Магазин
Мікросхема L6562N , DIP8
В наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер PFC, перехідний режим (transition-mode) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Робочий діапазон Vcc | 10,3–22 В |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Струм старту | 70 мкА |
| Опорна напруга INV | 2,5 В |
| Струм виходу GD | 600 мА / 800 мА |
| Тепловий опір (Minidip) | 100 °C/Вт |
Мікросхема L6562D оригінал ( заміна для L6562A ) , so-8
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC, перехідний режим (transition-mode) |
| Робочий діапазон Vcc | 10,3–22 В (після вмикання) |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Струм старту | 70 мкА (макс., перед вмиканням Vcc 11 В) |
| Робочий струм живлення | <4 мА |
| Опорна напруга входу INV | 2,5 В (Tj 25 °C, Vcc 10,3–22 В) |
| Струм виходу GD (витікання) | 600 мА |
| Струм виходу GD (втікання) | 800 мА |
| Обмеження високого рівня GD | ≈12 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 150 °C/Вт (SO-8) |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6561D , so-8
В наявності
28,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Корректор коефіцієнта потужності (PFC), перехідний режим |
| Діапазон мережі | 85–265 В (змінна напруга) |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Макс. робоча напруга Vcc | 18 В (після вмикання) |
| Струм старту | 50 мкА (типово) |
| Робочий струм живлення | 4 мА (типово) |
| Опорна напруга входу INV | 2,5 В (точність 1 % при Tj 25 °C) |
| Струм виходу GD | ±400 мА |
| Розсіювана потужність | 0,65 Вт (Tamb 50 °C, SO-8) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 150 °C/Вт (SO-8) |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Мікросхема L6561 , DIP8
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Корректор коефіцієнта потужності (PFC), перехідний режим |
| Діапазон мережі | 85–265 В (змінна напруга) |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Поріг вимикання Vcc | 9,5 В |
| Макс. робоча напруга Vcc | 18 В (після вмикання) |
| Струм старту | 50 мкА (типово) |
| Робочий струм живлення | 4 мА (типово) |
| Опорна напруга входу INV | 2,5 В (точність 1 % при Tj 25 °C) |
| Струм виходу GD | ±400 мА |
| Розсіювана потужність | 1 Вт (Tamb 50 °C, DIP-8) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 °C/Вт (Minidip) |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Мікросхема L6386ED , so-14
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-14 |
| Напруга верхньої шини | 600 В (плаваюча секція) |
| Макс. VBOOT | 618 В (абс. межа) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 18 В (абс. межа) |
| Поріг вмикання Vcc (UVLO) | 12 В (Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Поріг вимикання Vcc (UVLO) | 10 В (Vcc 15 В, Tj 25 °C) |
| Вихідний струм (витікання) | 400 мА |
| Вихідний струм (втікання) | 650 мА |
| Час наростання | 50 нс (навантаження 1 нФ) |
| Час спаду | 30 нс (навантаження 1 нФ) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема L4981AD , so-20
В наявності
89,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc | до 19,5 В (макс.) |
| Частота перемикання | 100 кГц |
| Струм запуску | 0,3 мА тип. / 0,5 мА макс. |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Вихідний каскад | Average Current Mode PWM, Bipolar/DMOS |
| Корпус | SO-20 |
Мікросхема L4949E ( L4949NG ) , DIP8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Вихідна напруга Vo | 5 В (Tj 25 °C, Io 1 мА) |
| Вихідний струм | до 100 мА |
| Робоча напруга живлення Vs | 5–28 В (DC) |
| Імпульсна напруга живлення | 40 В (T < 1 с) |
| Падіння напруги Vdp | 0.5 В (Io 100 мА, макс.) |
| Струм спокою в очікуванні Iqse | 200 мкА (Io 0.3 мА, Tj < 100 °C, тип.) |
| Струм обмеження Ilim | 200 мА (Vo 4.5 В, тип.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Мікросхема TNY288DG оригінал (Заміна для TNY287DG ), so-7
