Магазин

Показано 2281–2320 із 6333Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема MC44608P40

В наявності

53,11 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникON Semiconductor (onsemi)
ТипШІМ-контролер імпульсного джерела живлення
КорпусDIP8
Корпус (докладно)PDIP-8, суфікс P, CASE 626
Кількість виводів8
Частота перемикання40 кГц
Макс. напруга живлення VCC16 В
Макс. струм живлення ICC30 мА
Макс. напруга на виводі Vi500 В
Рекомендована напруга на виводі Vi400 В
Розсіювана потужність Pd600 мВт при TA = 85 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C

Мікросхема MC44603P оригінал ( MC44603AP )

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусDIP16
Частота перемикання виходудо 250 кГц
Макс. напруга живлення VCC18 В
Макс. струм виходу (пік)750 мА
Опорна напруга Vref2,5 В (2,4–2,6 В), VCC = 10–15 В
Поріг запуску14,5 В (13,6–15,4 В)
Робоча температура−25…+85 °C
СтанОригінал

Діодний міст D20XB100

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В
Середній випрямлений струм Io20 А (Tc 110 °C)
Піковий ударний струм Ifsm240 А
Пряма напруга Vf0,98 В (при 10 А)
Робоча температура Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусSIP, 5 виводів

Мікросхема MC34119 ( MC34119L ) , so-8

В наявності

24,91 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняНизьковольтний аудіопідсилювач для телефонних апаратів
Напруга живлення2–16 В (робочий діапазон)
Струм спокою2,7 мА (типове)
Вихідна потужністьне менше 250 мВт (Vcc 6 В, RL 32 Ом, THD ≤ 10%)
Коефіцієнт підсилення0–46 дБ
Опір навантаження8–100 Ом
Робоча температура–20…+70 °C (Ta)
КорпусSO-8

Мікросхема MC34071P оригінал, DIP8

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусDIP8
Напруга живлення (VCC–VEE)3,0–44 В
Смуга підсилення (GBW)4,5 МГц (typ), f = 100 кГц, VCC = +15 В, VEE = −15 В
Швидкість наростання13 В/мкс
Напруга зміщення нуля1,0 мВ (typ) / 5,0 мВ (max), RS = 100 Ом
Струм споживання на підсилювач1,9 мА (typ) / 2,5 мА (max), VCC = +15 В, VEE = −15 В
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал

Мікросхема MC34063API ( MC34063AL , MC34063C ) , DIP8

В наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (ON Semiconductor)
ТипКеруючий чип DC-DC перетворювача
КорпусDIP8
Вхідна напруга3,0…40 В
Макс. напруга живлення VCC40 В
Струм вихідного ключа1,5 А
Частота перетвореннядо 100 кГц
Опорна напруга компаратора1,25 В (VCC = 5,0 В, TA = 25 °C)
Напруга насичення ключа (Дарлінгтон)1,0 В (тип., макс. 1,3 В; ISW = 1,0 А)
Струм споживаннямакс. 4,0 мА
Розсіювана потужність PDIP-81,25 Вт (TA = 25 °C)
Робочий діапазон MC34063A0…+70 °C

Мікросхема MC33274ADG , so-14

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (ON Semiconductor)
ТипЧотири операційні підсилювачі
КорпусSO-14
Кількість підсилювачів4
Напруга живлення+3,0…+36 В або ±1,5…±18 В
Макс. VCC–VEE36 В
GBW24 МГц (f = 100 кГц, ±15 В, TA = 25 °C)
Швидкість наростання10 В/мкс (±15 В, TA = 25 °C)
Вхідна напруга зсуву0,1 мВ (тип., макс. 1,0 мВ)
Струм споживання на підсилювач2,15 мА (тип., макс. 2,75 мА)
Вхідний струм зміщення300 нА
Шум18 нВ/√Гц (f = 1,0 кГц)
Робочий діапазон температур-40…+85 °C

