Транзистори
Транзистор 2SD5024 (3DD5024) , TO220F
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icm | 16 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 4 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10 мін. (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC 4,5 А, IB 0,9 А) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SD5071
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм колектора Ic | 3,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icm | 10 А |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 8,0 В макс. (IC 2,5 А, IB 0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC 2,5 А, IB 0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC 0,5 А, VCE 5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC 0,5 А, VCE 10 В) |
| Корпус | TO-3PML |
Демонтаж
Транзистор 2SD5072 оригінал демонтаж
В наявності
53,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм Ic | 5 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Icm | 16 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC=1 А, VCE=5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC=1 А, VCE=10 В) |
| VF діода | 2,0 В макс. (IF=5 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD5076 оригінал
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм Ic | 5 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Icm | 16 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC=1 А, VCE=5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC=1 А, VCE=10 В) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD5702 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий, з демпферним діодом |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (безперервний) |
| Імпульсний струм Icm | 16 А |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц (Ic 1 А, Vce 10 В) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD667 ( 2SD667A )
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | JSCJ |
| Напруга Vceo | 80 В (2SD667), 100 В (2SD667A), Ta 25 °C |
| Напруга Vcbo | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 139 °C/Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–320 (VCE=5 В, IC=150 мА) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (IC=500 мА, IB=50 мА) |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SD718 ( D718 , KTD718 ) оригінал, TO-3P
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий потужний |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга Vceo | 120 В (мін., Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 120 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2.5 В (макс., Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| hFE | 55–160 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | 12 МГц (мін., Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD734
В наявності
23,03 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний кремнієвий |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 25 В |
| Напруга Vceo | 20 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 0.7 А (постійний), імпульсний Icp 1,5 А |
| Потужність Pd | 0.6 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | 60–560 (Vce 2 В, Ic 50 мА) |
| Гранична частота fT | 250 МГц (тип., Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Vce(sat) | 0.13 В (тип., Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Cob | 8 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SD882 ( D882 ) smd оригінал, sot89
В наявності
21,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-89 |
| Напруга Vcbo | 60 В при IE = 0 |
| Напруга Vceo | 30 В при IB = 0 |
| Напруга Vebo | 5 В при IC = 0 |
| Струм колектора Ic | 3 А, постійний |
| Імпульсний струм Icm | 6 А при tp < 5 мс |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Vce(sat) | 0.4 В макс. при Ic = 1 А, Ib = 50 мА |
| hFE | 100–300 при Ic = 100 мА, Vce = 2 В |
| Гранична частота fT | 100 МГц при Ic = 0,1 А, Vce = 10 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD882P (2SD882) , TO126
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, комплементарний до 2SB772 |
| Виробник | EVVOSEMI |
| Напруга Vceo | 30 В (мін., Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 40 В (мін., Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга Vebo | 6 В (мін., Ie 100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 3 А (постійний) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В (макс., Ic 2 А, Ib 0,2 А) |
| Vbe(sat) | 1.5 В (макс., Ic 2 А, Ib 0,2 А) |
| hFE | 160–320 (ранг P, Vce 2 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін., Vce 5 В, Ic 0,1 мА, f 10 МГц) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор 2SD947F ( D947F ) оригінал, TO126
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vcer | 40 В (RBE = 10 кОм) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 2 А (постійний) |
| Імпульсний струм | 3 А (Pw = 10 мс) |
| Потужність розсіювання Pc | 5 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | від 1000 (VCE = 3 В, IC = 0,5 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC/IB = 0,6 А/1,2 мА) |
| Виробник | ROHM |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD965 ( D965 ) , to92
В наявності
6,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий епітаксіальний |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vceo | 20 В |
| Напруга Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний); імпульсний Icp 8 А |
| Потужність розсіювання Pd | 0.75 Вт при Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 230–600 при Vce 2 В, Ic 0,5 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1 В макс. при Ic 3 А, Ib 0,1 А |
| Гранична частота fT | 150 МГц тип. |
| Вихідна ємність Cob | 50 пФ макс. при Vcb 20 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SK117
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор JFET, N-канал |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга затвор–стік Vgds | -50 В (Ta 25 °C, абс. максимум) |
| Струм затвора Ig | 10 мА (Ta 25 °C, абс. максимум) |
| Потужність Pd | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Idss | 1,2–14 мА (Vds 10 В, Vgs 0) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | -0,2…-1,5 В (Vds 10 В, Id 0,1 мкА) |
| Вхідна ємність Ciss | 13 пФ (Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SK1460
В наявності
60,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FI (LS) |
| Напруга Vds | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 3.5 А (DC) |
| Імпульсний струм IDP | 7 А (PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1%) |
| Опір Rds(on) | 2.8 Ом тип., 3.6 Ом макс. (ID 2 А, VGS 10 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга VGSS | ±30 В |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (VDS 20 В, f 1 МГц) |
Транзистор 2SK1574 ( K1574 ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0, мін., V(BR)DSS при ID = 10 мА) |
| Струм стоку Id | 8 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Rds(on) | 0,85 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 4 А |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при ID = 1 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK1938 ( K1938 ) оригінал демонтаж(500V,18A), TO-3PML
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В мін. (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2313 ( K2313 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
130,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Ta = 25 °C) |
| Струм стоку Id (DC) | 60 А (Ta = 25 °C) |