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KIA78R09API
В наявності
46,53 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Вихідна напруга Vout | 9.0 В (Iout 0.5 А, Vin 15 В, Ta 25 °C) |
| Вихідний струм | 1 А (макс.) |
| Макс. вхідна напруга Vin | 35 В (Ta 25 °C) |
| Падіння напруги Vd | 0.5 В (Vin = 0.95 Vo, макс.) |
| Струм спокою Iq | 10 мА (Io 0, макс.) |
| Розсіювана потужність Pd | 15 Вт з радіатором; без радіатора 1.5 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Робоча температура Topr | -20…80 °C |
Мікросхема KIA7815API
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Трививідний лінійний стабілізатор додатної напруги |
| Виробник | KEC |
| Вихідна напруга Vout | 15 В (Tj 25 °C, Iout 100 мА) |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Макс. вхідна напруга Vin | 35 В (Ta 25 °C) |
| Падіння напруги (dropout) | 2.0 В (Iout 1.0 А, Tj 25 °C, тип.) |
| Струм обмеження КЗ | 0.5 А (Tj 25 °C, тип.) |
| Розсіювана потужність Pd | 2.0 Вт (без радіатора) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | TO-220F |
Мікросхема KIA7812API
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Трививідний лінійний стабілізатор додатної напруги |
| Виробник | KEC |
| Вихідна напруга Vout | 12 В (Tj 25 °C, Iout 100 мА) |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Макс. вхідна напруга Vin | 35 В (Ta 25 °C) |
| Падіння напруги (dropout) | 2.0 В (Iout 1.0 А, Tj 25 °C, тип.) |
| Струм обмеження КЗ | 0.7 А (Tj 25 °C, тип.) |
| Розсіювана потужність Pd | 2.0 Вт (без радіатора) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | TO-220F |
Мікросхема KIA7809API
В наявності
16,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Трививідний лінійний стабілізатор додатної напруги |
| Виробник | KEC |
| Вихідна напруга Vout | 9 В (Tj 25 °C, Iout 100 мА) |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Макс. вхідна напруга Vin | 35 В (Ta 25 °C) |
| Падіння напруги (dropout) | 2.0 В (Iout 1.0 А, Tj 25 °C, тип.) |
| Струм обмеження КЗ | 1.0 А (Tj 25 °C, тип.) |
| Розсіювана потужність Pd | 2.0 Вт (без радіатора) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | TO-220F |
Мікросхема KIA7808API
В наявності
19,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 8.0 В (7.7–8.3 В), Vin 14 В, Iout 100 мА, Tj 25 °C |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Вхідна напруга, макс. | 35 В, абсолютний максимум |
| Падіння напруги | 2.0 В, Iout 1 А, Tj 25 °C |
| Струм спокою | 4.3 мА (макс. 8.0 мА), Iout 5 мА, Tj 25 °C |
| Струм КЗ, обмеження | 1.1 А, Tj 25 °C |
| Придушення пульсацій | 74 дБ (мін. 58 дБ), f 120 Гц, Vin 11.5–21.5 В, Iout 50 мА, Tj 25 °C |
| Потужність розсіювання | 2.0 Вт без радіатора; 20.8 Вт з нескінченним радіатором, корпус API, Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | TO-220F |
Мікросхема KIA6225S
В наявності
13,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc, робоча | 6–16 В, Ta 25 °C |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 16 В, абсолютний максимум |
| Струм споживання | 3 мА (макс. 6 мА), Vcc 6 В, Vin 0, Ta 25 °C |
| Підсилення Gvo | 100 дБ (мін. 75 дБ), Vcc 6 В, f 1 кГц, Rg 600 Ом, RL 10 кОм |
| THD | 0.04 % (макс. 0.25 %), Vout 0 дБм, Vcc 6 В, f 1 кГц |
| Макс. вихідна напруга Vom | 1.8 В (мін. 1.0 В) ефективні, THD 1 % |
| Розділення каналів | 65 дБ, f 10 кГц, Rg 2.2 кОм, Vout 0 дБм |
| Придушення пульсацій | 50 дБ, f 100 Гц, Rg 2.2 кОм |
| Вхідний опір | 150 кОм (мін. 50 кОм) |
| Потужність розсіювання | 700 мВт, Ta 25 °C |
| Робоча температура | -30…+85 °C |
| Корпус | 9-SIP |
Мікросхема KA78R12 ( 78R12 , KIA78R12API ) оригінал
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 12 В (11.7–12.3 В), Vin 15 В, Io 0.5 А, Ta 25 °C |
| Вихідний струм | 1.0 А, абсолютний максимум |
