Транзистори
Транзистор BD680A (p-n-p)
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP Darlington |
| Напруга Vceo | 80 В (Ic 50 мА, VCEO(sus)) |
| Напруга Vcbo | 80 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 6 А |
| Потужність Ptot | 40 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) макс. | 2.8 В (Ic 2 А, Ib 40 мА, Tcase 25 °C) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD911 (n-p-n,100V,15A,90W) , TO220
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Потужність Ptot | 90 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE мін. | 40 (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| fT мін. | 3 МГц (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) макс. | 1 В (Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BD912 оригінал (p-n-p,100V,15A,90W) , TO220
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Потужність Ptot | 90 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE | від 40 (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| fT | від 3 МГц (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | не більше 1 В (Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BDW94C (p-n-p 100V,12A,80W,составний) , TO220 ( 2N6491 )
В наявності
30,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP Darlington |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 12 А (постійний), 15 А (імпульсний) |
| Потужність Ptot | 80 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE | від 1000 (Ic 3 А, Vce 3 В) |
| Vce(sat) | не більше 2 В (Ic 5 А, Ib 20 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BDX53C
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Darlington |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний), 12 А (імпульсний) |
| Потужність Ptot | 60 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | від 750 (Ic 3 А, Vce 3 В) |
| Vce(sat) | не більше 2 В (Ic 3 А, Ib 12 мА) |
| Vf діода | 1.8 В тип. (If 3 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BF421 , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | -300 В |
| Напруга Vcbo | -300 В |
| Струм Ic | -50 мА (DC), імпульсний -100 мА |
| hFE | 50–300 (VCE -20 В, IC -25 мА, Ta 25 °C) |
| Vce(sat) | -0.6 В макс. (IC -30 мА, IB -5 мА, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Частота fT | 60 МГц мін. (VCE -10 В, IC -10 мА, Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BFR93A , sot23
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 12 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 20 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 300 мВт (Ts ≤ 111 °C) |
| hFE | 70–140 (Ic 30 мА, Vce 8 В) |
| fT | 6 ГГц (Ic 30 мА, Vce 8 В, f 500 МГц) |
| NFmin | 1,5 дБ (Ic 5 мА, Vce 8 В, f 900 МГц) |
| Виробник | Infineon |
Транзистор BGN40T65HD ( 40T65HD ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) | 1.85 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312.5 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BR13N50 оригінал (заміна для SFP13N50C , SFP13N50 ), TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Foshan Blue Rocket Elec |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (TC = 25 °C); 8 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.48 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 195 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BS170 , to92
В наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (TA = 25 °C) | 500 мА |
| Струм Id імпульсний (TA = 25 °C) | 1200 мА |
| Rds(on) (макс., VGS = 10 В, ID = 200 мА) | 5 Ом |
| Vgs(th) | 0,8–3 В |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 830 мВт |
| Вхідна ємність Ciss | 24 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BSH103 , sot23
В наявності
14,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, збагачення (enhancement) |
| Напруга Vds | 30 В (макс., DC) |
| Струм стоку Id (DC) | 0.85 А (Ts = 80 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 3.4 А |
| Опір Rds(on) | 0.5 Ом макс. (Vgs = 2.5 В; Id = 0.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.4 В мін. (Vds = Vgs; Id = 1 мА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±8 В (макс., DC) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0.5 Вт (Ts = 80 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 83 пФ (Vds 24 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BSR52 (SR52) 80V,1A,0.83W , to92
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Darlington |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vces | 80 В (VBE = 0) |
| Напруга Vcbo | 90 В (емітер розімкнений) |
| Струм Ic | 1 А (DC), імпульсний 2 А |
| hFE | 1000 мін. (VCE 10 В, IC 150 мА); 2000 мін. (VCE 10 В, IC 500 мА) |
| Vce(sat) | 1.3 В макс. (IC 0,5 А, IB 0,5 мА) |
| Потужність Ptot | 0.83 Вт (Tamb 25 °C, плата FR4) |
| Частота fT | 200 МГц тип. (IC 500 мА, VCE 5 В, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Демонтаж
Транзистор BT60N60 ( BT60N60ANF ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Vce(sat) | 2.2 В typ (макс. 2.9; Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Vge(th) | 5.0 В typ (Ic 1 мА, Vce = Vge) |
