Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N60F2DS ( 40N60F2DS ) оригінал, TO-3P
164,50 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN40N60F2DS (40N60F2DS) – N-канальний IGBT Field Stop Trench TRinno у корпусі TO-3P зі вбудованим діодом, для ДБЖ, зварювальних апаратів та інверторів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C, 40 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) | 2.3 В (тип.), 2.9 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 115 нКл (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2635 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 236 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
TGAN40N60F2DS (маркування 40N60F2DS) – N-канальний IGBT Field Stop Trench виробництва TRinno у корпусі TO-3P. За даташитом напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 120 А. Vce(sat) – 2.3 В типово і 2.9 В максимум при Vge 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C (2.4 В типово при Tc 150 °C). Потужність розсіювання – 236 Вт при Tc 25 °C (94 Вт при Tc 100 °C), максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 115 нКл типово при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2635 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Вбудований діод: Vfm 1.70 В при 25 °C і 1.44 В при 150 °C при If 20 А, trr 60 нс при 25 °C і 150 нс при 150 °C. Час спаду tf – 50 нс типово при Vcc 400 В, Ic 40 А, Rg 5 Ом, Tc 25 °C. Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- Зварювальні апарати
- Інвертори
- Сонячні перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G80N60UFD | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 2.1 ≤ 1.3×2.3=2.99, діод є в обох, корпус TO-3P = TO-3P | деталь демонтаж б/в; Qg 175 нКл проти 115 нКл, перевірте драйвер затвора | Купити |
| MGF65A4R | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×2.3=2.99, діод є в обох, корпус TO-3P = TO-3P | деталь демонтаж б/в | Купити |
| MGF65A4H | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.9 ≤ 1.3×2.3=2.99, діод є в обох, корпус TO-3P = TO-3P | деталь демонтаж б/в | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити TGAN40N60F2DS?
У нас є IGBT у корпусі TO-3P, що відповідають за Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і наявністю діода: G80N60UFD, MGF65A4R, MGF65A4H. Це деталі демонтаж б/в, звіряйте з даташитом.
Який струм витримує TGAN40N60F2DS?
80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 120 А.
Чи є вбудований діод?
Так, Vfm 1.70 В при 25 °C і If 20 А.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: TGAN40N60F2DS (TRinno).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.