| Вхідна напруга, макс. | 35 В |
| Падіння напруги, макс. | 0.5 В при Io 1 А |
| Струм спокою, макс. | 10 мА, Ta 25 °C |
| Придушення пульсацій | 55 дБ (мін. 45 дБ), Ta 25 °C |
| Потужність розсіювання | 1.5 Вт без радіатора; 15 Вт з радіатором |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Корпус (докладно) | TO-220F-4L, 4 виводи: Vin, Vo, GND, Vdis |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA7630
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихід 1 | 5.1 В (5.0–5.2 В) при Vin1 7.5 В, Io1 10 мА, Tj 25 °C |
| Вихід 2 | 8 В (7.84–8.16 В) при Vin2 10.5 В, Tj 25 °C |
| Вихід 3 | 12 В (11.7–12.3 В) із зовнішнім PNP-транзистором |
| Струм виходів 1 і 2 | 0.5 А кожен |
| Струм виходу 3 | 1 А із зовнішнім транзистором |
| Макс. вхідна напруга Vin | 20 В (абсолютний максимум) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.5 Вт без радіатора |
| Робоча температура | 0…+125 °C |
| Корпус | 10-SIP-H/S |
| Виробник | onsemi |
Мікросхема KA7552 , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В (абсолютний максимум) |
| Поріг запуску Vth(ST) | 16.0 В (15.5–16.5 В) при Vcc 18 В, Ta 25 °C |
| Вихідний струм Io (піковий) | ±1.5 А (абсолютний максимум) |
| Частота генератора | 135 кГц (125–145 кГц) при Vcc 10–30 В, CT 360 пФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 70 % (66–74 %) при Vcc 18 В, Ta 25 °C |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Samsung Semiconductor |
Мікросхема KA7500B , DIP16
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (4.75–5.25 В) при IREF=1 мА, VCC=20 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 42 В |
| Макс. напруга колектора Vc | 42 В |
| Вихідний струм Io | 250 мА |
| Робоча частота перемикання | 1–300 кГц |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Виробник | onsemi |
Мікросхема KA5Q1265RF ( 5Q1265RF ) оригінал
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-3PF, 5 виводів |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 8.3 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.3 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=6 А) | 0.7 Ом тип., 0.9 Ом макс. |
| Частота перетворення | 20 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % |
| Макс. напруга Vcc | 40 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA5Q0565RT
В наявності
104,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-5L |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 2.8 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 1.7 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=2.3 А) | 1.8 Ом тип., 2.2 Ом макс. |
| Частота перетворення | 20 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % |
| Макс. напруга Vcc | 30 В |
Мікросхема KA5M0380R ( 5M0380R ) , TO220-4
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга BVDSS (мін.) | 800 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 3.0 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 2.1 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=0.5 А) | 4.0 Ом тип., 5.0 Ом макс. |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
| Макс. напруга Vcc | 30 В |
Мікросхема KA5M0365RYD ( 5M0365R ) , TO220-4
В наявності
96,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 µA, мін.) |
| Струм стоку Id | 3.0 А (Tc 25 °C), 2.4 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 12.0 А |
| Rds(on) | 3.6 Ом тип., 4.5 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Розсіювана потужність Pd | 75 Вт (Ta 25 °C) |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
| Поріг запуску Vstart | 15 В |
| Поріг вимкнення Vstop | 9 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В |
| Корпус | TO220-4 |
Демонтаж
Мікросхема KA5M02659R ( 5M02659R ) демонтаж, DIP8
В наявності
