Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW15N120F1 оригінал, TO247
345,92 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
YGW15N120F1 – IGBT-транзистор з вбудованим діодом у корпусі TO-247, оригінал. Використовують в індукційному нагріванні та інверторних мікрохвильових печах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при 100 °C | 15 А |
| Vce(sat) типово | 1.9 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 260 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1520 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
YGW15N120F1 – N-канальний IGBT-транзистор типу Trench Field Stop з антипаралельним діодом, корпус TO-247. Напруга колектор–емітер 1200 В. Струм колектора 30 А при 25 °C і 15 А при 100 °C. Типова напруга насичення Vce(sat) 1.9 В при Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C. Розсіювана потужність 260 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Цифри наведено за даташитом найближчої деталі YGW15N120F1A (luxin-semi). Вхідна ємність Cies типово 1520 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Стан товару – оригінал. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat) і наявність вбудованого діода, а також корпус і розпіновку. У нашому каталозі є IGBT, що проходять ці умови: IRG4PH40UD, IHW25N120R2 та IHW40N120R3 (див. таблицю аналогів). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційне нагрівання, індукційні плити
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі та схеми м'якого перемикання
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRG4PH40UD | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 21 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 2.43 ≤ 1.3×1.9=2.47, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Є вбудований діод, як і в YGW15N120F1. Тип структури різний, перевірте драйвер затвора. | Купити |
| IHW25N120R2 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.9=2.47, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Є вбудований діод. Тип структури різний, перевірте драйвер затвора. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.9=2.47, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Є вбудований діод. Тип структури різний, перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити YGW15N120F1?
Підбирайте IGBT з Vces не менше 1200 В, Ic при 100 °C близьким до 15 А і Vce(sat) близьким до 1.9 В, з діодом у корпусі TO-247. У каталозі за цими умовами підходять IRG4PH40UD, IHW25N120R2 та IHW40N120R3. Перед установкою звірте даташити та умови драйвера затвора.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так, антипаралельний. Його струм If 30 А при 25 °C і 15 А при 100 °C, пряма напруга Vfm 2.3 В при If 15 А.
Де використовується YGW15N120F1?
В індукційному нагріванні, індукційних плитах, інверторних мікрохвильових печах і резонансних перетворювачах.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Найближчий datasheet: YGW15N120F1A (luxin-semi).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Запобіжник керамічний 5×20 мм 10A ( F10A ) з виводами
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Запобіжник керамічний швидкодіючий (F) |
| Номінальний струм | 10 А |
| Номінальна напруга | 250 В AC |
| Розривна здатність | 1500 А при 250 В AC |
| Опір холодного стану | 0.007 Ом при 100% In |
| Падіння напруги | 0.10 В (макс.) при 100% In |
| Плавлення I²t (<10 мс) | 227 А²с |
| Плавлення I²t (@10 In) | 238 А²с |
| Макс. розсіювана потужність | 3.7 Вт |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Розмір | 5×20 мм |
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.