Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Мікросхема IR2113S оригінал, so-16

155,10 ₴

29 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

29 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IR2113S – оригінальний драйвер верхнього та нижнього ключа для MOSFET і IGBT у корпусі SOIC-16 (wide body).

ПараметрЗначення
КорпусSOIC-16 (wide body)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
Канали2 незалежні (верхній і нижній)
Макс. напруга верхнього плеча (IR2113)600 В
Вихідний струм2 / 2 А
Напруга живлення VCC10–20 В
Затримка вмикання ton120 нс (typ)
Затримка вимикання toff94 нс (typ)
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал
Опис

IR2113S – мікросхема Infineon, драйвер MOSFET і IGBT з двома незалежними каналами: верхнього і нижнього плеча. Максимальна напруга верхнього плеча для IR2113 – 600 В (product summary), абсолютний максимум VB – 625 В відносно COM. Вихідний струм драйвера – 2 / 2 А (IO+/IO-). Напруга живлення VCC нижнього плеча – 10–20 В (рекомендовані умови), логіка VDD працює від VSS+3 до VSS+20 В, входи сумісні з CMOS і LSTTL, у тому числі з логікою 3,3 В. Затримка вмикання – 120 нс (typ, max 150 нс), вимикання – 94 нс (typ, max 125 нс), розбіжність затримок каналів – до 20 нс (max).

Деталь оригінальна, корпус SOIC-16 (wide body). Розсіювана потужність у цьому корпусі – 1,25 Вт (абс. макс.), тепловий опір перехід–середовище – 100 °C/Вт, температура переходу – до 150 °C (абс. макс.). Щоб підібрати заміну, дивіться на корпус і розпіновку: за даними виробника прямі заміни – IR2110S, IR2110, IR2113, IR2113-1, IR2113-2.

Де застосовують

  • Драйвер MOSFET і IGBT з незалежними вихідними каналами верхнього і нижнього плеча.
  • Верхній канал плаваючий і працює до +500 В або +600 В (IR2113 – до 600 В).
  • Логічні входи сумісні з CMOS і LSTTL, до 3,3 В.
Часто питають
Чим замінити IR2113S?

За даними виробника, прямі заміни – IR2110S, IR2110, IR2113, IR2113-1, IR2113-2. Перед заміною перевірте корпус і розпіновку.

Яка напруга живлення потрібна?

VCC нижнього плеча – 10–20 В за рекомендованими умовами, логіка VDD – від VSS+3 до VSS+20 В.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який вихідний струм драйвера?

2 / 2 А (IO+/IO-). Імпульсний струм короткого замикання виходу – 2,5 А (typ, min 2,0 А).

Datasheet

Документація виробника: IR2113STRPBF (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IR2113STRPBF (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Транзистор G40T60AK3SD ( CRG40T60AK3SD ) оригінал, TO247

В наявності

250,04 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT n-канал з діодом (Field Stop Trench)
ВиробникCRMICRO
Напруга Vces650 В
Струм Ic при 25 °C80 А
Струм Ic при 100 °C40 А
VCE(sat) тип.1,7 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C)
Заряд затвора Qg165 нКл
Вхідна ємність Cies2758 пФ (Vce 30 В)
Pd при 25 °C336 Вт
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)20 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)13 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А)0,25 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs±30 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)42 Вт
Заряд затвора Qg82 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4530 пФ (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2,5…4,5 В
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Схожі товари

Мікросхема ACT108W-600E ( 108W6E ) оригінал, sot223

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
Vdrm600 В (max)
IT(RMS)0,8 А (повна синусоїда, Tsp ≤ 112 °C)
ITSM8,8 А (Tj(init) = 25 °C, tp = 16,7 мс)
IGT1–10 мА (VD = 12 В, IT = 100 мА, Tj = 25 °C)
dV/dt1000 В/мкс (min, VDM = 402 В, Tj = 125 °C)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусSOT-223
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16

В наявності

160,27 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
ПризначенняІзольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів
Піковий струм source4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Піковий струм sink6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Напруга VDDA, VDDB9,4–25 В (версія NSI6602B)
Напруга VDDI3–5,5 В
Затримка поширення25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В)
Напруга ізоляції5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577
CMTI150 кВ/мкс (типово)
Температура–40…125 °C
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5