28,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 50 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 2.0 А (TC 25 °C), 1.3 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 8.0 А |
| Rds(on) | 5.0 Ом (VGS 10 В, ID 0.5 А, тип.) |
| Частота генератора | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
| Поріг запуску Vstart | 15 В |
| Поріг вимкнення Vstop | 8.8 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема KA5L0565R ( 5L0565R , KA5L0565RTU ) оригінал, TO220F
В наявності
118,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 50 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 5.0 А (TC 25 °C), 3.5 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 20 А |
| Rds(on) | 1.76 Ом (VGS 10 В, ID 2.5 А, тип.) |
| Частота генератора | 50 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
| Поріг запуску Vstart | 15 В |
| Поріг вимкнення Vstop | 9 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA5L0380R ( 5L0380R ) оригінал, TO220-4
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO220-4 |
| Напруга BVDSS | 800 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В |
| Частота генератора | 50 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
| Поріг запуску Vstart | 15 В |
| Поріг вимкнення Vstop | 9 В |
| Захист від перенапруги Vovp | 27 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA5L0365RTU(5L0365R) , TO220F
В наявності
104,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F |
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В |
| Частота генератора | 50 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % |
| Поріг запуску Vstart | 15 В |
| Поріг вимкнення Vstop | 9 В |
| Захист від перенапруги Vovp | 27 В |
| Струм запуску (VCC 14 В, тип.) | 100 мкА |
Мікросхема KA5H0365R , TO220F-4
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга BVDSS | 650 В |
| Опір RDS(on) | 3.6 Ом тип., 4.5 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Частота fosc | 100 кГц (90–110) |
| Поріг вмикання Vstart | 15 В (14–16) |
| Поріг вимикання Vstop | 9 В (8.4–9.6) |
| Захист VOVP | 27 В (25–29) |
| Напруга живлення VCC max | 30 В |
Мікросхема KA5H0165R , DIP8
В наявності
62,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга BVDSS | 650 В |
| Струм ID (TC=25 °C) | 1.0 А |
| Струм ID (TC=100 °C) | 0.7 А |
| Струм IDM | 4.0 А |
| Опір RDS(on) | 8 Ом тип., 10 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Частота fosc | 100 кГц (90–110) |
| Поріг вмикання Vstart | 15 В (14–16) |
| Поріг вимикання Vstop | 8.8 В (8.2–9.4) |
| Напруга живлення VCC max | 30 В |
Демонтаж
Мікросхема KA3S1265R демонтаж
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | 5-вивідний TO-3P |
| Напруга BVDSS | 650 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 8.4 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 6 А, тип.) | 0.72 Ом |
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В |
| Частота генератора | 20 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема KA3S0765R
В наявності
177,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| VD,MAX | 650 В (Tj 25…150 °C) |
| Id (Tc=25 °C) | 7.0 А |
| Id (Tc=100 °C) | 5.6 А |
| Idm | 28.0 А |
| Rds(on) | 1.25 Ом, макс. 1.6 Ом (Vgs=10 В, Id=4.0 А) |
| Qg | 72 нКл (макс.) |
| Pd | 140 Вт (з тепловідводом) |
| Макс. Vcc | 30 В |
| Частота генератора | 20 кГц (Ta=25 °C) |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема KA3S0680RF
В наявності
88,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Samsung |
| Корпус | TO-3PF, 5 виводів |
| BVdss | 800 В (Vgs=0 В, Id=50 мкА) |
| Id (Tc=25 °C) | 6.0 А |
| Id (Tc=100 °C) | 4.0 А |
| Rds(on) | 1.6 Ом, макс. 2.0 Ом (Vgs=10 В, Id=4.0 А) |
| Qg | 70 нКл |
| Pd | 150 Вт (з тепловідводом) |
| Макс. Vcc | 30 В |
| Частота генератора | 20 кГц (Ta=25 °C) |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема KA3525A , DIP16
