Магазин

Показано 2241–2280 із 6333Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема MP3398A , TSSOP-16

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
КорпусTSSOP-16
Кількість каналів4
Макс. струм на ланцюжок350 мА
Вхідна напруга VIN5–28 В (рекомендований діапазон)
Точність вирівнювання струмів2,5 %
Димінганалоговий і ШІМ
Робоча температура переходувід –40 до +125 °C

Мікросхема MP3398A ( MP3398 ) , SOP-16

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
КорпусSO-16
Кількість каналів4
Макс. струм на ланцюжок350 мА
Вхідна напруга VIN5–28 В (рекомендований діапазон)
Точність вирівнювання струмів2,5 %
Димінганалоговий і ШІМ
Робоча температура переходувід –40 до +125 °C

Мікросхема MP3394S ( MP3394 ) , so-16

В наявності

43,71 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
КорпусSO-16
Кількість каналів4
Вхідна напруга5–28 В
Максимальний струм на канал200 мА
Частота перемикання570 кГц (ROSC 115 кОм)
Максимальна температура переходу150 °C

Мікросхема MP3389EYC ( MP3389EY ) , soic28

В наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
КорпусSOP-28
Кількість каналів12
Вхідна напруга4,5–28 В
Максимальний струм на канал60 мА
Частота перемикання590 кГц (ROSC 115 кОм)

Мікросхема MP3389EF , tssop-28

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems (MPS)
КорпусTSSOP28
Кількість гілок світлодіодів12
Макс. струм на гілку60 мА
Діапазон вхідної напруги5–28 В
Точність вирівнювання струмів гілок2,5 %
Напруга регулювання на струмових джерелах550 мВ
Частота перемиканняпрограмується зовнішнім резистором
Димінгзовнішній PWM або DC-вхід (burst PWM)
Температура переходу-40…+125 °C
Макс. розсіювана потужність3,9 Вт (TSSOP28)

Мікросхема MP3378E , tssop-28

В наявності

77,55 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems (MPS)
КорпусTSSOP-28 EP
Кількість каналів WLED4
Макс. струм гілки WLED350 мА
Робоча напруга VIN1, VIN25–24 В
Точність вирівнювання струмів гілок2,5 %
Rds(on) верхнього ключа buck144 мОм (VBST-SW = 5 В)
Rds(on) нижнього ключа buck80 мОм (VBST-SW = 5 В)
Частота перемикання buck235 кГц (190–280), VFB = 750 мВ
Струмове обмеження buck6 А (4,8–7,2), коефіцієнт заповнення 40 %
Температура переходу-40…+125 °C
Макс. розсіювана потужність3,9 Вт (TSSOP-28 EP)

Мікросхема MP2A5060

В наявності

263,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
Напруга Vds (Q1 і Q2)500 В
Опір Rds(on) (Q1 і Q2)0,6 Ом (кожен з двох MOSFET)
Напруга запуску VCC(ON)15,5–17,5 В
Напруга відключення VCCL(OFF)8–10 В

Мікросхема MP2482DN , so-8

В наявності

120,32 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типмонолітний понижувальний імпульсний перетворювач
Вхідна напруга (робоча)4,5–30 В
Вхідна напруга макс.32 В
Вихідний струм5 А безперервний
Частота перемикання420 кГц (VIN 12 В, VFB 0,6 В, TA 25 °C)
RDS(on)50 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C)
КорпусESOP-8

Мікросхема MP2467DN , so-8

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типпонижувальний імпульсний регулятор
Вхідна напруга (робоча)6–36 В
Вхідна напруга макс.40 В
Вихідна напруга0,8–30 В
Вихідний струм2,5 А
Частота перемикання500 кГц (VIN 12 В, TA 25 °C)
RDS(on) верхнього ключа150 мОм (VBST–VSW 5 В, VIN 12 В, TA 25 °C)
КорпусESOP-8

Мікросхема MP2305DS , so-8

В наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типсинхронний понижувальний DC/DC перетворювач
Вхідна напруга (робоча)4,75–23 В
Вхідна напруга макс.26 В
Вихідний струм2 А безперервний
Вихідна напруга0,923–20 В
Опір ключів (кожного)130 мОм
Частота перетворення340 кГц
КорпусSO-8

