Магазин
Мікросхема NCP1251B ( NCP1251BSN65T1G ) , sot23-6
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | ШІМ-контролер, струмовий режим |
| Частота перемикання | 65 кГц (61–71 кГц) |
| Джиттер частоти | ±5 % |
| Захист за струмом | autorecovery |
| Захист VCC OVP | latch |
| Макс. VCC | 28 В |
| VCC(on) | 18 В тип. |
| Гістерезис VCC | 8,8 В тип. |
| Струм драйвера | +300/-500 мА |
| Споживання | 1,4 мА тип. |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
Мікросхема NCP1251A ( NCP1251ASN65T1G ) , sot23-6
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Частота перетворення | 65 кГц (61–71 кГц) при TJ від -40 до 125 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (76–84 %) |
| Макс. напруга VCC | 28 В |
| Поріг увімкнення VCC(on) | 18 В (16–20 В) |
| Струм драйвера | +300 / -500 мА |
| Споживання в режимі очікування | менше 100 мВт |
| Корпус | SOT23-6 |
Мікросхема NCP1230P65 , DIP7
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Частота перетворення | 65 кГц (60–70 кГц) при Vfb = 2,5 В, Tj = 25 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (75–85 %) |
| Напруга HV (макс.) | 500 В |
| Макс. напруга VCC | 18 В |
| Поріг увімкнення VCC | 12,6 В (11,6–13,6 В) |
| Струм драйвера | +500 / -800 мА, пікове |
| Корпус | DIP7 |
Транзистор NCEP85T25 оригінал, TO220(85V,250A)
В наявності
106,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 85 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 250 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 180 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм макс., 2,2 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 10700 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vsd макс. 1,2 В, trr 115 нс |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1207A оригінал ( 1207A , NCP1207AD , NCP1207 , 1207 ) , so-8
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна напруга на виводі 8 (HV) | 500 В |
| Пікова здатність драйвера | 500 мА |
| Поріг обмеження струму ILimit | 1,0 В (мін. 0,92, макс. 1,12), вивід 3 |
| Внутрішній м'який старт | 1,0 мс |
| Рівень OVP Vref | 7,2 В (мін. 6,4, макс. 8,0), вивід 1 |
| Струм споживання ICC1 | 1,0 мА (макс. 1,3) при FSW = 60 кГц |
| Максимальна температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1203P60 ( 1203P60 ) оригінал, DIP8
В наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Максимальна напруга живлення VCC | 16 В |
| Пікова здатність драйвера | 250 мА |
| Поріг обмеження струму ILimit | 0,92 В (мін. 0,85, макс. 1,0), вивід 3 |
| Частота перетворення fOSC | 65 кГц (мін. 57, макс. 73) при VCC = 11 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення Dmax | 80 % (мін. 74, макс. 87) при VCC = 11 В |
| Максимальна температура переходу Tj | 150 °C |
| Кількість виводів | 8 |
| Корпус | DIP8 |
| Поріг вмикання VCC(on) | 12,8 В (мін. 12,2, макс. 14) при Tj 25 °C |
| Струм споживання ICC1 | 750 мкА (макс. 880) при VCC = 11 В |
| Маркування | 1203P60 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1203D6 ( 203D6 , DAP07 ) , so-8
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Максимальна напруга живлення VCC | 16 В |
| Пікова здатність драйвера | 250 мА |
| Поріг обмеження струму ILimit | 0,92 В (мін. 0,85, макс. 1,0), вивід 3 |
| Частота перетворення fOSC | 65 кГц (мін. 57, макс. 73) при VCC = 11 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення Dmax | 80 % (мін. 74, макс. 87) при VCC = 11 В |
| Максимальна температура переходу Tj | 150 °C |
| Кількість виводів | 8 |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг вмикання VCC(on) | 12,8 В (мін. 12,2, макс. 14) при Tj 25 °C |
| Струм споживання ICC1 | 750 мкА (макс. 880) при VCC = 11 В |
| Маркування | 203D6 (x = 6 відповідає 60 кГц) |
Мікросхема NCP1200P60G ( NCP1200P60 , 1200P60 , 1200AP60 ) оригінал, DIP8
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Робоча частота (версія 60 кГц) | 61 кГц (мін. 52, макс. 70) при VCC = 11 В, TJ 25 °C |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Піковий струм виходу драйвера | 250 мА |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (typ) |
| Власне споживання | 1.4 мА (typ) при FSW = 60 кГц, TJ 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1200D60R2 ( 200D6 маркування ) , so-8
