Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G75T60AK3HD оригінал ( CRG75T60AK3HD ), TO247
195,05 ₴
34 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
34 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G75T60AK3HD (CRG75T60AK3HD) – оригінальний IGBT-транзистор Field Stop у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, для UPS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Технологія | Field Stop (FS) |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А |
| Vce(sat) типово | 1,7 В (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Qg | 433 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G75T60AK3HD (CRG75T60AK3HD) – IGBT-транзистор виробництва CRMICRO з технологією Field Stop (FS) у корпусі TO-247 з антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при Tj 25 °C. Струм колектора Ic – 150 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,7 В при Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 390 Вт при Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 433 нКл при Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В, тож драйвер має давати достатній струм заряду. Вхідна ємність Cies типово 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і наявність діода; корпус має бути TO-247. Окремо перевірте заряд затвора та швидкість комутації, якщо деталь працює на високій частоті. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- UPS
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×75 = 60, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.7 = 2.21, діод є в обох, корпус TO-247 | Перевірте заряд затвора та драйвер. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×75 = 60, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.7 = 2.21, діод є в обох, корпус TO-247 | Струм на межі правила; перевірте запас за струмом. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G75T60AK3HD?
У каталозі є YGW75N65HP і NCE60TD60BT – вони пройшли порівняння за Vces, Ic при 100 °C і Vce(sat), деталі в таблиці аналогів. Перевірте також драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує G75T60AK3HD?
150 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C. Для розрахунку навантаження беріть значення при 100 °C.
Чи є в цього IGBT діод?
Так, вбудований антипаралельний діод з прямою напругою Vf типово 1,8 В при If 75 А.
Документація виробника: CRG75T60AK3HD (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі |
| Rds(on) | 3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.