Мікросхема MP1582EN , so-8 = є аналог

В наявності

52,17 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
КорпусSO-8

Мікросхема MP1484EN , so-8 ( Заміна для RT8250 , RT8290A )

В наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
Типсинхронний понижувальний DC/DC
ВиробникMonolithic Power Systems
Вхідна напруга4,75–18 В
Вхідна напруга макс.20 В (Absolute Maximum Ratings)
Вихідний струм3 А, безперервний
Вихідна напруга0,925–15 В, регульована
Опір ключів85 мОм (верхній і нижній MOSFET)
Частота перетворення340 кГц, фіксована
Тепловий опір перехід–середовище50 °C/Вт (SOIC8N з відкритою площадкою)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусESOP-8
Корпус (докладно)so-8 (SOIC8N, Exposed Pad)

Мікросхема MP1482DS оригінал ( заміна для MP1482DN , VP2128 ) , so-8

В наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
Типсинхронний понижувальний DC/DC
ВиробникMonolithic Power Systems
Вхідна напруга4,75–18 В
Вхідна напруга макс.20 В (Absolute Maximum Ratings)
Вихідний струм2 А, безперервний
Вихідна напруга0,923–15 В, регульована
Опір ключів130 мОм (верхній і нижній MOSFET)
Частота перетворення340 кГц, фіксована
Потужність розсіювання1,38 Вт (SOIC8)
Тепловий опір перехід–середовище90 °C/Вт (SOIC8)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусSO-8
СтанОригінал

Мікросхема MP1471A ( MP1471AGJ , xAGMx ) , sot23-6

В наявності

31,02 ₴
ПараметрЗначення
Типсинхронний понижувальний DC/DC
ВиробникMonolithic Power Systems
Вхідна напруга4,5–16 В
Вихідний струм3 А, безперервний
Опір верхнього ключа110 мОм (VBST-SW=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C)
Опір нижнього ключа57 мОм (VCC=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C)
Частота перетворення500 кГц (мін. 410, макс. 590; VFB=0,75 В)
КорпусSOT23-6

Мікросхема MP1410ES , so-8 ( ZA3020LV )

В наявності

44,65 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Призначеннязнижувальний DC/DC з вбудованим MOSFET
КорпусSO-8
Вхідна напруга (робоча)4,75–15 В
Вхідна напруга макс.16 В
Вихідний струм2 А
Вихідна напруга1,22–13 В
Rds(on) верхнього ключа0,22 Ом (VEN=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C)
Частота перетворення380 кГц
Обмеження струму2,95 А
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема MP1048EY , so-28

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Призначенняконтролер інвертора до 6 ламп CCFL, повний міст
КорпусSOP-28
Вхідна напруга VPRR, VPRL (робоча)10–22 В
Макс. вхідна напруга24 В
Робоча частота20–100 кГц (тип. 60 кГц)
Макс. робоча частота150 кГц
Робоча температура-20…85 °C
Макс. температура переходу150 °C
Розсіювана потужність0.6 Вт

Мікросхема MP1038EY

В наявності

110,45 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Призначенняконтролер інвертора CCFL, повний міст
КорпусSOP-28
Вхідна напруга VPRR, VPRL (робоча)10–32 В
Макс. вхідна напруга35 В
Робоча частота20–100 кГц (тип. 60 кГц)
Макс. робоча частота150 кГц
Робоча температура-20…85 °C
Макс. температура переходу150 °C
Розсіювана потужність0.6 Вт

Транзистор 110N7F6 ( STP110N7F6 ) оригінал (68V,110A) , TO220

В наявності

69,09 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Тип каналуN
СеріяSTripFET F6
Напруга Vds68 В
Струм Id (25 °C)110 А
Струм Id (100 °C)80 А
Rds(on) при Vgs 10 В0,0065 Ом (макс.), 0,0055 Ом (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Заряд затвора Qg100 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd176 Вт
Макс. температура Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Мікросхема MP1006ES , so-16

В наявності

84,60 ₴

Мікросхема MN1380R

В наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic (Matsushita)
КорпусM type, 3 виводи
Тип виходуКМОП
Напруга спрацювання (ранг R)4.0–4.3 В
Гістерезис100–300 мВ (ранги L–U)
Струм споживання1 мкА (тип.), 5 мкА (макс.) при VDD = 5 В
Напруга живлення VDD1.5–6.0 В (рекомендована)
Макс. напруга VDD7.0 В (абсолютний максимум)
Робоча температура-20…70 °C
Температура зберігання-55…125 °C

