Магазин
Мікросхема STRA6061H ( STR-A6061H , A6061H ) оригінал, DIP7
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму з вбудованим MOSFET |
| Vdss | 700 В (мін., IDS 300 мкА) |
| Rds(on) | 3,95 Ом (макс., IDS 0,4 А) |
| Піковий струм стоку | 2,5 А (одиночний імпульс) |
| Частота перемикання | 100 кГц (версія HZ) |
| Вихідна потужність (AC 230 В) | 20,5 Вт (безперервна, 50 °C) |
| Вихідна потужність (AC 85–265 В) | 15 Вт (безперервна, 50 °C) |
| Vcc, макс. | 32 В |
| Vcc(on) | 15,0 В (типово) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Виробник | Sanken |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MP1470 ( MP1470GJ ) , sot23-6
В наявності
49,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Синхронний понижуючий DC-DC, режим струму, Power-Save AAM |
| Вхідна напруга VIN | 4.7–16 В |
| Вихідний струм | 2 А (безперервний) |
| Частота перетворення | 500 кГц (VIN 12 В) |
| Опорна напруга VFB | 0.8 В |
| Rds(on) верхнього ключа | 163 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Rds(on) нижнього ключа | 86 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Струм обмеження | 3.7 А (тип., VIN 12 В) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
Мікросхема SY8008C , sot23-5 ( заміна для SY8008A )
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Синхронний понижуючий DC-DC |
| Вхідна напруга VIN | 2.5–5.5 В |
| Вихідний струм | 1.2 А |
| Частота перетворення | 1.5 МГц (VIN 5 В) |
| Опорна напруга | 0.6 В |
| Rds(on) верхнього ключа | 200 мОм (IOUT 100 мА, VIN 5 В, TA 25 °C) |
| Rds(on) нижнього ключа | 150 мОм (IOUT 100 мА, VIN 5 В, TA 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
| Виробник | Silergy |
Мікросхема LD5530 ( LD5530R , LD5530RGL ) , sot23-6
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер, Green Mode, керування за струмом |
| Виробник | Leadtrend Technology |
| Частота перемикання | 65 кГц |
| Напруга живлення VCC | 8.0–26.5 В |
| Напруга VCC, макс. | 30 В |
| Поріг увімкнення UVLO | 16 В (15–17 В, VCC 15 В, TA 25 °C) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.5 В (7.0–8.0 В) |
| Захист VCC OVP | 28.5 В (27.5–29.5 В) |
| Струм запуску | <1 мкА |
| Робочий струм | 1.85 мА (VCOMP = 3 В, 1 нФ на OUT) |
| Струм драйвера виходу OUT | 250 / -500 мА |
| Температура переходу | -40…125 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
Діод Шоттки SR5200 ( заміна для SB5200 , MBR5200 ) (5A,200V)
В наявності
16,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки одиночний |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм | 5 А |
| Пряма напруга Vf | 0,92 В при If = 5 А, Ta = 25 °C |
| Ударний прямий струм Ifsm | 120 А (8,3 мс, одна напівсинусоїда) |
| Ємність переходу Cj | 200 пФ (тип., 1 МГц, Vr = 5 В) |
| Корпус | DO-201AD |
| Корпус (докладно) | DO-27 (DO-201AD), аксіальний |
Мікросхема TEA1753T , so-16
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Контролер PFC + flyback (GreenChip), HV start-up |
| Корпус | SO-16 |
| Мережева напруга | 70–276 В AC |
| Макс. VCC | 38 В (абсолютний максимум) |
| Напруга запуску VCC | 22 В тип. (21–23 В, Tamb = 25 °C) |
| Поріг блокування VCC | 15 В тип. (14–16 В, Tamb = 25 °C) |
| Макс. напруга HV | 650 В (абсолютний максимум) |
| Струм драйверів затворів | ±2 А (абсолютний максимум, шпаруватість < 10 %) |
| Повна розсіювана потужність | 0.6 Вт (Tamb < 75 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TOP204YN ( TOP204YAI ) , TO220-3
В наявності
54,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | ШІМ-перемикач мережевого живлення (TOPSwitch) |
| Корпус | TO-220 |
| Пробивна напруга стік-витік | 700 В (IC = 4 мА, ID = 500 мкА, TA = 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (абсолютний максимум, відносно SOURCE) |
| Rds(on) при Tj = 25 °C | 2.6 Ом тип. / 3.0 Ом макс. (ID = 300 мА) |
| Rds(on) при Tj = 100 °C | 4.3 Ом тип. / 5.0 Ом макс. (ID = 300 мА) |
| Обмеження струму | 2.25–3.15 А (di/dt = 500 мА/мкс, Tj = 25 °C) |
| Частота генератора | 100 кГц тип., 90–110 кГц (IC = 4 мА, Tj = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 67 % тип., 64–70 % (IC = ICD1 + 0.5 мА) |
| Температура переходу | від -40 до 150 °C (абсолютний максимум) |
Мікросхема FAN4801 , DIP16
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC + PWM |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Співвідношення частот PFC : PWM | 1:1 |
| Частота PFC і PWM | 64 кГц (60–67 кГц, RT 6.8 кОм, CT 1000 пФ, -40…105 °C) |
| Частота RT/CT | 256 кГц (240–268 кГц, VDD 14 В) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В |
| Поріг увімкнення VDD | 11 В (10–12 В, VDD 15 В, TA 25 °C) |
| Струм запуску | 80 мкА (макс.) |
| Робочий струм | 2.6 мА (2.0–5.0 мА, VDD 15 В) |
| Опорна напруга VREF | 7.5 В (7.4–7.6 В) |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Температура переходу, макс. | 125 °C |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема APW7070A , so-8
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Синхронний понижуючий DC-DC, режим струму |
| Виробник | ANPEC |
| Вхідна напруга VIN | 4.75–20 В |