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Опорна напруга Vref | 5,0 / 5,1 / 5,2 В (мін / тип / макс, Tj 25 °C, Vcc 20 В) |
| Точність Vref | ±1 % |
| Vcc макс. | 40 В |
| Vc макс. | 40 В |
| Вихідний струм | 500 мА |
| Pd | 1000 мВт (Ta 25 °C) |
| Частота генератора макс. | 430 кГц (тип.), мін. 400 кГц (Rt 2 кОм, Ct 470 пФ, Tj 25 °C) |
| Струм споживання | 12 мА (тип.), 20 мА (макс.) при Vcc 35 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема KA22425BD , smd
В наявності
39,01 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Samsung |
| Корпус | 28-SOP-375 |
| Кількість виводів | 28 |
| Напруга живлення Vcc | 2–8.5 В |
| Макс. Vcc | 9 В (Ta=25 °C) |
| Вихідна потужність НЧ | 0.5 Вт (Vcc=6 В, RL=8 Ом, THD=10 %, f=1 кГц) |
| Підсилення НЧ | 31.5 дБ (Vo=0 дБм, f=1 кГц) |
| Робоча температура | -20…+70 °C |
Мікросхема KA2206B
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Samsung |
| Корпус | 12-DIPH-300 / 16-DIP-300A |
| Макс. напруга живлення Vcc | 15 В |
| Розсіювана потужність Pd | 4 Вт |
| Вихідна потужність (стерео) | 2.3 Вт |
| Вихідна потужність (міст) | 4.7 Вт |
| Підсилення (стерео) | 45 дБ |
| Підсилення (міст) | 51 дБ |
| Струм спокою Iccq | 40 мА |
| Робоча температура | -20…+70 °C |
Мікросхема KA2131 ( S1H2131X01-XO )
В наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 9-SIPH |
| Макс. напруга живлення Vcc | 27.6 В |
| Макс. напруга виводу 4 | 60 В |
| Розсіювана потужність Pd | 6.66 Вт |
| Макс. струм живлення Icc | 250 мА |
| Макс. струм виходів (виводи 2, 8) | ±1000 мА (піки) |
| Робоча температура | -20…+70 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
Мікросхема KA1M0380R , TO220F-4
В наявності
99,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга стік-витік | 800 В |
| Струм стоку (TC 25 °C) | 3,0 А |
| Струм стоку (TC 100 °C) | 2,1 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=1,5 А) | 4,0 Ом (тип.), 5,0 Ом (макс.) |
| Робоча частота | 67 кГц |
| Потужність розсіювання | 35 Вт |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема KA1L0380P ( 1L0380P , 1L0380R , KA1L0380R ), TO220-4
В наявності
83,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга стік-витік | 800 В |
| Струм стоку (TC 25 °C) | 3,0 А |
| Струм стоку (TC 100 °C) | 2,1 А |
| Імпульсний струм стоку | 12 А |
| Потужність розсіювання | 35 Вт |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=1,5 А, Ta 25 °C) | 4,0 Ом тип., 5,0 Ом макс. |
| Робоча частота | 50 кГц |
| Діапазон температур | -25…+85 °C |
Мікросхема KA1H0165RN , DIP8
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік-витік | 650 В |
| Струм стоку (TC 25 °C) | 1,0 А |
| Струм стоку (TC 100 °C) | 0,7 А |
| Імпульсний струм стоку | 4,0 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=0,5 А, Ta 25 °C) | 8 Ом тип., 10 Ом макс. |
| Робоча частота | 100 кГц |
| Піковий струм обмеження | 0,6 А |
| Діапазон температур | -25…+85 °C |
Мікросхема IW1710-01 , so-8
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Dialog (iWatt) |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. частота перемикання | 130 кГц (тип.), 140 кГц (макс.) |
| Поріг увімкнення VCC | 12 В (тип.) |
| Поріг вимкнення VCC (UVLO) | 6.0 В (тип.) |
| Робочий струм споживання | 3.5 мА (тип.), 5 мА (макс.) |
| Поріг обмеження піку струму | 1.1 В (тип., вхід ISENSE) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
Мікросхема ISL9860 ( ISL98602IRAAZ ) оригінал, QFN40
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Intersil |
| Корпус | QFN-40 |
| Вхідна напруга | 9,5–15 В |
| Напруга AVDD (boost), макс. | 19 В |
| Струмове обмеження boost-ключа | 5,5 А |
| Частота перемикання | 1,3 МГц |
| Напруга VON | до 36 В |
| Напруга VOFF | до -10 В |
| Діапазон температур | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |