Магазин
Сімістор BTB08-600C ( BTB08-600CW )(8A;600V,Igt=0.035A) , ТО220
В наявності
44,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 8 А (повна синусоїда, Tj 110 °C) |
| Ударний струм Itsm | 80 А (tp 20 мс) |
| Струм керування Igt | 35 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Спад Vtm | 1.55 В макс. (It 11 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання Ih | 35 мА макс. (Igt 0,1 А, затвор розімкнений) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 1.6 °C/Вт |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB04-600SL , ТО220
В наявності
38,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (повна синусоїда, Tc 105 °C) |
| Ударний струм Itsm | 35 А (50 Гц, 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 10 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 30 Ом, макс.) |
| Струм керування Igt, квадрант IV | 25 мА (VD 12 В, RL 30 Ом, макс.) |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання Ih | 15 мА (It 100 мА, макс.) |
| Критична dV/dt | 75 В/мкс (Tj 125 °C, мін.) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Сімістор BTA24-800B оригінал,ТО220
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 25 А (Tc 79 °C) |
| Ударний струм Itsm | 250 А (повна синусоїда, 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 33 Ом, макс.) |
| Струм керування Igt, квадрант IV | 70 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, макс.) |
| Квадранти | 4Q |
| Критична dV/dt | 1000 В/мкс (VD 540 В, Tj 125 °C, мін.) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA24-600BW ( BTA24-600B ) оригінал, ТО220
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 25 А (Tc 79 °C) |
| Ударний струм Itsm | 250 А (tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | до 50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | до 1 В (VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад Vtm | до 1,5 В (Itm 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | від 2500 В/мкс (VD 400 В, Tj 125 °C) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS) |
| Rth(j-c) | 1.3 °C/Вт |
| Snubberless | так |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA16-800B оригінал, ТО220
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 16 А (повна синусоїда, Tmb 112 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (tp 20 мс, Tj(init) 25 °C) |
| Струм керування Igt | 10–50 мА (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | до 1 В (VD 12 В, Tj 25 °C) |
| Спад напруги Vt | до 1,5 В (IT 20 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| dVD/dt | від 500 В/мкс (VD 400 В, Tj 150 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Rth(j-mb) | до 1,9 К/Вт |
| Корпус | SOT78D (IITO-220), ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA12-800C ,ТО220
В наявності
40,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (50 Гц, tp 20 мс) |
| Струм керування Igt | до 50 мА (VD 12 В, RL 100 Ом) |
| Напруга керування Vgt | до 1,5 В (VD 12 В, RL 100 Ом) |
| Спад напруги Vtm | до 1,5 В (ITM 12 А, Tj 25 °C) |
| dV/dt | від 500 В/мкс (VD 2/3 Vdrm, Tj 150 °C) |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
Сімістор BTA08-600C ( BTA08-600CRG ) оригінал, ТО220
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(RMS) | 8 А (Tc = 100 °C) |
| Igt, квадранти I–II–III (макс.) | 25 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| Igt, квадрант IV (макс.) | 50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| Ih (макс.) | 25 мА (IT = 500 мА) |
| dV/dt (мін.) | 200 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C) |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (ефективне) |
| Тип | стандартний, 4 квадранти |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA08-600B (8A,600V,Igt=0,03A) оригінал, ТО220
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(RMS) | 8 А (Tc = 100 °C) |
| Igt, квадранти I–II–III (макс.) | 50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| Igt, квадрант IV (макс.) | 100 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| dV/dt (мін.) | 400 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C) |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (ефективне) |
| Тип | стандартний, 4 квадранти |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BT139-600E оригінал (16А;600V,Igt=0.01A) ,ТО220
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Тип | Симістор 4Q, чутливий затвор (серія E) |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм ITSM | 155 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування IGT | макс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-), 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C |
| Напруга VT | макс. 1,6 В (IT = 20 А, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | макс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BT138-600E ,ТО220
В наявності
28,67 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор, чутливий затвор, 4Q |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 12 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм ITSM | 95 А (Tj(init) 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування IGT (T2- G+) | макс. 25 мА, тип. 11 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Напруга VT | макс. 1,65 В (IT = 15 А, Tj 25 °C); тип. 1,4 В |
| Струм утримання IH | макс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C) |
| Напруга керування VGT | макс. 1 В; тип. 0,7 В (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 150 В/мкс тип. (VDM = 402 В, Tj 125 °C, затвор розімкнений) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Температура зберігання | -40…150 °C |
