Магазин
Мікросхема PN8024A ( PN8024R ), DIP7
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Linkage |
| Корпус | DIP7 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Пробивна напруга ключа BVDSS | 650 В (мінімум, Isw = 1 мА, Vcomp = GND, Tj 25 °C) |
| Rds(on) ключа | 8,0 Ом (типово, Isw = 1 А, Vcomp = 3 В, Tj 25 °C) |
| Робоча напруга VDD | 9–24 В (після запуску, VDD = 15 В) |
| Обмеження струму ключа | 0,49 А (Tj 25 °C) |
| Максимальна частота | 60 кГц (Vcomp = 3 В) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема Pm25LV010 , so-8
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Programmable Microelectronics Corp. (PMC) |
| Ємність | 1 Мбіт (128K × 8) |
| Напруга живлення Vcc | 2,7–3,6 В |
| Тактова частота SPI | 25 МГц (максимум) |
| Інтерфейс | SPI, режими 0 (0,0) і 3 (1,1) |
| Сектор / блок | 4 КБ / 32 КБ |
| Сторінка запису | 256 байт |
| Час запису сторінки | 2 мс (типове) |
| Час стирання | 40 мс (типове) |
| Циклів запис/стирання | 100000 на сектор (preliminary) |
| Збереження даних | 20 років (мінімум) |
| Струм при запису / стиранні | 30 мА (максимум, Vcc = 3,6 В, 25 МГц) |
| Струм у режимі очікування (CMOS) | 5 мкА (максимум, Vcc = 3,6 В) |
| Діапазон температур | 0…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | 8-pin SOIC (8S) |
Транзистор SKD502T оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А (обмеження корпусу); 135 А (обмеження кремнію) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 86 А, обмеження кремнію |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=50 А) | 4.6 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP039N10M оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 135 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 108 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,65 мОм тип., 3,9 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 65 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 116 нКл тип., 150 нКл макс. (Vds 50 В, Id 65 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7450 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Vsd діода | 1,2 В макс. (Vgs 0 В, Is 65 А) |
| trr діода | 76 нс тип. (Tj 25 °C, di/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PIC16F870-I/SP , DIP28
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 8-бітний CMOS Flash-мікроконтролер, 28 виводів |
| Виробник | Microchip |
| Корпус | DIP28 вузький |
| Корпус (докладно) | SPDIP-28 (DIP28, 300 mil) |
| Напруга живлення | 4,0–5,5 В |
| Тактова частота | DC–20 МГц |
| Пам'ять програм Flash | 2K x 14 слів |
| ОЗП | 128 x 8 байт |
| EEPROM даних | 64 x 8 байт |
| Струм виводу | 25 мА |
| АЦП | 10 біт, 5 каналів |
Мікросхема PF7708BS , so-8
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PowerForest |
| Призначення | одноканальний boost-драйвер світлодіодної підсвітки (WLED) з вбудованим ключем димінгу |
| Вхідна напруга | 9–30 В |
| Опорна напруга зворотного зв'язку | 300 мВ |
| Струм драйвера затвора | 1000 / -1500 мА (вихід драйвера MOSFET, джерело / стік) |
| Тип керування | струмовий режим ШІМ, ШІМ-димінг |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема PAM8403 , so-16
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стерео підсилювач звуку класу D без вихідного фільтра |
| Вихідна потужність на канал | 3 Вт (THD+N 10 %, навантаження 4 Ом, живлення 5 В) |
| Напруга живлення (рекомендована) | 2,5–5,5 В (TA +25 °C) |
| ККД | до 90 % |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C (рекомендовані умови) |
| Діапазон температур переходу | -40…+125 °C (рекомендовані умови) |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 |
| Захист | від короткого замикання та перегріву (thermal shutdown) |
Мікросхема PAM2312 , sot23-5
В наявності
23,03 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Понижуючий DC-DC, 1 А, ШІМ/PSM |
| Вхідна напруга | 2.5–5.5 В |
| Вихідна напруга | 0.6 В до Vin |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Частота перетворення | 1.5 МГц (1.2–1.8 МГц, Ta 25 °C, Vin 3.6 В) |
| ККД | до 96 % |
| Струм спокою | 40 мкА (тип.) |
| Струм у режимі shutdown | менше 1 мкА |
| Опорна напруга FB | 0.588–0.612 В (Ta 25 °C, Vin 3.6 В) |
| Макс. вхідна напруга | 6.0 В (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Корпус | SOT23-5 |
Демонтаж
Мікросхема OZ9938GN оригінал, so-16
В наявності
81,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення VDDA (рекомендована) | 4.5–5.5 В |
| Макс. напруга VDDA (абсолютна) | 7.0 В |
| Робоча частота | 20–150 кГц |
| Діапазон аналогового димування | 0.7–2.1 В |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 86 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75EES5 ( IKW75N65ES5 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для K75EEL5 , IKW75N65EL5 , G75EH5 , IGW75N65H5 ), TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з діодом (TRENCHSTOP 5, RAPID 1) |
| Напруга Vces | 650 В при Tvj 25 °C |
| Номінальний струм Ic | 75 А |
| Vce(sat) | 1,42 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Vge(th) | 3,2–4,8 В (тип. 4,0 В) при Ic 0,75 мА, Vce = Vge |
| Заряд затвора Qg | 164 нКл при Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В |
| Потужність Ptot | 395 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,38 К/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема OPA2132UA , so-8
В наявності
264,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SO-8 |
| Тип входу | FET (польовий транзистор) |
| Напруга живлення | ±2,5…±18 В |
| Макс. напруга V+ – V– | 36 В |
| GBW | 8 МГц (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Швидкість наростання | ±20 В/мкс (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Густина шуму | 8 нВ/√Гц (f 1 кГц) |
| Вхідний струм зміщення, макс. | 50 пА |
| Струм споживання на підсилювач | ±4 мА тип., ±4,8 мА макс. (IO = 0 мА, TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Кількість каналів | 2 (незалежні) |
Мікросхема OPA132UA , so-8
В наявності
268,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SO-8 |
| Тип входу | FET (польовий транзистор) |
| Напруга живлення | ±2,5…±18 В |
| Макс. напруга V+ – V– | 36 В |
| GBW | 8 МГц (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Швидкість наростання | ±20 В/мкс (TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Густина шуму | 8 нВ/√Гц (f 1 кГц) |
| Вхідний струм зміщення, макс. | 50 пА |
| Струм споживання на підсилювач | ±4 мА тип., ±4,8 мА макс. (IO = 0 мА, TA 25 °C, VS ±15 В, RL 2 кОм) |
| Кількість каналів | 1 |