Мікросхема MC33260 , so-8

В наявності

41,83 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (ON Semiconductor)
ТипКонтролер PFC
КорпусSO-8
Кількість виводів8
Максимальна напруга VCC16 В
Поріг запуску VCC11 В (тип., VCC = 13 В, TJ = 25 °C)
Струм споживання в роботі4,0 мА (тип., макс. 8,0 мА)
Струм драйвера затвора±500 мА (source/sink)
Макс. температура переходу TJ150 °C
Робочий діапазон TA-40…+105 °C

Мікросхема MAX4420 , so-8

В наявності

209,62 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMaxim
ПризначенняНеінвертуючий одноканальний драйвер MOSFET, вхід TTL/CMOS
Напруга живлення VDD4.5–18 В
Піковий вихідний струм6 А (VDD = 18 В, TA = 25 °C, мін.)
Вихідний опір1.5 Ом (VDD = 18 В, Iout = 10 мА, TA = 25 °C, типово)
Час наростання25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово)
Час спаду25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово)
КорпусSO-8

Мікросхема MAX232 , smd

В наявності

19,74 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняПодвійний драйвер/приймач EIA-232
Напруга живлення VCC4.5–5.5 В
Струм живлення8 мА (тип.), 10 мА (макс.) при VCC = 5.5 В, TA = 25 °C
Швидкість передачідо 120 кбіт/с
Канали2 драйвери, 2 приймачі
Вхідна напруга приймача±30 В
Захист ESD2000 В (HBM)
Конденсатори charge pump1 мкФ
Робоча температура0–70 °C
Виконанняsmd

Мікросхема MAP8800 , so-8

В наявності

32,43 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMagnaChip
ПризначенняКонтролер корекції коефіцієнта потужності (PFC)
Режим роботиРежим напруги, критичний режим провідності (CRM)
ККД схемипонад 85 % (вихідна потужність понад 50 Вт)
КорпусSO-8

Мікросхема MAP3202 , so-14

В наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMagnaChip
ПризначенняОдноканальний підвищувальний PWM-драйвер світлодіодів із керуванням за струмом
Напруга живлення8,5–18 В (Ta –40…+85 °C)
Напруга живлення, макс. допустима20 В (абсолютний максимум, VCC)
Струм спокою1,2 мА (типове; VPWMI = 0 В, VCC = 12 В)
Частота генератора100 кГц (Ta 25 °C, RT = 500)
КорпусSO-14

Мікросхема MA8920 оригінал демонтаж

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникShindengen
ПризначенняІмпульсний модуль живлення (RCC-перетворювач)
Макс. вхідна напруга Vin (піков.)900 В
Макс. вхідний струм Iin (піков.)5 А
Потужність розсіювання Pd (без радіатора)3 Вт (Ta = 25 °C)
Потужність розсіювання Pd (з радіатором)22 Вт (Tc = 100 °C)
Вихідна потужність Po80 Вт (вхід 180–276 В); 40 Вт (вхід 85–276 В), довідкове значення
Споживання на малому навантаженні≤ 0.5 Вт (навантаження 50 мВт, вхід AC 100 В)
ККД≥ 80 % (номінальне навантаження)
Корпус7 виводів, full-mold, крок виводів 2.54 мм
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема M52707SP-A демонтаж

В наявності

376,00 ₴
ПараметрЗначення
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема M52340SP-A демонтаж

В наявності

352,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMitsubishi Electric
ПризначенняОднокристальний процесор сигналу кольорового ТВ (PAL/NTSC)
Живлення (виводи 8 і 24)4.75–5.25 В (номінальна 5.0 В)
Живлення (виводи 9, 20 і 47)7.6–8.4 В (номінальна 8.0 В)
Потужність розсіювання Pd1.4 Вт (Ta 25 °C)
Робоча температура-20…+65 °C
Керуванняшина I2C
Корпус52P4B, 52 виводи
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема M52313SP демонтаж

