Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Транзистор 30N60FL ( NGTB30N60FLWG , 30N60FL2 , NGTB30N60FL2WG ), TO247
216,20 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
30N60FL (NGTB30N60FLWG) – IGBT-транзистор onsemi з антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Підходить для сонячних інверторів і джерел безперебійного живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, IC 30 А, TJ 25 °C) | 1.65 В |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4200 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
30N60FL – IGBT-транзистор onsemi з антипаралельним діодом в одному корпусі TO-247. Повний номер за даташитом – NGTB30N60FLWG, у назві також 30N60FL2 та NGTB30N60FL2WG. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 30 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.65 В (VGE 15 В, IC 30 А, TJ 25 °C; typ.), при TJ 150 °C – 2.0 В. Заряд затвора Qg – 170 нКл (VCE 480 В, IC 30 А, VGE 15 В). Вхідна ємність Cies типово 4200 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 250 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод вбудований, з м’яким швидким відновленням: Vf 1.9 В (IF 30 А, TJ 25 °C), trr 72 нс (IF 30 А, VR 200 В, diF/dt 200 А/мкс).
Нова деталь, не демонтаж. Виробник зняв цей IGBT з виробництва, тому наявна деталь може бути вигідною для ремонту. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-247, напругу не нижче 600 В і струм при 100 °C, а також порівняйте заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600; Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 1.7 В (IC 40 А) ≤ 1.3×1.65; діод є; корпус TO-247 | перевірте заряд затвора і драйвер | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600; Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 1.37 В (IC 40 А) ≤ 1.3×1.65; діод є; корпус TO-247 | прямий спад діода вищий, ніж у 30N60FL; перевірте драйвер | Купити |
| 45N60S1 | Vces 600 ≥ 600; Ic(100 °C) 45 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 2.00 В (IC 45 А) ≤ 1.3×1.65; діод є; корпус TO-247 | перевірте драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Чим замінити 30N60FL?
У каталозі є IGBT у корпусі TO-247 з тією ж напругою 600 В і не гіршим струмом при 100 °C: NCE40TD60BT, RJH60F5, 45N60S1. Порівняйте заряд затвора і діод зі своєю схемою.
Чи можна ставити 30N60FL2 замість 30N60FL?
Номер 30N60FL2 названо в назві товару як відповідник, але параметри в описі взято з даташиту NGTB30N60FLWG. Для іншої ревізії серії перевіряйте її даташит.
Як перевірити IGBT мультиметром?
У режимі прозвонки діода перевірте діод між колектором і емітером, а також відсутність пробою між затвором, колектором і емітером. Повну перевірку робіть у схемі під навантаженням.
Документація виробника: NGTB30N60FLWG (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.