| Qg | 150 нКл typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2890 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 1.13 мДж typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| tf | 45 нс typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| Діод | антипаралельний; Vf 1.8 В typ (If 30 А); trr 90 нс typ (If 20 А) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор BT60T60 ( BT60T60ANFK ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.85 В typ, макс. 2.4 В (IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 117 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3398 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 403 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BTS113A оригінал, D2PAK
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Категорія | Польові транзистори |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BU1508AX (1500V,8A,35W)
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (база розімкнена) |
| Струм Ic | 8 А (DC), імпульсний 15 А |
| hFE | 4.0–7.0, тип. 5.5 (IC 4,5 А, VCE 1 В, Ths 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,1 А) |
| Час спаду tf | 0.4 мкс тип., 0.6 мкс макс. |
| Потужність Ptot | 35 Вт (Ths 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 В RMS (f 50–60 Гц) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор BU2506DF
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим демпферним діодом |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic | 5 А (DC; імпульсний 8 А) |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT199 |
Транзистор BU2508AX
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Ths 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 15 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT399 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Демонтаж
Транзистор BU2520DX оригінал демонтаж ( Заміна для BU2515DX , S2055N )
В наявності
133,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим демпферним діодом |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic | 10 А (DC; імпульсний 25 А) |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU2525AX оригінал ( Заміна для S2000AF, BU2523AX )
В наявності
91,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (Vbe = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Струм колектора Ic | 12 А (DC) |
| Струм колектора, імпульс Icm | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BU2527AX оригінал демонтаж ( Заміна для 2SC6074 )
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (Vbe = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Струм Ic | 12 А |
| Струм Icm (імпульс) | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Th ≤ 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) | 5 В (Ic = 6 А; Ib = 1,2 А макс.) |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU2527DX оригінал
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1500 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic (DC) | 12 А |
| Струм колектора піковий Icm | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic = 8.0 А; Ib = 1.6 А) |
| Час розсмоктування ts | 1.7 мкс тип. / 2.0 мкс макс. (Icsat = 6.0 А; f = 64 кГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Ізоляція Visol | 2500 В |
| Вбудований демпферний діод | так |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BU2720DX оригінал демонтаж (заміна для 2SD5036 , 3DD5036 )
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1700 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 825 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic (DC) | 10 А |
| Струм колектора піковий Icm | 25 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (Ic = 5.5 А; Ib = 1.38 А) |
| Час розсмоктування ts | 7.4 мкс тип. / 8.5 мкс макс. (Icsat = 5.5 А; f = 16 кГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Ізоляція Visol | 2500 В |
| ESD (HBM, 250 пФ, 1.5 кОм) | 10 кВ |
| Вбудований демпферний діод | так |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU406 , TO220 ( MX362-0 )
В наявності
15,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Vceo (sus) | 200 В (Ic = 100 мА; Ib = 0) |
| Vcev | 400 В |
| Vcbo | 400 В |
| Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 7 А |
| Струм колектора піковий | 15 А (10 мс) |
| Струм бази Ib | 4 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 0.5 А) |
| Vbe(sat) | 1.2 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 0.5 А) |
| fT | 10 МГц мін. (Ic = 0.5 А; Vce = 10 В; f = 20 МГц) |
| Cob | 80 пФ тип. (Vcb = 10 В; f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (Case 221A) |
| Tj (перехід) і Tstg (зберігання) | -65…150 °C |
Транзистор BU4507AF
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vceo | 800 В (відкрита база) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (пік, VBE = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Ths ≤ 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (IC = 4 А, IB = 1 А; Ths 25 °C) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (між виводами і радіатором) |
| Корпус | SOT199 |
Транзистор BU4525AX оригінал
В наявності
150,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (Vbe = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Струм Ic (DC) | 12 А |
| Струм Icm (імпульс) | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) | 3.0 В (Ic = 9,0 А; Ib = 2,25 А макс.) |
| hFE | 5.8 (4,2–7,6) при Ic = 9,0 А; Vce = 5 В |
| Visol | 2500 В (макс.) |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUH1015HI оригінал (1500V,14A,70W) ( BUH515 )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 700 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 10 В |
| Струм колектора Ic | 14 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 18 А при tp < 5 мс |