В наявності

124,08 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMitsubishi Electric
ПризначенняPLL-обробник відео- та звукової ПЧ (VIF/SIF)
Робоча напруга живлення4.5–5.5 В (номінальна 5.0 В)
Струм споживання Icc36 мА типово (мін. 25, макс. 47; Ta 25 °C, Vcc1 5 В, Vcc2 12 В)
Макс. напруга Vcc17 В
Макс. напруга Vcc214 В
Потужність розсіювання Pd1000 мВт
Робоча температура-20…+75 °C
Корпус20P4B (shrink DIP), 20 виводів
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема M52309SP-A демонтаж

В наявності

329,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерM52309SP-A
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема LY2117 , DIP8

В наявності

29,61 ₴
ПараметрЗначення
ТипШІМ-контролер flyback з біполярним ключем
ВиробникShenzhen Stronglink Electronics
КорпусDIP8
Макс. вихідна потужність18.0 Вт
Робоча частота62 кГц
Напруга ключа BJT> 720 В
Max Vcc8.7 В
Споживання в черговому режимі< 300 мВт
ЗахистOVP

Мікросхема LX1691A ( MSC1691AI ), TSSOP-16

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrosemi
КорпусTSSOP-16
Діапазон вхідної напруги живлення7–24 В
Напруга VDDP2.8–5.5 В
Режими димування6
Затримка після ввімкнення120 мс
Робоча температура-40…+85 °C

Мікросхема LV5680 ( LV5680P )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSANYO
КорпусHZIP15J, 15 виводів
Макс. напруга живлення VCC36 В (Ta 25 °C)
Робоча напруга живлення7.5–16 В
Вихід VDD5.0 В, до 200 мА
Вихід CD8.0 В, до 1300 мА
Захист від перенапруги21 В (typ)
Тепловий захист175 °C (typ)
Потужність розсіювання1.5 Вт (без радіатора, Ta ≤ 25 °C)
Робоча температура-40…+85 °C

Мікросхема LV1116N ( LV1116 ) , DIP

В наявності

135,36 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSANYO
КорпусDIP-36S (400 mil), 36 виводів
Напруга живлення (макс.)10.5 В (Ta 25 °C)
Рекомендована напруга живлення9.0 В (діапазон 5.0–10.0 В для DIP)
Струм спокою48 мА (Ta 25 °C, Vcc 9 В)
Розсіювана потужність700 мВт (Ta 70 °C, DIP)
Робоча температура-25…+70 °C
Регулювання гучності0…-80 дБ
Регулювання тембруНЧ 20 дБ, ВЧ 18 дБ

Мікросхема LTC4054 ( LTH7 , LTH7R ) , sot23-5

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLinear Technology
Вхідна напруга Vcc4.25…6.5 В
Напруга закінчення заряду4.2 В (4.158…4.242 В) (0…85 °C, Ibat 40 мА)
Струм зарядудо 800 мА (резистор Rprog)
Поріг попереднього заряду2.9 В (Rprog 10 кОм)
Температура переходу (макс.)125 °C
КорпусSOT23-5

Мікросхема LTA809 ( LTA809FA ) , so-8

В наявності

49,35 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-8
ПризначенняШІМ-контролер струмового режиму
Напруга живлення VDD макс.30 В
Напруга на вході HV макс.500 В
Пороги по VDD16,5 В / 10,5 В (тип.)
Робочий струм споживання4 мА (тип.), макс. 5 мА
Центральна частота ШІМ65 кГц (тип.)
Макс. коефіцієнт заповнення65 % (тип.)
Розсіювана потужність (SOP)400 мВт
Тепловий опір перехід–повітря (SOP)141 °C/Вт
Температура переходу-40…+125 °C

