Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO247
188,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJH60F7 – IGBT-транзистор Renesas зі швидким діодом, 600 В, 50 А при 100 °C, корпус TO-247A. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 90 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,35 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 74 нс тип. (Ic 30 А, Vce 400 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Потужність Pc | 328,9 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJH60F7 – IGBT-транзистор Renesas зі структурою Trench Gate на тонкій пластині та вбудованим швидким діодом у корпусі TO-247A. Дані подано за документом на RJH60F7DPQ-A0. Напруга колектор–емітер Vces 600 В при Tc 25 °C. Струм колектора Ic 90 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,35 В при Ic 50 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Час спаду струму tf типово 74 нс при Ic 30 А, Vce 400 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом. Вхідна ємність Cies типово 4700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 328,9 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність швидкого діода і розпіновку корпусу.
Де застосовують
- Швидкі силові ключі (High Speed Power Switching)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.37 ≤ 1.3×1.35 = 1.76, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм при 100 °C на межі правила, запас невеликий. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.7 ≤ 1.3×1.35 = 1.76, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vce(sat) вищий, ніж у RJH60F7. | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.7 ≤ 1.3×1.35 = 1.76, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм при 100 °C на межі правила, Vce(sat) вищий. | Купити |
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.6 ≤ 1.3×1.35 = 1.76, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора. | Купити |
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 1.65 ≤ 1.3×1.35 = 1.76, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевірив її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити RJH60F7?
З нашого каталогу за параметрами підходять RJH60F5, NCE60TD60BT, NCE40TD60BT, JT050N065WED та IRGP4068D-E у корпусі TO-247. Дивіться таблицю аналогів.
Чи є у RJH60F7 вбудований діод?
Так, швидкий діод у тому самому корпусі. Пряма напруга Vf типово 1,2 В при If 20 А.
Який корпус у RJH60F7?
TO-247A, код Renesas PRSS0003ZH-A. У документі деталь названо RJH60F7DPQ-A0.
Документація виробника: RJH60F7DPQ-A0#T0 (RENESAS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.