Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP80NF70 ( 80NF70 ) оригінал(заміна для STP80NF06 ), TO220
94,00 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
14 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP80NF70 (80NF70) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії STripFET II у корпусі TO-220. Оригінал. STP80NF70 може замінити STP80NF06.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 98 А (TC 25 °C); 68 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 392 А |
| Rds(on) | 8,2 мОм, макс. 9,8 мОм (VGS 10 В, ID 40 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDD 34 В, ID 80 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | від –55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
STP80NF70 – N-канальний силовий MOSFET STripFET II виробництва STMicroelectronics, корпус TO-220. Напруга стік–витік Vds – 68 В (VGS = 0), струм стоку Id – 98 А при TC 25 °C і 68 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 8,2 мОм, максимум 9,8 мОм (VGS 10 В, ID 40 А, TC 25 °C). Потужність розсіювання – 190 Вт (TC 25 °C), заряд затвора Qg – 75 нКл (VDD 34 В, ID 80 А, VGS 10 В), максимальна напруга затвор–витік – ±20 В. Робоча температура переходу – від –55 до 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. STP80NF70 може замінити STP80NF06, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору заміни самої STP80NF70 дивіться на канал (N), Vds не нижче 68 В, струм Id, опір Rds(on) при VGS 10 В і той самий корпус TO-220 з розпіновкою.
Де застосовують
- Ключові схеми з високим ККД (Switching applications)
- Мінімізована вхідна ємність і заряд затвора
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| TTP95N68A | канал N = N, Vds 68 ≥ 68, Id(25 °C) 95 ≥ 0.8×98 = 78.4, Rds(on) при VGS 10 В макс. 7.5 ≤ 1.3×8.2 = 10.7 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку G, D, S. | Купити |
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×98 = 78.4, Rds(on) при VGS 10 В 3.2 ≤ 1.3×8.2 = 10.7 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 88 нКл проти 75 нКл; перевірте розпіновку G, D, S. | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×98 = 78.4, Rds(on) при VGS 10 В макс. 8 ≤ 1.3×8.2 = 10.7 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку G, D, S. | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 68, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×98 = 78.4, Rds(on) при VGS 10 В макс. 4.3 ≤ 1.3×8.2 = 10.7 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Драйвер: Qg 158 нКл більш ніж удвічі вище, ніж 75 нКл у STP80NF70 – перевірте, чи впорається драйвер затвора. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×98 = 78.4, Rds(on) при VGS 10 В 3.1 ≤ 1.3×8.2 = 10.7 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 105 нКл проти 75 нКл; перевірте розпіновку G, D, S. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити STP80NF70?
Підходить N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 68 В, достатнім струмом Id і не більшим Rds(on) при VGS 10 В. У каталозі є кілька таких деталей, див. таблицю аналогів.
Чи можна поставити STP80NF70 замість STP80NF06?
STP80NF70 може замінити STP80NF06. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга керування потрібна?
Rds(on) 8,2 мОм наведено при VGS 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В, тип. 3 В (ID 250 мкА); максимум Vgs – ±20 В.
Документація виробника: STP80NF70 Doc ID 17610 Rev 1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.