Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Транзистор SW3205 ( SWP3205 ) , TO220

122,20 ₴

30 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

30 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SW3205 (SWP3205) – N-канальний польовий транзистор Samwin у корпусі TO-220. Напруга Vds 55 В, струм стоку Id 110 А при Tc 25 °C.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET
ВиробникSamwin
КорпусTO-220
Напруга Vds55 В (VGS 0 В, ID 250 мкА)
Струм стоку Id110 А (Tc 25 °C), 75 А (Tc 100 °C)
Rds(on)8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 59 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss3240 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Опис

SW3205 (SWP3205) – N-канальний польовий транзистор виробництва Samwin у корпусі TO-220. Напруга Vds – 55 В (VGS 0 В, ID 250 мкА). Струм стоку Id – 110 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 8 мОм (макс.) при VGS 10 В, ID 59 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 3240 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Код замовлення в документі – SWP3205, маркування – SW3205.

Підбираючи заміну, звірте тип каналу (N), корпус TO-220 і напругу Vds не нижче 55 В. Струм Id і опір Rds(on) порівнюйте за тих самих умов вимірювання. Відправка з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Пристрої з батарейним живленням: DC-DC перетворювачі, керування двигунами, ДБЖ, підсилювачі звуку
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
S60N12R канал N = N, Vds 60 ≥ 55, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 5.4 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити
STP80NF70 канал N = N, Vds 68 ≥ 55, Id(25 °C) 98 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 8.2 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити
TTP95N68A канал N = N, Vds 68 ≥ 55, Id(25 °C) 95 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 7.5 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити
PDP8974 канал N = N, Vds 80 ≥ 55, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 3.2 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити
NCE82H140 канал N = N, Vds 82 ≥ 55, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 4.3 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити
IRFB3206 канал N = N, Vds 60 ≥ 55, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 3 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити
NCEP85T16 канал N = N, Vds 85 ≥ 55, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 3.1 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 55, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×110=88, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×8=10.4 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Перед заміною порівняйте параметри в datasheet за тих самих умов. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити SW3205?

Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не нижче 55 В. Id при Tc 25 °C і Rds(on) при VGS 10 В порівнюйте з цифрами цієї деталі за тих самих умов. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів на сторінці.

Чи SW3205 і SWP3205 – це одна деталь?

Так. SWP3205 – код замовлення, SW3205 – маркування на корпусі.

Для яких схем підходить SW3205?

Для пристроїв з батарейним живленням: DC-DC перетворювачів, керування двигунами, ДБЖ, підсилювачів звуку.

Який струм витримує SW3205 при нагріві корпусу?

Id – 110 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C.

Datasheet

Документація виробника: SW3205 (Samwin).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SW3205 (Samwin) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.