В наявності
74,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Робоча частота (версія 60 кГц) | 61 кГц (мін. 52, макс. 70) при VCC = 11 В, TJ 25 °C |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Піковий струм виходу драйвера | 250 мА |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (typ) |
| Власне споживання | 1.4 мА (typ) при FSW = 60 кГц, TJ 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема NCP1200AP40 ( 1200AP40 , 1200P40 ) оригінал, DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Робоча частота (версія 40 кГц) | 42 кГц (мін. 36, макс. 48) при VCC = 11 В, TJ 25 °C |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Піковий струм виходу драйвера | 250 мА |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (typ) |
| Власне споживання | 1.2 мА (typ) при FSW = 40 кГц, TJ 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IP5407 , so-8
В наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Призначення | SoC для павербанка |
| Вхідна напруга | 4,65–6 В (тип. 5 В) |
| Струм заряду | 2,0 А |
| Вихідний струм (розряд) | 2,1/2,4 А |
| Вихідна напруга | 5 В |
| Напруга заряду батареї | 4,20 / 4,35 В |
| Напруга батареї | 3–4,4 В (тип. 3,7 В) |
| Струм очікування | менше 150 мкА |
| Частота перемикання | 950 / 500 кГц (розряд / заряд) |
| Температура переходу | -40…+150 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
Транзистор FTP11N08A оригінал ( FTP11N08 )(75V,100A), TO220
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 75 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (обмеження корпусу 75 А) |
| Rds(on) | 11,0 мОм макс., 9,5 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 45 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл тип. (Vdd 37 В, Id 75 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4541 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1050B , DIP7
В наявності
102,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | імпульсний регулятор з силовим ключем |
| Пробивна напруга ключа V(BR)DS | 700 В (мін., ID(off) = 100 мкА, TA = 25 °C) |
| Частота генератора | 100 кГц |
| RDS(on) | 22 Ом тип., 30 Ом макс. (TJ = 25 °C, ID = 50 мА, VCC = 8,0 В) |
| Мережа живлення | 85–265 В AC |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема N3856VG , so-8
В наявності
50,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NIKO-SEM |
| Напруга живлення Vcc | 7–30 В (тип. 12 В, Tc 25 °C) |
| Струм споживання | 4,5 мА (Tc 25 °C) |
| Струм затвора | 1 А втікаючий, 1 А витікаючий (тип.) |
| Час наростання / спаду | 40 нс / 40 нс (CL = 1,0 нФ) |
| Затримка | 200 нс (тип.), макс. 300 нс |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % (тип.), мін. 90 % |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MX25L4006E , smd 8pin SPI-флеш
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Macronix |
| Обсяг пам'яті | 4 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (режими 0 і 3), Dual Output |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Тактова частота SPI | 86 МГц (Dual Output 80 МГц) |
| Струм читання | 12 мА макс. на 86 МГц |
| Струм у Deep Power-down | 2 мкА (тип.) |
| Циклів стирання/запису | 100000 (мінімум) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Корпус | smd 8 pin |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор JT040K065WED оригінал, TO247
В наявності
209,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 284 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,4 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5,1…6,9 В |
| Заряд затвора Qg | 75,3 нКл |
| Вбудований діод, Vf | 1,5 В тип. / 2,5 В макс. (Is 20 А) |
| Вбудований діод, trr | 36,6 нс (25 °C) / 288 нс (175 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDA70N20 ( 70N20 ) оригінал демонтаж(200V,70A) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 200 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (Tc = 25 °C) | 70 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C) | 45 А |
| Імпульсний струм Idm | 280 А |
| Rds(on) | 35 мОм макс. (тип. 29 мОм) при Vgs = 10 В, Id = 35 А |
| Потужність Pd (Tc = 25 °C) | 417 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
