Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 2SK3505 ( K3505 ) оригінал, TO220F

94,00 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

2SK3505 (K3505) – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-220F, оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
КорпусTO-220F
Напруга Vds500 В (VGS 0 В, ID 0.25 мА, мін.)
Струм стоку Id14 А (Ta 25 °C)
Rds(on)460 мОм макс., 350 мОм тип. (VGS 10 В, ID 7 А, Tc 25 °C)
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність Pd60 Вт (Tc 25 °C)
Tch макс.150 °C
СтанОригінал
Опис

2SK3505 (маркування K3505) – N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F. Параметри наведено за даташитом 2SK3505 (Inchange Semiconductor). Напруга Vds – 500 В при VGS 0 В, ID 0.25 мА (мін.). Безперервний струм стоку Id – 14 А при Ta 25 °C, імпульсний IDM – 56 А. Опір відкритого каналу Rds(on) макс. 460 мОм (типово 350 мОм) при VGS 10 В, ID 7 А, Tc 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при VDS=VGS, ID 0.25 мА. Потужність розсіювання Pd – 60 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу Tch – 150 °C. Вбудований діод є.

Це оригінал, не демонтаж. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте корпус TO-220F, тип каналу N, Vds, Id та Rds(on) за даташитом. Драйвер затвора перевіряйте за схемою і даташитом заміни.

Де застосовують

  • Імпульсні застосування (switching applications)
Часто питають
Чим замінити 2SK3505?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds 500 В або вище, струмом Id не менше 14 А і не вищим Rds(on). Qg та Vgs(th) порівняйте за даташитом. Підібрані аналоги під цю деталь у каталозі поки не підтверджені документами.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у транзистора вбудований діод?

Так. VSD типово 1.0 В, макс. 1.5 В при ISD 14 А, VGS 0 В.

Який опір каналу у 2SK3505?

Rds(on) макс. 460 мОм, типово 350 мОм при VGS 10 В, ID 7 А, Tc 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: 2SK3505 (Inchange Semiconductor).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

2SK3505 (Inchange Semiconductor) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.