| Потужність розсіювання Ptot | 70 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.8 °C/Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В при Ic 10 А, Ib 2 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 7–14 при Ic 10 А, Vce 5 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUK138-50DL ( BUK138 ) оригінал, DPAK
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP, тепер Nexperia) |
| Тип каналу | N, логічний рівень входу 5 В |
| Напруга Vds | 50 В |
| Струм стоку Id | 8 А (VIS = 5 В; Tmb = 110 °C) |
| Опір Rds(on) | 100 мОм макс. (Quick reference) |
| Розсіювана потужність Pd | 40 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BUK444-200A (200V, 4.7A , 25W , 0.5R) , TO220F демонтаж ( BUK444-200B , PHF9NQ20T )
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (Ths = 25 °C) | 5,3 А (200A), 4,7 А (200B) |
| Струм Id (Ths = 100 °C) | 3,3 А (200A), 3,0 А (200B) |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) | 0,4 Ом (200A, макс.), 0,5 Ом (200B) |
| Vgs(th) | 2,1–4,0 В |
| Потужність Pd (Ths = 25 °C) | 25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 1500 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор BUK7608-55 ( BUK7608-55A , BUK7608 ) оригінал, TO263
В наявності
213,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, TrenchMOS, standard level |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм стоку Id | 75 А (Vgs = 10 В; Tmb = 25 °C; обмежений корпусом) |
| Rds(on) тип. | 6,8 мОм (Vgs = 10 В; Id = 25 А; Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 8 мОм (Vgs = 10 В; Id = 25 А; Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 254 Вт (Tmb = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3264 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUK7635-55A ( BUK7635 ) оригінал, TO263
В наявності
76,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, TrenchMOS, standard level |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм стоку Id | 35 А (Vgs = 10 В; Tmb = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 25 А (Vgs = 10 В; Tmb = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 30 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 35 мОм (Vgs = 10 В; Id = 20 А; Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 85 Вт (Tmb = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Кваліфікація | AEC-Q101 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BUK9508-55 ( BUK9508 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В |
| Rds(on) | 8 мОм макс. (Tj 25 °C; VGS 5 В; Id 25 А) |
| Потужність Ptot | 253 Вт (Tmb 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4551 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал, logic level, TrenchMOS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BUT11AX , TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vceo | 450 В (відкрита база) |
| Напруга Vcesm | 1000 В (пік, VBE = 0) |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний, Ths ≤ 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 10 А |
| Потужність Ptot | 32 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 2,5 А, IB = 0,5 А; Ths 25 °C) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (ефективна, f = 50–60 Гц) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220F (SOT186A, повністю ізольований) |
Транзистор BUV48A , TO-3P оригінал
В наявності
159,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Біполярний транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUV48C , TO-3P оригінал
В наявності
159,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1200 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора | 30 А (tp < 5 мс) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC 6 А, IB 1,5 А) |
| Час спаду tf | 0,7 мкс макс. |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUZ77A
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Siemens |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА, Tj = 25 °C) |
| Струм Id | 2,7 А (TC = 31 °C) |
| Струм імпульсний | 11 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 4 Ом макс., типово 3,5 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,7 А) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В (VGS = VDS, ID = 1 мА) |
| Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 460 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
Транзистор BUZ90A оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Siemens |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 4 А (TC 30 °C, постійний) |
| Rds(on) | 1,7 Ом тип., 2 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,8 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUZ90AF (600V,4A),TO220F
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc = 30 °C) | 4 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) (Vgs = 10 В, Id = 2.8 А) | 2 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) (Vgs = Vds, Id = 1 мА) | 2.1–4 В |
| Вхідна ємність Ciss (Vds = 25 В) | 780 пФ (тип.) |
| Вихідна ємність Coss (Vds = 25 В) | 110 пФ (тип.) |
| Прохідна ємність Crss (Vds = 25 В) | 40 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Виводи | G, D, S (1, 2, 3) |
| Діапазон температур | -55…+150 °C |
Транзистор CEP83A3 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Cmos |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 4,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А); 7 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2,5 В (тип. 1,7 В) |
| Qg | 37 нКл тип. (VGS = 5 В, VDS = 15 В, ID = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |