (макс. у закритому стані, мін. 50 В) |
| Вихідний струм | 500 мА на канал, макс. |
| Вхідна напруга (макс.) | 30 В при Ta 25 °C |
| Зворотна напруга захисного діода | 50 В при Ta 25 °C |
| Прямий струм захисного діода | 500 мА при Ta 25 °C |
| Вхід | резистор 10,5 кОм, для КМОН і PMOS 6–15 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Корпус | SOP-18 |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема UTC1353 демонтаж
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | тракт ПЧ звуку телевізора |
| Робоча напруга живлення | 9–18 В |
| Напруга живлення V10 (макс.) | 20 В при Ta 25 °C |
| Вихідна потужність | 2,4 Вт при Vcc 18 В, RL 8 Ом; 1,2 Вт при Vcc 12 В, RL 8 Ом |
| Придушення шуму (squelch) | 80 дБ, типове |
| Робоча температура | -20…75 °C |
| Температура зберігання | -40…150 °C |
| Корпус | DIP-14H |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема VIPer12A оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | off-line імпульсний первинний перемикач |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга стік-витік | 730 В (Tj 25–125 °C, абсолютний максимум) |
| Пробивна напруга стік-витік | 730 В (ID 1 мА, VFB 2 В, Tj 25 °C, мін.) |
| Rds(on) | 27 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, VDD 18 В, тип.) |
| Обмеження піків струму | 0,4 А (VFB 0 В, VDD 18 В, тип.) |
| Частота перемикання | 60 кГц |
| Напруга живлення VDD | 9–38 В |
| Поріг запуску VDD | 14,5 В (тип.) |
| Поріг вимкнення VDD | 8 В (тип.) |
| Типова потужність (SO-8) | 8 / 5 Вт (195–265 В AC / 85–265 В AC) |
| Робоча температура корпусу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer16L ( VIPer16LN ) оригінал, DIP7
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стік-витік Vdrain (макс.) | 800 В |
| Пробивна напруга BVdss | 800 В (мін.) при Idrain = 1 мА, Tj = 25 °C |
| Rds(on) при 25 °C | 20 Ом (тип.) / 24 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А |
| Rds(on) при 125 °C | 40 Ом (тип.) / 48 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А |
| Робоча частота | 60 кГц |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer20A ( VIPER20 ) , TO220-5
В наявності
94,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO220-5 |
| Напруга VDSS | 700 В при Id = 1 мА, Vcomp = 0 В |
| Струм ключа | 0,5 А |
| Rds(on) при 25 °C | 15,5 Ом (тип.) / 18 Ом (макс.) при Id = 0,4 А |
| Rds(on) при 100 °C | 32 Ом (макс.) при Id = 0,4 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 57 Вт при Tc = 25 °C |
| Частота перемикання | регулюється до 200 кГц |
Мікросхема VIPer22A оригінал ( заміна для AP8012 ), DIP8
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга BVdss | 730 В (мін.) при Id = 1 мА, Vfb = 2 В |
| Обмеження струму Idlim | 0,56 / 0,70 / 0,84 А (мін. / тип. / макс.) |
| Частота | 60 кГц (54 / 66 кГц мін. / макс.) при Tj = 0–100 °C |
| Напруга живлення VDD | 9–38 В |
| Поріг запуску VDD on | 14,5 В (тип.) |
| Тепловий опір перехід-середовище | 45 °C/Вт (макс.), плата FR4, 200 мм2 міді під виводами DRAIN |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer26L , so-16
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | off-line перетворювач, ШІМ + силова частина 800 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Пробивна напруга стік-витік | 800 В (ID 1 мА, VCOMP = GND, Tj 25 °C, мін.) |
| Rds(on) | 7 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, тип.; 14 Ом при Tj 125 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,7 А (ILIM −10 мкА, VCOMP 3,3 В, Tj 25 °C) |
| Частота перемикання (тип L) | 60 кГц (54–66 кГц) |
| Напруга обмеження VDD | 23,5 В (IDD 15 мА) |
| Типова потужність (адаптер) | 18 Вт (230 В AC); 10 Вт (85–265 В AC) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема VIPER27L оригінал, DIP7
В наявності
88,36 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга пробою силового ключа | 800 В (IDRAIN 1 мА, VFB = GND, Tj 25 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0.7 А (типове; діапазон 0,66–0,74 А) |
| Частота перетворення (тип L) | 60 кГц (діапазон 54–66 кГц; з частотним джиттером) |
| Напруга живлення VDD | 8.5–23.5 В (після включення) |
| Споживання в режимі очікування | менше 50 мВт (при 265 В AC) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
