Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GW30NC60KD ( STGW30NC60KD ) , TO247 оригінал демонтаж б/в, TO247
296,10 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GW30NC60KD (STGW30NC60KD) – IGBT-транзистор з вбудованим швидким діодом на 600 В у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 28 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,7 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,5–6,5 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultra fast), IF = 30 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GW30NC60KD (STGW30NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces 600 В (VGE = 0 В). Струм колектора Ic 60 А при Tc = 25 °C і 28 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 2,1 В типово, до 2,7 В максимум (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C). Заряд затвора Qg 96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В). Потужність розсіювання 200 Вт при Tc = 25 °C, температура переходу до 150 °C. Діод швидкий (ultra fast), IF = 30 А. Параметри наведені за datasheet STMicroelectronics.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус і розпіновку, напругу Vces, струм Ic при 100 °C та Vce(sat) за однакових умов вимірювання, а також заряд затвора Qg: якщо він більший, перевірте драйвер.
Де застосовують
- Високочастотні інвертори
- Приводи двигунів
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRG4PC50UD | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 27 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер: структури можуть відрізнятися, порівняйте Qg за datasheet. | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте заряд затвора Qg з datasheet. | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте заряд затвора Qg з datasheet. | Купити |
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×28 = 22.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×2.1 = 2.73, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте заряд затвора Qg з datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити GW30NC60KD?
Дивіться блок аналогів на сторінці: там наведені деталі з нашого каталогу, які пройшли порівняння за напругою Vces, струмом Ic при 100 °C та Vce(sat). Корпус TO-247 і наявність вбудованого діода мають збігатися.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, швидкий (ultra fast) діод, IF = 30 А. Пряма напруга Vf 2,6 В типово (IF = 20 А, Tc = 25 °C).
Як перевірити IGBT мультиметром?
Вимкніть його з плати. Перевірте, що між колектором і емітером немає короткого замикання в обох напрямках (вбудований діод поводиться як діод), а затвор ізольований від колектора й емітера.
Документація виробника: STGW30NC60KD Rev 2.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.