Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор Infineon K40H603 оригінал ( IKW40N60H3 ) , TO247

291,40 ₴

4 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

4 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

K40H603 (IKW40N60H3) – IGBT-транзистор Infineon із антипаралельним діодом в корпусі TO247 для джерел безперебійного живлення і зварювальних перетворювачів. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT N-канал з антипаралельним діодом (H3, Trench + Field Stop)
Напруга Vce600 В (Tvj = 25 °C)
Струм Ic80 А (TC = 25 °C), 40 А (TC = 100 °C)
Vce(sat)1.95 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Заряд затвора Qg223 нКл
Вхідна ємність Cies2190 пФ
Час спаду tf21 нс
Eoff0.58 мДж
Vf діода1.65 В (IF = 20 А)
trr діода124 нс
Потужність306 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

K40H603 (IKW40N60H3) – N-канальний IGBT Infineon серії H3 (Trench + Field Stop) із м'яким швидким антипаралельним діодом, корпус PG-TO247-3. Напруга колектор–емітер Vce – 600 В при Tvj = 25 °C. Постійний струм колектора Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.95 В при VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C (максимум 2.40 В). Заряд затвора Qg – 223 нКл при VCC = 480 В, IC = 40 А, VGE = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2190 пФ. Час спаду tf – 21 нс, енергія вимкнення Eoff – 0.58 мДж при Tvj = 25 °C, VCC = 400 В, IC = 40 А, VGE = 0/15 В, rG = 7.9 Ом. Діод: Vf – 1.65 В при IF = 20 А, trr – 124 нс при VR = 400 В, IF = 20 А, diF/dt = 1000 А/мкс. Потужність розсіювання – 306 Вт при TC = 25 °C.

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vce, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg і наявність діода. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Джерела безперебійного живлення.
  • Зварювальні перетворювачі.
  • Перетворювачі з високою частотою перемикання.
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (макс.) 1.8 ≤ 1.3×1.95 = 2.54, діод є в обох, корпус TO-247 Демонтаж б/в; перевірте драйвер затвора. Купити
IRGP4068D-E Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (макс.) 2.14 ≤ 1.3×1.95 = 2.54, діод є в обох, корпус TO-247 Демонтаж б/в; інша серія. Купити
JT050N065WED Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (макс.) 2.2 ≤ 1.3×1.95 = 2.54, діод є в обох, корпус TO-247 Trench FS; перевірте драйвер затвора. Купити
YGW75N65HP Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (макс.) 2.1 ≤ 1.3×1.95 = 2.54, діод є в обох, корпус TO-247 Trench Field Stop; перевірте драйвер затвора. Купити
IHW40N120R3 Vces 1200 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (макс.) 1.75 ≤ 1.3×1.95 = 2.54, діод є в обох, корпус TO-247 Reverse Conducting IGBT; перевірте драйвер і режим роботи. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити K40H603?

Шукайте IGBT в TO247 з Vce не нижче 600 В, антипаралельним діодом і Ic при 100 °C, близьким до 40 А. Варіанти з нашого каталогу є в таблиці аналогів, заряд затвора Qg і драйвер перевіряйте окремо.

Що означає IKW40N60H3 у назві?

Це повний номер Infineon, а K40H603 – маркування на корпусі. Документ виробника для IKW40N60H3 підтверджує це маркування.

Чи є в IGBT вбудований діод?

Так, антипаралельний діод, м'який і швидкий. Vf діода – 1.65 В при IF = 20 А, Tvj = 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: IKW40N60H3 (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IKW40N60H3 (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.