Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PDP8974 ( DP8974 ) оригінал, TO220
237,82 ₴
61 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
61 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PDP8974 (DP8974) – N-канальний польовий транзистор Potens semiconductor у корпусі TO-220. Оригінал. Підходить для мережевого обладнання, ключів навантаження та швидких зарядних пристроїв.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (TC 25 °C); 76 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 480 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 3,2 мОм, макс. 3,9 мОм (VGS 10 В, ID 20 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при 4,5 В | 4,6 мОм, макс. 6,2 мОм (VGS 4,5 В, ID 10 А) |
| Vgs(th) | 1–2,5 В, тип. 1,6 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (VDS 64 В, VGS 10 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 184 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
PDP8974 – N-канальний MOSFET технології trench DMOS, режим збагачення, виробник Potens semiconductor. Напруга стік–витік Vds – 80 В (TC 25 °C), струм стоку Id – 120 А при TC 25 °C і 76 А при TC 100 °C, імпульсний струм Idm – 480 А (TC 25 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,2 мОм, максимум 3,9 мОм (VGS 10 В, ID 20 А, Tj 25 °C); при VGS 4,5 В – 4,6 мОм, максимум 6,2 мОм (ID 10 А). Потужність розсіювання – 184 Вт (TC 25 °C), заряд затвора Qg – 88 нКл (VDS 64 В, VGS 10 В, ID 10 А). Вхідна ємність Ciss типово 5160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Виводи G, D, S у корпусі TO-220.
Стан: оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за каналом (N), напругою Vds не нижче 80 В, струмом Id і опором Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, а також за корпусом і розпіновкою. Якщо у вас інший заряд затвора Qg, перевірте, чи впорається драйвер. У каталозі є схожа деталь NCEP85T16 – параметри порівняйте за таблицею аналогів.
Де застосовують
- Мережеве обладнання (Networking)
- Ключ навантаження (Load Switch)
- Світлодіодне освітлення (LED applications)
- Швидкі зарядні пристрої (Quick Charger)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120 = 96, Rds(on) при VGS 10 В 3,1 ≤ 1.3×3,2 = 4,16 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 105 нКл проти 88 нКл – не вдвічі більший, драйвер зазвичай не змінюється; перевірте розпіновку G, D, S. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити PDP8974?
Підходить N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 80 В, достатнім струмом Id і не більшим Rds(on) при VGS 10 В. У нашому каталозі такий варіант – NCEP85T16.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга керування потрібна?
Rds(on) 3,2 мОм наведено при VGS 10 В, а 4,6 мОм – при VGS 4,5 В. Порогова напруга Vgs(th) – від 1 до 2,5 В (ID 250 мкА). Максимум Vgs – +20 / –12 В.
Яка розпіновка PDP8974?
Корпус TO-220, виводи G (затвор), D (стік), S (витік).
Документація виробника: PDP8974 (Potens semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод MUR860F оригінал (600V,8A), TO220F-2pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Надшвидкий (ultrafast), одиночний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм Io | 8 А |
| Пряма напруга Vf | 1.27 В (тип.), 1.59 В (макс.) при If = 8 А, Ta = 25 °C |
| Ударний струм Ifsm | 110 А (8.3 мс, одна напівсинусоїда, JEDEC) |
| Час відновлення trr | 35 нс (макс.) при If = 0.5 А, Ir = 1 А |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C |
| Корпус | TO-220F (TO-220FAC) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.