| Rds(on) при VGS = 10 В, ID = 30 А | 8 мОм (тип.), 11 мОм (макс.) |
| Rds(on) при VGS = 4 В, ID = 30 А | 12 мОм (тип.), 15 мОм (макс.) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VDD ≈ 48 В, VGS = 10 В, ID = 60 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vth | 0,8 В (мін.), 2,0 В (макс.) при VDS = 10 В, ID = 1 мА |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2372 ( K2372 ) оригінал демонтаж(500V,25A), TO-3P
В наявності
165,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В (для 2SK2372) |
| Струм стоку Id (DC) | 25 А |
| Опір Rds(on) | 0.22 Ом типово, макс. 0.27 Ом (VGS 10 В, ID 13 А) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(off) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 160 Вт |
| Tch max | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 500 нс |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | NEC |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2545 оригінал (600V,6A,40W,0.9R)
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6 А (DC) |
| Опір Rds(on) | 0.9 Ом тип., макс. 1.25 Ом (VGS 10 В, ID 3 А) |
| Заряд затвора Qg | 30 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK2611 оригінал демонтаж(900V,9A,150W) , TO3P
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 9 А (DC) |
| Опір Rds(on) | 1.2 Ом тип., макс. 1.4 Ом (VGS 10 В, ID 4 А) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2640 оригінал демонтаж (500V,10A,50W) ( 2SK4096 )
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 10 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.73 Ом типово, максимум 0.90 Ом (Id = 5 А, Vgs = 10 В) |
| Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Id = 1 мА, Vds = Vgs) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Виробник | Fuji Electric |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK2698 ( K2698 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум) |
| Струм стоку Id | 15 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.35 Ом типово, максимум 0.4 Ом (Vgs = 10 В, Id = 7 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 58 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2750 (N-,600V,3.5A,35W,1.7R)(Заміна для 2SK3567 )
В наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs = 0 В, Id = 10 мА, мінімум) |
| Струм стоку Id | 3.5 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 1.7 Ом типово, максимум 2.2 Ом (Vgs = 10 В, Id = 1.8 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = 10 В, Id = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл типово (Vdd ≈ 400 В, Vgs = 10 В, Id = 3.5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Транзистор 2SK2756 оригінал, TO-3PF
В наявності
143,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds | 450 В (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.4 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Id 1 мА, Vds=Vgs) |
| Потужність Pd | 80 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK2837 ( K2837 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Rds(on) | 0.21 Ом (Vgs = 10 В, Id = 10 А, типове значення) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3720 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK2842 ( K2842 ) оригінал, TO220F
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (π-MOSV) |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vds | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 12 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.4 Ом тип., 0.52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 1200 нс тип. (IDR 12 А, VGS 0 В, dIDR/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3377 ( K3377 ) оригінал, TO252
В наявності
95,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою V(BR)DSS | 60 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 20 А (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Id(pulse) | 50 А (PW ≤ 10 мкс, скважність ≤ 1 %) |
| Rds(on) за Vgs 10 В, Id 10 А | 44 мОм (макс.) |
| Rds(on) за Vgs 4.0 В, Id 10 А | 78 мОм (макс.) |
| Напруга відсікання VGS(off) (VDS 10 В, ID 1 мА) | 1.5–2.5 В (тип. 2.0 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 760 пФ (тип.) |
| Вихідна ємність Coss | 150 пФ (тип.) |
| Прохідна ємність Crss | 71 пФ (тип.) |
| Заряд затвора Qg (ID 20 А, VDD 48 В, VGS 10 В) | 17 нКл (тип.) |
| Напруга затвор–витік VGSS | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C) | 30 Вт |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3407 ( K3407 ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 450 В |
| Струм стоку Id (DC) | 10 А (Ta 25 °C) |
| Rds(on) | 0.48 Ом тип., 0.65 Ом макс. (VGS=10 В, ID=5 А) |
| Vgs(th) | 2.4–3.4 В (VDS=10 В, ID=1 мА) |
| Qg | 35 нКл тип. (VDD≈360 В, VGS=10 В, ID=10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3435B ( K3435B , 2SK3435 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NEC |
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC 25 °C, DC) |
| Rds(on) | 11 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (ID=80 А, VDD=48 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга | 1.5–2.5 В (тип. 2.0 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 84 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3504 ( K3504 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds | 500 В (ID 250 мкА, VGS 0 В) |
| Струм стоку Id | 16 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.46 Ом макс. (ID 7 А, VGS 10 В, Tch 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (ID 250 мкА, VDS = VGS) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип., 50 нКл макс. (VCC 250 В, ID 14 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ |
| Потужність Pd | 225 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | Є: Vsd 1.0 В тип., 1.5 В макс., trr 0.65 мкс (IF 14 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK3522 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 21 А при Tc 25 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,20 Ом (тип.), 0,26 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (тип.), 81 нКл (макс.) при VCC 300 В, ID 21 А, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 0,7 мкс при IF 21 А, VGS 0 В, -di/dt 100 А/мкс, Tch 25 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SK3523 оригінал демонтаж(500V,25A), TO-3PF
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | TO-3PF |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.20 Ом тип., 0.26 Ом макс. (ID=10.5 А, VGS=10 В) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (ID=250 мкА, VDS=VGS) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип. (VCC=300 В, ID=21 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Потужність Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2 кВ (t=60 с, f=60 Гц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3528 оригінал, TO-3PF
В наявності
211,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N-канал, Super FAP-G |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 17 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 8.5 А) | 0.29 Ом тип., 0.37 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип., 81 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK3561 демонтаж, TO220F ( Заміна для CS840F , IRFS840 , 2SK3563 )(500V,8A,40W)
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 8 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.75 Ом типовий, 0.85 Ом максимум (Vgs = 10 В, Id = 4 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Демонтаж б/в |