Магазин
Мікросхема ICE2B365 , DIP8
В наявності
98,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,45 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 23,3 А |
| Макс. потужність у БЖ | 67 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь 6 см²) |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. VCC (абсолютна) | 22 В |
Мікросхема ICE2B265 ( 2B265 ) , DIP8
В наявності
79,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,9 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 9,8 А |
| Макс. потужність у БЖ | 52 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь 6 см²) |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. VCC (абсолютна) | 22 В |
Демонтаж
Мікросхема ICE2A280Z демонтаж, DIP7
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP7 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 800 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,8 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 14,8 А |
| Макс. потужність БЖ | 50 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. напруга VCC | 22 В |
| Тепловий захист | 140 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема ICE2A165 ( ICE 2A165 ) оригінал, DIP8
В наявності
95,41 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 3,0 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 3,8 А |
| Макс. потужність БЖ | 31 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. напруга VCC | 22 В |
| Тепловий захист | 140 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2A0565 ( ICE 2A0565 ) оригінал, DIP8
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Призначення | ШІМ-контролер з MOSFET CoolMOS (CoolSET-F2) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 4.7 Ом (Tj = 25 °C, типово) |
| Частота перемикання | 100 кГц |
| Максимальна скважність | 72 % (типово) |
| Вихідна потужність (230 В ±15 %) | 23 Вт |
| Вихідна потужність (85–265 В) | 13 Вт |
| Поріг вмикання VCC | 13.5 В |
| Струм старту | 27 мкА |
| Поріг обмеження струму | 1.0 В |
| Температура переходу (робоча) | -25…130 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE1QS01 , DIP8
В наявності
78,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Призначення | Квазірезонансний контролер зворотноходових БЖ |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 21 В |
| Поріг вмикання VCC | 15 В |
| Поріг вимкнення VCC | 9 В |
| Поріг захисту VCC від перенапруги | 20 В |
| Струм старту | 60 мкА |
| Робочий струм живлення | 11 мА |
| Мінімальна частота в режимі очікування | 20 кГц |
| Діапазон потужності | 0–300 Вт |
| Температура переходу (робоча) | -25…150 °C |
| Тепловий опір перехід-середовище | 100 К/Вт |
Мікросхема ICE1PCS02 , DIP8
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Призначення | PFC-контролер, режим безперервного струму (CCM) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VCC (робоча) | 10–21 В |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 22 В |
| Поріг вмикання VCC | 11.2 В |
| Поріг вимкнення VCC (UVLO) | 10.2 В |
| Частота перемикання | 65 кГц (Tj = 25 °C) |
| Максимальна скважність | 97 % (типово) |
| Струм старту | 100 мкА |
| Робочий струм живлення | 13 мА |
| Температура переходу (робоча) | -40…125 °C |
Демонтаж
Транзистор G60N60BN3H оригінал ( CRG60N60BN3H , G60N60 ), TO3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic | 120 А (25 °C), 60 А (100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,4 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…7,0 В (тип. 5,4 В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3398 пФ (VCE = 30 В, f = 1 МГц) |
| Енергія вимикання Eoff | 1,39 мДж |
| Час спаду tf | 51 нс |
| Потужність Pd | 403 Вт (25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод: Vf / trr | 1,3 В (IF = 30 А) / 80 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Заміна для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120 )(40A,1200V) , TO247
В наявності
256,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 40 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Pd | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Qg | 341 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
