Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор G40N60UFD ( SGH40N60UFD ) оригінал (заміна для FGA40N60UFD ) , TO3P

282,00 ₴

22 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

22 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

G40N60UFD (SGH40N60UFD) – оригінальний IGBT-транзистор зі швидким діодом у корпусі TO-3P. Може замінити FGA40N60UFD.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
КорпусTO-3P
Напруга Vces600 В (Tc 25 °C)
Напруга Vges±20 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm160 А
Потужність розсіювання Pd160 Вт (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)2,1 В тип., 2,6 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg97 нКл тип. (Vce 300 В, Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Вхідна ємність Cies1430 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє (CO-PAK), If 15 А (Tc 100 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал
Опис

G40N60UFD (SGH40N60UFD) – IGBT-транзистор N-канал виробництва Fairchild Semiconductor (onsemi) з вбудованим швидким діодом (CO-PAK), корпус TO-3P. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В, напруга затвор–емітер Vges – ±20 В, струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C. Імпульсний струм Icm – 160 А. Напруга насичення Vce(sat) – 2,1 В (тип.), 2,6 В (макс.) при Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 97 нКл (тип.) при Vce 300 В, Ic 20 А. Вхідна ємність Cies типово 1430 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 50 нс (тип.) при Tc 25 °C і 144 нс (тип.) при Tc 125 °C. Діод: If 15 А при Tc 100 °C, Vfm 1,4 В (тип.) при If 15 А, час відновлення trr 42 нс (тип.) при di/dt 200 А/мкс.

Оригінал, не демонтаж. G40N60UFD може замінити FGA40N60UFD, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для заміни самої деталі порівняйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), корпус і діод. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Керування двигунами змінного і постійного струму
  • Інвертори загального призначення
  • Робототехніка
  • Сервоприводи
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
G80N60UFD IGBT, TO-3P: Vces 600 ≥ 600; Ic(100 °C) 40 ≥ 20; Vce(sat) при Ic 40 А 2,1 В не вище, ніж 2,6 В у G40N60UFD; діод є в обох Заряд затвора Qg більший (при більшому струмі), перевірте драйвер Купити
MGF65A4H IGBT, TO-3P: Vces 650 ≥ 600; Ic(100 °C) 40 ≥ 20; Vce(sat) при Ic 40 А 1,9 В не вище, ніж 2,6 В у G40N60UFD; діод є в обох Структура Trench Field Stop, інша ніж у G40N60UFD: перевірте драйвер Купити
MGF65A4R IGBT, TO-3P: Vces 650 ≥ 600; Ic(100 °C) 40 ≥ 20; Vce(sat) при Ic 40 А 1,6 В не вище, ніж 2,6 В у G40N60UFD; діод є в обох Параметри MGF65A4R взято з даташиту найближчої деталі MGF65A4L; структура інша, перевірте драйвер Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити G40N60UFD?

У нашому каталозі за правилами підбору підходять G80N60UFD, MGF65A4H і MGF65A4R у корпусі TO-3P. У MGF65A4H і MGF65A4R інша структура (Field Stop), тому перевірте драйвер затвора.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи може G40N60UFD замінити FGA40N60UFD?

Так, G40N60UFD може замінити FGA40N60UFD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи є в G40N60UFD вбудований діод?

Так, у корпусі є швидкий діод (CO-PAK): If 15 А при Tc 100 °C, trr 42 нс (тип.) при If 15 А.

Datasheet

Документація виробника: SGH40N60UFDTU (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SGH40N60UFDTU (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1600 В
Струм колектора Ic60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.