Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема L6386ED , so-14
117,50 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
L6386ED – мікросхема, драйвер верхнього і нижнього ключів (MOSFET/IGBT) на напругу верхньої шини 600 В, STMicroelectronics, SO-14.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-14 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-14 |
| Напруга верхньої шини | 600 В (плаваюча секція) |
| Макс. VBOOT | 618 В (абс. межа) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 18 В (абс. межа) |
| Поріг вмикання Vcc (UVLO) | 12 В (Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Поріг вимикання Vcc (UVLO) | 10 В (Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Вихідний струм (витікання) | 400 мА |
| Вихідний струм (втікання) | 650 мА |
| Час наростання | 50 нс (навантаження 1 нФ) |
| Час спаду | 30 нс (навантаження 1 нФ) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
L6386ED – драйвер верхнього і нижнього ключів (MOSFET/IGBT) виробництва STMicroelectronics у корпусі SO-14. Напруга верхньої шини – 600 В (плаваюча секція), абсолютна межа VBOOT – 618 В, напруга живлення Vcc – до 18 В (абсолютна межа). Вихідний струм: 400 мА (витікання) і 650 мА (втікання). Час наростання – 50 нс, час спаду – 30 нс при навантаженні 1 нФ. Затримка вмикання – 110 нс (макс. 150; Vcc 15 В, Tj 25 °C, Vout 0 В). Поріг вмикання Vcc – 12 В (мін. 11,5, макс. 12,5), поріг вимикання – 10 В (мін. 9,5, макс. 10,5), обидва при Vcc 15 В і Tj 25 °C.
У мікросхемі є вбудований завантажувальний діод, компаратор з опорою 0,5 В і вихід DIAG, вхід SD та контроль напруги живлення (UVLO) обох секцій. Стійкість до dV/dt – 50 В/нс у всьому діапазоні температур, максимальна температура переходу – 150 °C. Підбираючи заміну, дивіться на напругу верхньої шини, вихідні струми, пороги UVLO, той самий корпус SO-14 і розпіновку. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Побутова техніка, індукційний нагрів
- Приводи двигунів і промислові застосування
- Асиметричні напівмостові схеми, освітлення, джерела живлення
Чим замінити L6386ED?
Потрібен драйвер напівмоста з напругою верхньої шини не нижче 600 В, тими самими вихідними струмами, порогами UVLO, корпусом SO-14 і розпіновкою. Порівнюйте параметри за datasheet.
Що таке L6386E поруч з L6386ED?
L6386E – позначення в документі виробника. Він охоплює і L6386ED у корпусі SO-14.
Які ключі можна керувати?
Драйвер призначений для верхнього і нижнього ключів: MOSFET або IGBT.
Для чого вихід DIAG і вхід SD?
DIAG – вихід компаратора з опорою 0,5 В, SD – вхід вимкнення. Обидва описані в datasheet виробника.
Документація виробника: L6386E (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FMMT2222A ( MMBT2222 )(маркування 1P) , sot23
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 40 В |
| Напруга VCBO | 75 В |
| Напруга VEBO | 6 В |
| Струм колектора IC | 600 мА |
| Потужність Ptot | 330 мВт (Tamb 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| VCE(sat) | 0.3 В макс. (IC = 150 мА, IB = 15 мА) |
| hFE | 100–300 (IC = 150 мА, VCE = 10 В) |
| fT | 300 МГц мін. (IC = 20 мА, VCE = 20 В, f = 100 МГц) |
| Маркування | 1P |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Zetex Semiconductors |
Схожі товари
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.