Мікросхема HCF4053BE ( CD4053BE , HEF4053BP ) , DIP
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, CMOS |
| Ключі | 3 ключі 2:1 зі спільним входом INH |
| Напруга живлення (одне джерело) | 3–20 В |
| Напруга живлення (двополярне) | ±3…±10 В |
| Опір відкритого каналу | 125 Ом (типове, VDD = 15 В, сімейство CD405xB) |
| Струм витоку каналу | ±10 пА (типове, VDD = 15 В) |
| Діапазон температур | -55…125 °C (free-air) |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 |
Мікросхема CD4052BE ( MC14052BCP , CD4052BCN , HCF4052BE )
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, CMOS |
| Канали | 2 канали по 4 входи |
| Напруга живлення (одне джерело) | 3–20 В |
| Напруга живлення (двополярне) | ±3…±10 В |
| Опір відкритого каналу | 125 Ом (типове, VDD = 15 В) |
| Струм витоку каналу | ±10 пА (типове, VDD = 15 В) |
| Діапазон температур | -55…125 °C (free-air) |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 |
Мікросхема HCF4052 ( HEF4052BT ) , so-16
В наявності
15,51 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний аналоговий мультиплексор/демультиплексор, 2 × (1 з 4) |
| Корпус | SO-16 |
| Однополярне живлення | 3–20 В (нижче 3 В параметри погіршуються) |
| Двополярне живлення | ±3…±10 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В (V+ відносно V-) |
| Ron (тип.) | 125 Ом при VDD = 15 В, 25 °C; 180 Ом при VDD = 10 В; 470 Ом при VDD = 5 В |
| Струм витоку каналу (тип.) | ±10 пА при VDD = 15 В |
| Аналоговий сигнал | 20 В (розмах) |
| Споживана потужність у спокої (тип.) | 0,2 мкВт |
| Захист ESD | HBM 3000 В / CDM 2000 В |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема CD4051BE ( HCF4051BE ) , DIP16
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, 1 з 8 |
| Корпус | DIP16 |
| Однополярне живлення | 3–20 В (нижче 3 В параметри погіршуються) |
| Двополярне живлення | ±3…±10 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В (V+ відносно V-) |
| Ron (тип.) | 125 Ом при VDD = 15 В, 25 °C; 180 Ом при VDD = 10 В; 470 Ом при VDD = 5 В |
| Струм витоку каналу (тип.) | ±10 пА при VDD = 15 В |
| Аналоговий сигнал | 20 В (розмах) |
| Споживана потужність у спокої (тип.) | 0,2 мкВт |
| Захист ESD | HBM 3000 В / CDM 2000 В |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема HCF4051 ( HCF4051M , MC14051BG ), smd
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, 1 з 8 |
| Корпус | SMD, 16 виводів |
| Однополярне живлення | 3–20 В (нижче 3 В параметри погіршуються) |
| Двополярне живлення | ±3…±10 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В (V+ відносно V-) |
| Ron (тип.) | 125 Ом при VDD = 15 В, 25 °C; 180 Ом при VDD = 10 В; 470 Ом при VDD = 5 В |
| Струм витоку каналу (тип.) | ±10 пА при VDD = 15 В |
| Аналоговий сигнал | 20 В (розмах) |
| Споживана потужність у спокої (тип.) | 0,2 мкВт |
| Захист ESD | HBM 3000 В / CDM 2000 В |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Демонтаж
Мікросхема HA13166H демонтаж
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихід VDD | 5,7 В (Io 80 мА) |
| Вихід CD | 8,0 В (Io 1,0 А) |
| Вихід AUDIO | 9,0 В (Io 400 мА) |
| Вихід ILM | 10,0 В (Io 400 мА) |
| Вихід DSP | 3,3 В (Io 120 мА) |
| Вихід SW5V | 5,0 В (Io 80 мА) |
| Напруга живлення Vcc | 18 В max, рекомендовано 10–16 В |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (Ta 25 °C, радіатор нескінченної площі) |
| Tj max | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | P-HSIP15-14.3×19.66-1.27, 15 виводів |
| Виробник | Renesas (раніше Hitachi) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема HA13158A ( 490-48 )
В наявності
319,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Вихідна потужність | 20 Вт на канал typ (Vcc 13,2 В, THD 10 %, 4 Ом) |
| Максимальна вихідна потужність | 34 Вт на канал typ (Vcc 13,7 В, 4 Ом) |
| Напруга живлення Vcc | 18 В max (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм (пік) | 4 А на канал |