Транзистор R6025ANZ оригінал демонтаж, TO-3PF

В наявності

211,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникROHM
Тип каналуN
Напруга Vds600 В
Струм Id (25 °C)25 А
Струм Id (100 °C)12,5 А
Rds(on) при Vgs 10 В0,15 Ом (макс.), 0,12 Ом (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2,5–4,5 В
Заряд затвора Qg88 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss3250 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd150 Вт
Макс. напруга Vgs±30 В
Макс. температура Tj150 °C
КорпусTO-3PF
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема LP2705 , DIP8

В наявності

84,60 ₴

Мікросхема LNK6777K оригінал, HSOP11

В наявності

119,38 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-HP
Мін. напруга пробою MOSFET (TJ = 25 °C)725 В
Частота перемикання (TJ = 25 °C)132 кГц
Вихідна потужність PCB-R2, адаптер (230 В AC ±15 %)36 Вт
Вихідна потужність PCB-R2, відкрита рамка (230 В AC ±15 %)59 Вт
Вихідна потужність PCB-W1, адаптер (230 В AC ±15 %)25 Вт
Вихідна потужність PCB-W1, відкрита рамка (230 В AC ±15 %)41 Вт
Споживання без навантаження (230 В AC)<30 мВт
Тепловий опір перехід-корпус2 °C/Вт
Робоча температура переходу (абс. максимум)-40…150 °C
КорпусeSOP-12B (K package)
СтанОригінал

Мікросхема LNK626PG оригінал ( заміна для LNK624PG , LNK625PG ), DIP7

В наявності

103,40 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-CV
Напруга пробою MOSFET (Drain, абс. максимум)725 В
Частота перемикання (TJ = 25 °C)100 кГц
Макс. коефіцієнт заповнення (TJ = 25 °C)54 %
Піковий струм стоку, абс. максимум720 (1080) мА
Вихідна потужність, адаптер (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C)10,5 Вт
Вихідна потужність, відкрита рамка (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C)17 Вт
Робоча температура переходу (абс. максимум)-40…150 °C
КорпусDIP7
СтанОригінал

Мікросхема LNK626DG оригінал, sop-7

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-CV
Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.)725 В (TJ 25 °C)
Макс. напруга DRAIN-0,3…725 В (абсолютний максимум)
Піковий струм DRAIN (LNK626)720 мА (1080 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум
Обмеження струму ILIMIT (LNK626)419 / 450 / 482 мА (мін./тип./макс.), di/dt 110 мА/мкс, TJ 25 °C
Частота перетворення fOSC93 / 100 / 106 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C
Опір відкритого ключа RDS(ON) (LNK626)9,6 Ом тип. / 11 Ом макс. при ID 82 мА, TJ 25 °C
Напруга зворотного зв'язку VFBth (LNK626D)1,775 / 1,800 / 1,825 В (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, CBP 1 мкФ
Вихідна потужність, адаптер10,5 Вт (230 В AC ±15 %) / 8,5 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C
Вихідна потужність, відкрита плата17 Вт (230 В AC ±15 %) / 10 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C
Робоча температура переходу-40…150 °C (абсолютний максимум)
Температура теплового захисту135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.)
КорпусSOP-7
СтанОригінал

IGBT-транзистор G60T60AK3HD оригінал ( CRG60T60AK3HD ), TO247(Заміна для G60T60AK3SD , CRG60T60AK3SD )

В наявності

134,42 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tc 25 °C)
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Розсіювана потужність Ptot403 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.85 В тип. / 2.4 В макс. (60 А, 15 В)
КорпусTO-247
Вбудований діодє (антипаралельний)
Робоча температура Tj-40…+150 °C
СтанОригінал