Сімістор BT137-600E ,ТО220
В наявності
19,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор, чутливий затвор, 4Q |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 8 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 102 °C) |
| Ударний струм ITSM | 65 А (Tj(init) = 25 °C, t = 20 мс) |
| Струм керування IGT (T2- G+) | тип. 11 мА, макс. 25 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А) |
| Струм утримання IH | тип. 2.5 мА, макс. 20 мА (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга VT | тип. 1.3 В, макс. 1.65 В (IT = 10 А, Tj = 25 °C) |
| dV/dt | 50 В/мкс тип. (VDM = 67% VDRM, Tj = 125 °C, затвор розімкнений) |
| Тепловий опір Rth(j-mb) | 2 К/Вт (повний період) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
Транзистор MDD3752 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET P-канал (Trench) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | -40 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -43 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | -27 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-20 А) | 17 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-10 А) | 25 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1…-3 В |
| Заряд затвора Qg | 44,1 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2088 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 50 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Сімістор BT136-600E оригінал(4А;600V,Igt=0.01A), ТО220
В наявності
28,67 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C) |
| Ударний струм ITSM | 25 А (t = 20 мс; Tj = 25 °C до імпульсу) |
| Струм керування IGT | макс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); макс. 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання IH | тип. 2.2 / макс. 15 мА (VD = 12 В; IGT = 0,1 А) |
| Напруга VT | тип. 1.4 / макс. 1.70 В (IT = 5 А) |
| dVD/dt | 50 В/мкс (тип.; VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 °C; затвор розімкнений) |
| Rth j-mb | 3.0 К/Вт |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BT134-600E оригінал, TO-126
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C) |
| Ударний струм Itsm | 25 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 25 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj = 25 °C |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання Ih | 15 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C) |
| Напруга Vt | 1,7 В (max; IT = 5 А; Tj = 25 °C) |
| Напруга Vgt | 1 В (max; VD = 12 В; IT = 0,1 А; Tj = 25 °C) |
| dV/dt | 50 В/мкс (тип.; VDM = 402 В; Tj = 125 °C; затвор розімкнений) |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3607 оригінал , TO220
В наявності
67,68 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon Technologies |
| Напруга Vds | 75 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В) | 80 А |
| Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В) | 56 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=46 А) | 9 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3070 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 140 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BT131-600 , to92
В наявності
7,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 1 А (повна синусоїда; Tlead ≤ 51,2 °C) |
| Ударний струм Itsm | 12,5 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt | 3 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 7 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання Ih | 5 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C) |
| Напруга Vt | 1,5 В (max; IT = 1,4 А; Tj = 25 °C) |
| Tj max | 125 °C |
Демонтаж
Транзистор SMK1360 оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8,2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 6,5 А | 0,65 Ом макс. (типово 0,55 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2162 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор AP72T02GH ( 72T02GH ) , D-PAK
В наявності
32,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp (APEC) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 25 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В) | 62 А |
| Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В) | 44 А |
| Rds(on) при VGS=10 В, ID=30 А | 9 мОм макс. |
| Rds(on) при VGS=4,5 В, ID=15 А | 15 мОм макс. |
| Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 930 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 60 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
IGBT-транзистор TGD30N40P , D-PAK
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vces | 400 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність розсіювання Pd | 56,8 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,4 В тип., 2,0 В макс. (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл (Vcc 150 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 845 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор CRST025N08N оригінал, TO220
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (кремній, TC 25 °C) | 240 А |
| Струм Id (корпус, TC 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 152 А |
| Rds(on) при VGS=10 В, ID=90 А | 2 мОм |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 217 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 12191 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 227 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал , D2PAK
В наявності
211,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Рядковий трансформатор JF0501-1914 оригінал демонтаж ( BSC25-0231 , BSC25-0205Y )
В наявності
376,00 ₴
Демонтаж
Демонтаж