Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G60T60AK3HD оригінал ( CRG60T60AK3HD ), TO247(Заміна для G60T60AK3SD , CRG60T60AK3SD )
134,42 ₴
52 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
52 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор CRG60T60AK3HD (маркування на корпусі G60T60AK3HD) у корпусі TO-247, оригінал, з вбудованим зворотним діодом – для силових ключів у зварювальному обладнанні, сонячних інверторах і ДБЖ.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 403 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (60 А, 15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Робоча температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
CRG60T60AK3HD (маркування на корпусі G60T60AK3HD) – IGBT N-канал у корпусі TO-247 з вбудованим антипаралельним діодом, виробник CR Micro. За даташитом напруга колектор-емітер Vces – 650 В (Tc 25 °C), струм колектора Ic – 120 А при 25 °C і 60 А при 100 °C, розсіювана потужність Ptot – 403 Вт. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В (тип.) / 2.4 В (макс.) при струмі 60 А і напрузі затвора 15 В, порогова напруга затвора Vge(th) – 4.0–7.0 В (тип. 5.4 В). Заряд затвора Qg – 117 нКл, час спаду tf – 152 нс, енергія вимкнення Eoff – 1.39 мДж при 25 °C і 1.5 мДж при 125 °C. Вбудований діод витримує прямий струм до 120 А (25 °C) / 60 А (100 °C), пряма напруга Vf – 1.6 В (тип.), час зворотного відновлення trr – 57 нс. Робоча температура переходу Tj – від −40 до +150 °C.
У продажу – оригінал: новий транзистор, не знятий з плати, перевіряємо маркування на корпусі та цілісність виводів перед відправкою. Підбираючи заміну серед аналогів у категорії IGBT-транзистори, орієнтуйтесь на той самий корпус TO-247, напругу Vces не нижче 650 В, струм Ic при 100 °C не нижче 60 А і напругу насичення Vce(sat), порівнянну з 1.85–2.4 В – інакше при тому самому навантаженні зросте нагрів ключа.
Де застосовують
- Зварювальне обладнання (Welding)
- Сонячні інвертори (Solar Inverter)
- ДБЖ (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IKW50N65EH5 (K50EEH5) | той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100°C) 50 А ≥ 0.8×60=48 А, Vce(sat) 1.65/2.1 В порівнянне з 1.85/2.4 В, діод є | запас по струму нижчий – 50 А проти 60 А при 100 °C | Купити |
| KGF75N65KDF (75N65KDF) | той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100°C) 75 А ≥ 0.8×60=48 А, Vce(sat) 1.77–2.2 В порівнянне з 1.85/2.4 В, діод є (co-pack) | запас по струму більший – 75 А проти 60 А при 100 °C, trr діода виробником не вказано | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Які основні параметри CRG60T60AK3HD?
Vces 650 В (Tc 25 °C), Ic 120 А при 25 °C і 60 А при 100 °C, Ptot 403 Вт, Vce(sat) 1.85 В (тип.) / 2.4 В (макс.) при 60 А і 15 В.
Чи є вбудований зворотний діод?
Так, антипаралельний, пряма напруга Vf 1.6 В (тип.) / 2.0 В (макс.) при 60 А, час зворотного відновлення trr 57 нс.
Для чого застосовують цей IGBT?
Зварювальне обладнання, сонячні інвертори, ДБЖ (UPS).
Оригінал чи демонтаж, як перевірити перед встановленням?
Постачається оригінал (за назвою товару), перевіряємо маркування і виводи перед відправкою. Перед монтажем варто протестувати мультиметром у режимі перевірки переходів колектор-емітер-затвор.
Документація виробника: CRG60T60AK3HD, 2022V01.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
P35NF65 ( SVSP35NF65P7D3 ) оригінальний транзистор, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 85 мОм тип. / 100 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 139 нКл тип. (Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID7S625 ( ID7S625SBC-R1 ) оригінал, SOIC-16(W)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Вихідний струм | 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 / 15 В |
| Захист | UVLO для обох каналів |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.