Мікросхема LNK564PN оригінал ( заміна для LNK563PN , LNK562PN ), DIP7

В наявності

88,83 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-LP
Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.)700 В (TJ 25 °C)
Макс. напруга DRAIN700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C)
Піковий струм DRAIN200 мА (375 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум
Обмеження струму ILIMIT124 / 136 / 148 мА (мін./тип./макс.), di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C
Частота перетворення fOSC93 / 100 / 107 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, VFB 1,69 В
Опір відкритого ключа RDS(ON)48 Ом тип. / 55 Ом макс. при ID 13 мА, TJ 25 °C
Вихідна потужність (LNK564)3 Вт (адаптер і відкрита плата, 85–265 В AC та 230 В AC ±15 %)
Робоча температура переходу-40…150 °C (абсолютний максимум)
Температура теплового захисту135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.)
КорпусDIP7
СтанОригінал

Мікросхема LNK564DN ( LNK564DG ) , so-7

В наявності

59,69 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-LP
Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.)700 В (TJ 25 °C)
Макс. напруга DRAIN700 В (абсолютний максимум, TA 25 °C)
Піковий струм DRAIN200 мА (375 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум
Обмеження струму ILIMIT124 / 136 / 148 мА (мін./тип./макс.), di/dt 40 мА/мкс, TJ 25 °C
Частота перетворення fOSC93 / 100 / 107 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, VFB 1,69 В
Опір відкритого ключа RDS(ON)48 Ом тип. / 55 Ом макс. при ID 13 мА, TJ 25 °C
Вихідна потужність (LNK564)3 Вт (адаптер і відкрита плата, 85–265 В AC та 230 В AC ±15 %)
Робоча температура переходу-40…150 °C (абсолютний максимум)
Температура теплового захисту135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.)
КорпусSOP-7

Мікросхема LNK364PN оригінал (заміна для LNK363PN ), DIP7

В наявності

72,38 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
КорпусDIP7
Корпус (докладно)DIP-8B (P), у назві DIP7
Напруга DRAIN (абс. макс.)-0,3…700 В відносно SOURCE, Tamb 25 °C
Струм обмеження ILIMIT250 мА (мін. 233, макс. 268) при di/dt = 50 мА/мкс, Tj 25 °C
Опір RDS(on)24 Ом (макс. 28) при ID = 25 мА, Tj 25 °C
Частота перетворення132 кГц (124–140) при Tj 25 °C
Вихідна потужність5,5 Вт адаптер / 9 Вт відкрита плата, 230 В AC ±15 %
Робочий діапазон Tj-40…150 °C
СтанОригінал

Мікросхема LNK354PN

В наявності

73,32 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
КорпусDIP7
Корпус (докладно)DIP-8B (P)
Пробивна напруга BVDSS700 В (мін., VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, Tj 25 °C)
Струм обмеження ILIMIT250 мА (мін. 233, макс. 268) при di/dt = 115 мА/мкс, Tj 25 °C
Опір RDS(on)24 Ом (макс. 28) при ID = 25 мА, Tj 25 °C
Частота перетворення200 кГц (186–214) при Tj 25 °C
Вихідна потужність3,5 Вт адаптер / 5 Вт відкрита плата, 230 В AC ±15 %
Робочий діапазон Tj-40…150 °C

Мікросхема LNK306PN оригінал, DIP7

В наявності

90,71 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
КорпусDIP7
Корпус (докладно)DIP-8B (P), у назві DIP7
Пробивна напруга BVDSS700 В (мін., VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, Tj 25 °C)
Струм обмеження ILIMIT482 мА (мін. 450, макс. 515) при di/dt = 95 мА/мкс, Tj 25 °C
Опір RDS(on)7 Ом (макс. 8,1) при ID = 45 мА, Tj 25 °C
Частота перетворення66 кГц (62–70) при Tj 25 °C
Робочий діапазон Tj-40…150 °C
СтанОригінал

