Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MSG40T65FL оригінал, TO247
141,94 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MSG40T65FL – IGBT-транзистор MASPOWER з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,0–7,0 В (Ic = 600 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 94,5 нКл (Vcc = 520 В, Ic = 40 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1718 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc = 25 °C), 188 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Vf діода | 1,25 В тип. (Vge = 0 В, If = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| trr діода | 140 нс (Tvj = 25 °C, Vcc = 400 В, If = 40 А, diF/dt = 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
MSG40T65FL – IGBT-транзистор MASPOWER з антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces 650 В. Струм колектора Ic 80 А при Tc = 25 °C і 40 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,6 В (тип.), 2,05 В (макс.) при Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tc = 25 °C. Потужність розсіювання Pd 375 Вт при Tc = 25 °C (188 Вт при Tc = 100 °C), температура переходу до 175 °C. Заряд затвора Qg 94,5 нКл при Vcc = 520 В, Ic = 40 А, Vge = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1718 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Пряма напруга діода Vf 1,25 В (тип.) при If = 20 А, Tvj = 25 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і заряд затвора, щоб драйвер впорався з новою деталлю. Корпус і розпіновка мають збігатися. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- PFC і UPS
- Зварювальні апарати та індукційні плити
- Фотоелектричні інвертори
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40, Vce(sat) (тип.) 1,6 ≤ 1.3×1,6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vce(sat) у даташитах дано при різному струмі (50 А і 30 А); заряд затвора 121 нКл проти 94,5 нКл – перевірте драйвер | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×40, Vce(sat) (тип.) 1,65 ≤ 1.3×1,6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм вищий; Vce(sat) дано при Ic 75 А, заряд затвора 145 нКл проти 94,5 нКл – перевірте драйвер | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40, Vce(sat) (тип.) 1,55 ≤ 1.3×1,6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Драйвер: заряд затвора 335 нКл більш ніж удвічі більший за 94,5 нКл; це зворотно-провідний IGBT на 1200 В | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити MSG40T65FL?
У нашому каталозі в корпусі TO-247 є JT050N065WED і YGW75N65HP, обидва на 650 В з діодом. IHW40N120R3 теж проходить за струмом і напругою, але має заряд затвора більш ніж удвічі більший, тому перевірте драйвер. Порівняйте параметри з таблицею на сторінці.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором, а також вбудований діод між емітером і колектором.
Для яких схем підходить MSG40T65FL?
Для PFC і UPS, зварювальних апаратів, індукційних плит і фотоелектричних інверторів. Діод у корпусі антипаралельний, окремий діод для зворотного струму не потрібен.
Документація виробника: MSG40T65FL (MASPOWER).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.