Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSFR1700XSL оригінал
216,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FSFR1700XSL – мікросхема з двома MOSFET для напівмостових резонансних перетворювачів, оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3,9 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 20 А |
| Опір Rds(on), макс. | 1,25 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А; тип. 1,00 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 6,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,6 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Частота генератора | 94–106 кГц (RT 5,2 кОм; тип. 100) |
| Стан | Оригінал |
FSFR1700XSL – мікросхема onsemi в корпусі 9-SIP (L-forming): силовий ключ для напівмостових резонансних перетворювачів, у якому два MOSFET. Напруга Vds 500 В при Ta 25 °C. Постійний струм стоку Id 6,0 А при Tc 25 °C і 3,9 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm 20 А. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 1,25 Ом при Vgs 10 В, Id 2,0 А (типово 1,00 Ом). Частота генератора 94–106 кГц при RT 5,2 кОм (типово 100 кГц), максимальна робоча частота 300 кГц, фіксований мертвий час 350 нс.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте номер, корпус і форму виводів (L-forming) зі своєю схемою. За даними виробника, прямі заміни – FSFR1700XS, FSFR1800XSL, FSFR1600XSL; перед заміною звірте їхні даташити. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Телевізори PDP та LCD, настільні ПК і сервери
- Адаптери живлення, телекомунікаційні блоки живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FSFR1700XSL?
За даними виробника, прямі заміни – FSFR1700XS, FSFR1800XSL, FSFR1600XSL. Перед заміною порівняйте даташити, корпус і форму виводів.
Для чого застосовують цю мікросхему?
Для напівмостових резонансних перетворювачів: блоків живлення телевізорів PDP та LCD, настільних ПК і серверів, адаптерів живлення, телекомунікаційних блоків живлення.
На якій частоті працює генератор?
Частота генератора 94–106 кГц при RT 5,2 кОм (типово 100 кГц). Максимальна робоча частота – 300 кГц.
Документація виробника: FSFR1700XSL (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема FSFR1700XC оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3,9 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 20 А |
| Опір Rds(on), макс. | 1,25 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А; тип. 1,00 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 6,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,6 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.