Мікросхема MN1280N

В наявності

18,80 ₴

Мікросхема MN1220 демонтаж

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема ML4824IP1 , DIP16

В наявності

138,65 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor
КорпусDIP16
Частота ШІМfPWM = fPFC (версія -1)
Макс. частота ШІМ250 кГц
Опорна напруга VREF (pin 14)7.5 В
Піковий струм виходів PFC OUT і PWM OUT500 мА (абсолютний максимум)
Макс. температура переходу150 °C
Робочий діапазон температур-40…85 °C

Мікросхема ML4800CS демонтаж, so-16

В наявності

86,95 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSO-16
ВиробникFairchild Semiconductor
Макс. напруга живлення VCC18 В (абсолютний максимум)
Струм запуску200 мкА типово, VCC = 12 В
Частота генератора76 кГц, TA = 25 °C, VCC = 15 В, RT = 52,3 кОм, CT = 470 пФ
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема MIX2018A ( MIX2018E ) , so-8

В наявності

25,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMixinno
Потужність класу D5.0 Вт (VDD 5.0 В, RL 2 Ом, THD+N 10 %)
Потужність класу F4.9 Вт (VDD 5.0 В, RL 2 Ом, THD+N 10 %)
Напруга живлення VDD2.5–5.0 В
Макс. VDD5.25 В
ККДдо 90 %
Струм вимкненняменше 1 мкА
Макс. Tj125 °C
КорпусSO-8

Мікросхема MIP414S оригінал ( MIP414 ) , DIP7

В наявності

187,53 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Макс. напруга стоку VD700 В
Пробивна напруга VDSS (мін.)700 В
Піковий струм стоку IDP2.4 А
Rds(on)4.9 Ом (тип.), 6.7 Ом (макс.) при VCC 15 В, ID 300 мА, VFB 3 В
Поріг ILIMIT (мін./тип./макс.)1.215 / 1.350 / 1.485 А
Макс. напруга VCC45 В
Макс. температура каналу Tch150 °C
КорпусDIP7
СтанОригінал

Мікросхема MIP411 , DIP8

В наявності

91,65 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Макс. напруга стоку VD700 В
Пробивна напруга VDSS (мін.)700 В
Піковий струм стоку IDP0.82 А
Rds(on)13.6 Ом (тип.), 16.6 Ом (макс.) при VCC 15 В, ID 100 мА, VFB 3 В
Поріг ILIMIT (мін./тип./макс.)0.405 / 0.450 / 0.495 А
Макс. напруга VCC45 В
Макс. температура каналу Tch150 °C
КорпусDIP8

Мікросхема MIP3E3SMY , TO220-3

В наявності

120,32 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусTO-220-A1
Макс. напруга стоку VD700 В
Макс. струм стоку ID1.1 А
Піковий струм IDP1.7 А
Rds(on)6.0 Ом (тип.), 7.5 Ом (макс.) при ID 0.2 А, TC 25 °C ±3 °C
Поріг захисту ILIMIT0.9 / 1.0 / 1.1 А (мін./тип./макс.)
Частота fOSC100 кГц (90–110 кГц)
Макс. напруга керування VC8 В

Мікросхема MIP2G4 , DIP

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга стік–витік VDSS700 В
Поріг захисту ILIMIT1.0 А
ILIMIT min0.75 А
Частота fosc100 кГц
Вихідна потужністьдо 20 Вт
КорпусDIP8
Корпус (докладно)DIP8-A1(CF)

Мікросхема MIP2F5 , DIP

В наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга стік–витік VDSS700 В (VCC = 27 В, ID = 100 мкА)
Піковий струм IDP4.0 А
Струм захисту ILIMIT1.0 А
Rds(on)3.0 Ом (тип.), 3.8 Ом (макс.) при ID = 100 мА, Tc = 25 °C
Частота fOSC100 кГц
Живлення VCC (макс.)45 В

Мікросхема MIP2F4 , DIP7

В наявності

48,88 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга VDSS700 В
Піковий струм IDP1.5 А
Струм захисту ILIMIT0.70 А
Rds(on) типове7 Ом
Частота fOSC100 кГц
Напруга живлення VCC45 В (макс.)