| Коефіцієнт підсилення | 32 дБ typ (f 1 кГц, Rl 4 Ом, Vcc 13,2 В) |
| Струм спокою | 220 мА typ (Vcc 13,2 В, Vin = 0) |
| Струм standby | 10 мкА max |
| Tj max | 150 °C |
| Робоча температура | -30…+85 °C |
| Корпус | SP-23TE, 23 виводи |
| Виробник | Hitachi |
Мікросхема HA13152 ( HA13151 , HA13153A , 159-00 , 160-00 , 180-00 , 260-41 , 279-82 , 279-87 , 279-89 , 360-47 , 369-42 )
В наявності
295,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Вихідна потужність | 14 Вт на канал (Vcc 13,2 В, 4 Ом, спотворення 10 %) |
| Напруга живлення Vcc | 18 В max (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм (пік) | 3 А на канал |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ typ (f 1 кГц, Rl 4 Ом, Vcc 13,2 В) |
| Струм спокою | 270 мА typ (Vcc 13,2 В, Vin = 0) |
| Tj max | 150 °C |
| Робоча температура | -30…+85 °C |
| Кількість виводів | 23 |
| Виробник | Hitachi |
Мікросхема GR8876A ( GR8876 ) , so-8
В наявності
82,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Grenergy |
| Тип | Green-Mode ШІМ-контролер струмового режиму |
| Напруга живлення VCC | 11.5–25 В |
| Напруга виводу HV | 500 В (абс. макс.) |
| Пусковий струм | 20 мкА (макс., VCC 15 В, 25 °C) |
| Частота перемикання | 60–70 кГц (RT 100 кОм) |
| Поріг Vcs | 0.80–0.90 В |
| Вихідний струм драйвера | 500 мА |
| Робочий діапазон температур | -20…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема G5177C , so-8
В наявності
31,96 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Global Mixed-mode Technology |
| Тип | Синхронний підвищувальний DC-DC перетворювач |
| Вхідна напруга VBAT | 2.5–4.5 В (25 °C) |
| Вихідна напруга | 5 В (4.925–5.075 В) |
| Вихідний струм | 3 А (VOUT 5 В, вхід 3.3 В) |
| Частота ШІМ | 0.5 МГц (0.35–0.65 МГц) |
| Струм спокою | 80 мкА (тип.) |
| Піковий струм обмеження | 6.5 А (мін., ILM01 = 1) |
| Робочий діапазон температур | -20…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP-8 (FD), 8 виводів |
Мікросхема FSQ510 , DIP7
В наявності
78,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | ШІМ-контролер valley switching із вбудованим SenseFET |
| Напруга на виводі Drain | 700 В |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (VCC = 0 В, ID = 100 мкА, мін.) |
| Опір каналу RDS(ON), макс. | 32 Ом |
| Ліміт струму | 320 мА |
| Макс. напруга Vcc | 20 В |
| Розсіювана потужність | 1.38 Вт (7-DIP) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| М'який старт | 5 мс |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема FSQ0765RQ ( Q0765R-маркування ) , TO220F-6
В наявності
134,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | квазірезонансний ШІМ-контролер зі вбудованим ключем |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Напруга Vds | 650 В (абсолютний максимум) |
| Струм стоку Id | 3.6 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.3 Ом типово, 1.6 Ом макс. (ID 1.8 А, TJ 25 °C) |
| Струм обмеження | 3.5 А |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 66.7 кГц |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Демонтаж
Мікросхема FSQ0565RQ ( Q0565R ) демонтаж, TO220F-6 ( FSQ0465RQ , Q0465R )
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим ключем |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Напруга Vds | 650 В (Vcc 0 В, Id 100 мкА) |
| Струм стоку Id | 2.8 А (Tc 25 °C, граничний) |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Пік-струм обмеження | 3.0 А (Tj 25 °C, типово) |
| Частота перемикання | 66.7 кГц |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSL206MR ( L206MRB ) , DIP
В наявності
42,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | 8-DIP (PDIP8) для FSL206MRN / FSL206MRBN |
| Напруга Vds (BVDSS) | 650 В (Vcc 0 В, Id 250 мкА) |
| Опір Rds(on) | 14 Ом типове, макс. 19 Ом (Vgs 10 В, Id 0.3 А) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 1.5 А |
| Пік-струм обмеження | 0.6 А (Vfb 4 В, Vcc 10 В, типово 0.54–0.66 А) |
| Частота перемикання | 67 кГц (типово 61–73 кГц) |
| Пороги UVLO (старт / стоп) | 8 / 7 В |
| Напруга внутрішнього регулятора | 7.8 В |
