Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BGN40T65HD ( 40T65HD ) оригінал, TO247
345,92 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BGN40T65HD (маркування 40T65HD) – IGBT-транзистор на 650 В з вбудованим діодом у корпусі TO247-3. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) | 1.85 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312.5 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
BGN40T65HD – IGBT-транзистор з маркуванням 40T65HD у корпусі TO247-3. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 160 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В (тип., макс. 2.2 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 312.5 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Усередині корпусу є антипаралельний м'який швидкий діод; його пряма напруга Vf – 1.9 В (тип.) при If 40 А, Tj 25 °C, час зворотного відновлення trr – 55 нс.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat) і наявність діода в корпусі; корпус має бути TO247-3 з тією ж розпіновкою. Заряд затвора Qg – 238 нКл (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В: якщо в заміни він набагато більший, перевірте драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Зварювання
- Промислові джерела живлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO247-3 | Заряд затвора Qg 121 нКл проти 238 нКл у BGN40T65HD, драйвер затвора перевірте. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO247-3 | Qg 335 нКл більший, ніж 238 нКл у BGN40T65HD: драйвер затвора перевірте. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO247-3 | Струм Ic 75 А при 100 °C значно більший; Qg 145 нКл. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити BGN40T65HD?
Шукайте IGBT з напругою Vces не нижче 650 В, достатнім струмом Ic при 100 °C, порівнянною Vce(sat) і діодом у корпусі TO247-3. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в цьому IGBT вбудований діод?
Так, антипаралельний м'який швидкий діод: If 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C.
Для яких схем підходить BGN40T65HD?
За даними документа – ДБЖ (UPS), корекція коефіцієнта потужності (PFC), зварювання, промислові джерела живлення.
Документація виробника: BGN40T65HD.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.