Мікросхема MIP2F3 , DIP

В наявності

62,51 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга VDSS700 В
Піковий струм IDP1 А
Струм захисту ILIMIT0.50 А
Rds(on) типове10 Ом
Частота fOSC100 кГц
Напруга живлення VCC45 В (макс.)

Мікросхема MIP2F2 , DIP7

В наявності

23,97 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга VDSS700 В
Піковий струм IDP0.65 А
Струм захисту ILIMIT0.350 А
Rds(on) типове20 Ом
Частота fOSC100 кГц
Напруга живлення VCC45 В (макс.)

Мікросхема MIP2E4D , DIP7

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
Напруга на виводі Drain VD макс.700 В
Напруга на виводі Control VC макс.10 В
Вихідний струм ID макс.1.72 А
Вихідний піковий струм IDP макс.2.4 А
Частота генерації fOSC100 кГц (90–110)
Макс. коефіцієнт заповнення69 % (66–72)
Струм спрацювання захисту ILIMIT1.5 А (1.35–1.65)
Опір відкритого каналу RDS(ON)5.8 Ом (тип.), макс. 6.7 Ом
Температура каналу макс.150 °C
КорпусDIP7

Мікросхема MIP2C4 , DIP7

В наявності

81,78 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга стік–джерело, макс.700 В
Струм стоку, макс.1200 мА
Напруга VCC, макс.45 В
Напруга VDD, макс.8 В
Частота генератора100 кГц (типово)
Макс. коефіцієнт заповнення47,5 % (типово)
Поріг захисту за струмом0,70 А (типово)
Опір відкритого каналу8,0 Ом (типово, ID = 100 мА)
Температурний захист140 °C (типово)
КорпусDIP7

Мікросхема MIP289 демонтаж, DIP7

В наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга стік–джерело, макс.700 В
Струм стоку, макс.280 мА
Пиковий струм стоку, макс.420 мА
Частота генератора44 кГц (типово)
Макс. коефіцієнт заповнення68 % (типово)
Поріг захисту за струмом0,255 А (типово)
Опір відкритого каналу31,2 Ом (типово, ID = 25 мА)
Температурний захист140 °C (типово)
КорпусDIP7
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема MCP602I-SN , so-8

В наявності

26,79 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip Technology
Кількість підсилювачів2
КорпусSO-8
Напруга живлення2.7–6.0 В
GBWP (типово, 25 °C)2.8 МГц
Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C)2.3 В/мкс
Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C)230 мкА
Діапазон температур (індустріальний)–40…+85 °C

Мікросхема MCP601-I/SN , so-8

В наявності

23,97 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip Technology
Кількість підсилювачів1
КорпусSO-8
Напруга живлення2.7–6.0 В
GBWP (типово, 25 °C)2.8 МГц
Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C)2.3 В/мкс
Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C)230 мкА
Діапазон температур (індустріальний)–40…+85 °C

Мікросхема MCP3201-BI , smd

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip Technology
Тип12-бітний АЦП з інтерфейсом SPI
Розрядність12 біт
КорпусSO-8
Кількість виводів8
Напруга живлення VDD2,7–5,5 В
Макс. частота дискретизації100 тис. вибірок/с (VDD = VREF = 5 В)
Робочий струм IDD300 мкА (тип.), 400 мкА (макс.) при VDD = 5,0 В
Струм очікування IDDS0,5 мкА (тип.), 2 мкА (макс.) при CS = VDD = 5,0 В
DNL±1 МЗР (макс.)
INL±1 МЗР (макс.)
Діапазон температур-40…+85 °C

Мікросхема MC44608P75

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникON Semiconductor (onsemi)
ТипШІМ-контролер імпульсного джерела живлення
КорпусDIP8
Корпус (докладно)PDIP-8, суфікс P, CASE 626
Кількість виводів8
Частота перемикання75 кГц
Макс. напруга живлення VCC16 В
Макс. струм живлення ICC30 мА
Макс. напруга на виводі Vi500 В
Рекомендована напруга на виводі Vi400 В
Розсіювана потужність Pd600 мВт при TA = 85 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C