| Робоча температура | -40…+115 °C |
Демонтаж
Мікросхема FSL136MR демонтаж ( FSL136MRS ) , DIP8
В наявності
77,08 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (BVDSS) | 650 В (Vcc 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 3 А (гранично допустимий) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 12 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 Ом типове, макс. 4.0 Ом (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 67 кГц (типово 61–73 кГц) |
| Пік-струм обмеження | 2.15 А (Tj 25 °C, типово) |
| Пороги UVLO (старт / стоп) | 12 / 8 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 26 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.5 Вт |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема FSFR2100XSL демонтаж ( FSFR2100 , FSFA2100 )
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Напруга Vds (MOSFET) | 500 В (мінімум, BVDSS) |
| Струм стоку Id | 10.5 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 32 А |
| Опір Rds(on) | 0.51 Ом (максимум; типове 0.41 Ом) |
| Розсіювана потужність Pd | 12 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Частота генератора | 94–106 кГц (RT 5.2 кОм) |
| Пауза між ключами | 350 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSFR1800US ( FSFR1800 )
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 7,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 4,5 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 23 А |
| Опір Rds(on), макс. | 0,95 Ом (Vgs 10 В, Id 3,0 А; тип. 0,77 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 7,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,7 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Вихідна потужність без радіатора / з радіатором | 120 / 260 Вт (Vin 350–400 В, відкрита конструкція, 50 °C) |
Мікросхема FSFR1700XSL оригінал
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3,9 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 20 А |
| Опір Rds(on), макс. | 1,25 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А; тип. 1,00 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 6,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,6 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Частота генератора | 94–106 кГц (RT 5,2 кОм; тип. 100) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSFR1700XC оригінал
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3,9 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 20 А |
| Опір Rds(on), макс. | 1,25 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А; тип. 1,00 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 6,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,6 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSD210 оригінал, smd 7-LSOP
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Green Mode Fairchild Power Switch) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (VCC=0 В, ID=100 мкА, Ta 25 °C, min) |
| RDS(on) | 28 Ом тип. / 32 Ом макс. (Tj 25 °C, ID=25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (126–142 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Корпус | smd 7-LSOP |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема FSD200 демонтаж, DIP7
В наявності
49,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Green Mode Fairchild Power Switch) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (VCC=0 В, ID=100 мкА, Ta 25 °C, min) |
| RDS(on) | 28 Ом тип. / 32 Ом макс. (Tj 25 °C, ID=25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (126–142 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. напруга VCC | 10 В |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSB117H ( B117H ) , DIP8
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Fairchild Power Switch, mWSaver) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (ID=250 мкА, VGS=0 В, 25 °C, min) |
| Частота перетворення | 100 кГц (94–106 кГц, VDD=15 В, 25 °C) |
| Макс. напруга VDD | 30 В |
| VDD-ON / VDD-OFF | 12 В / 6 В (25 °C) |
| Споживання без навантаження | менше 40 мВт (230 В AC) |
| Корпус | DIP8 |