Мікросхема LNK305PN оригінал, DIP7

В наявності

82,25 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-TN
Напруга BVDSS (вбудований MOSFET)700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C)
Частота перетворення62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено)
Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.)-0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C)
Температура теплового захисту135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.)
Робоча температура переходу-40 … 150 °C (абс. макс.)
МодельLNK305PN
КорпусDIP7
Вихідний струм, buck (MDCM)175 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC)
Вихідний струм, buck (CCM)280 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC)
Обмеження струму ILIMIT350 / 375 / 401 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 75 мА/мкс, TJ = 25 °C)
RDS(ON)12 Ом тип. / 13,8 Ом макс. (ID = 35 мА, TJ = 25 °C)
СтанОригінал

Мікросхема LNK304PN оригінал, DIP7

В наявності

74,73 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-TN
Напруга BVDSS (вбудований MOSFET)700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C)
Частота перетворення62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено)
Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.)-0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C)
Температура теплового захисту135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.)
Робоча температура переходу-40 … 150 °C (абс. макс.)
МодельLNK304PN
КорпусDIP7
Вихідний струм, buck (MDCM)120 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC)
Вихідний струм, buck (CCM)170 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC)
Обмеження струму ILIMIT240 / 257 / 275 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 65 мА/мкс, TJ = 25 °C)
RDS(ON)24 Ом тип. / 27,6 Ом макс. (ID = 25 мА, TJ = 25 °C)
СтанОригінал

Мікросхема LNK304DN оригінал (заміна для LNK304DG ) , so-8

В наявності

74,73 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-TN
Напруга BVDSS (вбудований MOSFET)700 В (мін.; VBP = 6,2 В, VFB ≥ 2 В, TJ = 25 °C)
Частота перетворення62 / 66 / 70 кГц (мін. / тип. / макс.; TJ = 25 °C)
Макс. коефіцієнт заповнення DCMAX66 / 69 / 72 % (мін. / тип. / макс.; S2 розімкнено)
Напруга на виводі DRAIN (абс. макс.)-0,3 … 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C)
Температура теплового захисту135 / 142 / 150 °C (мін. / тип. / макс.)
Робоча температура переходу-40 … 150 °C (абс. макс.)
МодельLNK304DN
КорпусSOP-7
Вихідний струм, buck (MDCM)120 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC)
Вихідний струм, buck (CCM)170 мА (типово, неізольований buck, 230 В AC ±15 % та 85–265 В AC)
Обмеження струму ILIMIT240 / 257 / 275 мА (мін. / тип. / макс.; di/dt = 65 мА/мкс, TJ = 25 °C)
RDS(ON)24 Ом тип. / 27,6 Ом макс. (ID = 25 мА, TJ = 25 °C)
СтанОригінал

Мікросхема LNBP12A , so10-150

В наявності

150,40 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO10-150

Мікросхема LM8560 оригінал, SDIP28

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення Vdd (робоча)-14…-7.5 В (Ta 25 °C, Vss = 0 В)
Розсіювана потужність700 мВт (Ta 70 °C)
Робоча температура-30…+70 °C
Температура зберігання-55…+125 °C
Частота мережі50 або 60 Гц
Формат часу12 або 24 години
Звук будильника900 Гц
КорпусSDIP-28
СтанОригінал

Мікросхема LM741CN ( UA741CN ) , DIP8

В наявності

27,26 ₴
ПараметрЗначення
Типопераційний підсилювач загального призначення
ВиробникTexas Instruments
КорпусDIP8
Напруга зсуву входу2 мВ (тип.), 6 мВ (макс.) при TA = 25 °C, RS ≤ 10 кОм, VS = ±15 В
Вхідний струм зміщення80 нА (тип.), 500 нА (макс.) при TA = 25 °C
Коефіцієнт підсилення за напругою20 В/мВ (мін.), 200 В/мВ (тип.) при VS = ±15 В, VO = ±10 В, RL ≥ 2 кОм
Струм споживання1,7 мА (тип.), 2,8 мА (макс.) при VS = ±15 В, TA = 25 °C
Швидкість наростання0,5 В/мкс при одиничному підсиленні
Робочий діапазон температур (LM741C)0…70 °C, free-air