| Вихідна напруга | 0.8 – 90% VIN |
| Вихідний струм | 3 А (макс.) |
| Частота перетворення | 380 кГц (340–420 кГц, VIN 4.75–20 В) |
| Rds(on) верхнього ключа | 80 мОм (тип., макс. 100 мОм, TJ 25 °C) |
| Rds(on) нижнього ключа | 80 мОм (тип., макс. 100 мОм, TJ 25 °C) |
| Струм обмеження верхнього ключа | 5.5 А (тип., 4.0–7.0 А) |
| Опорна напруга | 0.8 В (±2.5%) |
| ККД | до 93% |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP-8P |
Демонтаж
Мікросхема TOP233P ( TOP233PN ) , DIP8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Тип | off-line ШІМ-перемикач із MOSFET |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (DIP-8B, P) |
| Макс. напруга DRAIN | 700 В (відносно SOURCE, TA = 25 °C) |
| Піковий струм DRAIN | 1,6 А |
| Струм самозахисту ILIMIT | 1,000 А (0,930–1,070 А), TJ = 25 °C |
| RDS(on) | 7,8 Ом тип. (ID = 100 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (124–140 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 78 % |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема LA42102 оригінал , короткі висновки
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo |
| Вихідна потужність | 10 Вт (мін. 8 Вт) × 2 канали, VCC 14 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 % |
| Рекомендована напруга живлення | 14 В |
| Допустимий діапазон живлення | 10–17 В |
| Макс. напруга живлення | 17 В |
| Опір навантаження | 8 Ом |
| Допустима потужність розсіювання | 15 Вт (Ta 25 °C, нескінченний радіатор) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Струм спокою | 70 мА (40–140 мА), VCC 14 В |
| Корпус | SIP13H (13 виводів) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3BR0665JF ( 3BR0665JF ) , TO220F-6
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds (MOSFET) | 650 В (V(BR)DSS мін.) |
| Rds(on) при Tj 25 °C | 0,59 Ом (тип.), 0,66 Ом (макс.) |
| Rds(on) при Tj 125 °C | 1,31 Ом (тип.), 1,46 Ом (макс.) |
| Частота перетворення | 67 кГц (58–75 кГц), Tj 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 23 А (Tj макс. 150 °C) |
| Потужність розсіювання | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В (17,0–19,0 В) |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В (9,8–11,2 В) |
| Корпус | TO-220F-6L |
IGBT-транзистор G30T60 ( IGW30N60T ) оригінал , TO247
В наявності
330,41 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор-емітер Vce | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(puls) | 90 А (tp обмежено Tjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2.05 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 167 нКл (VCC = 480 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 187 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Маркування | G30T60 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема TOP258YN демонтаж, TO220
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | TO-220 |
| Максимальна пікова напруга DRAIN | 700 В |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін.) при IC = 4 мА, TJ = 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 4,30 А при TJ = 25 °C |
| RDS(ON) | 1,7 Ом (тип.) при ID = 500 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (FREQUENCY з’єднаний з SOURCE) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема STRA6259H ( STR-A6259H , A6259H , STRA6259 , A6259 ) оригінал демонтаж, DIP7
В наявності
51,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга V(BR)DSS | 650 В мін. при ID = 300 мкА |
| Струм стоку ID peak | 1.8 А (одиночний імпульс, TA +25 °C) |
| Опір RDS(on) | 6 Ом макс. при ID = 0,4 А |
| Частота перемикання | 100 кГц |
| Енергія лавини EAS | 24 мДж |
| Розсіювана потужність MOSFET | 1.35 Вт |
| Напруга живлення VCC | 36 В макс. |
| Напруга старту VCC(ON) | 14.3 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема STA515 оригінал демонтаж, PowerSSO36
В наявності
222,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Робоча напруга Vcc | 10–36 В |
| Макс. напруга Vcc | 40 В |
| Потужність (BTL) | 2 × 20 Вт на 8 Ом, THD 10 %, Vcc 18 В |
| Потужність (single-ended) | 4 × 10 Вт на 4 Ом, THD 10 %, Vcc 18 В |
| Потужність (паралельний BTL) | 40 Вт на 8 Ом, THD 10 %, Vcc 26 В |
| Rds(on) | 200 мОм (тип.), 270 мОм (макс.) при Id 1 А, Vcc 30 В, VL 3,3 В |
| Розсіювана потужність | 21 Вт при Tcase 70 °C |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Корпус | PowerSSO-36 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Оптрон TLP621 ( P621 ) оригінал, DIP-4
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP-4 |
| Тип виходу | Фототранзистор |
| CTR (IF=5 мА, VCE=5 В, Ta=25 °C) | 50–600 % |
| Vceo (IC=0,5 мА, мін.) | 55 В |
| Напруга ізоляції (AC, 1 хв) | 5000 В |
| IF max (Ta=25 °C) | 60 мА |
| IC max (Ta=25 °C) | 50 мА |
| VF (тип., IF=10 мА) | 1,15 В |
| VCE(sat) (макс., IC=2,4 мА, IF=8 мА) | 0,4 В |
| Робоча температура | -55…100 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон TLP250 , 8pin
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер, двотактний вихід |
| Корпус | DIP8 |
| Піковий вихідний струм | ±1,5 А (PW ≤ 2,5 мкс, f ≤ 15 кГц) |
| Напруга живлення VCC | 10–35 В (рекомендовані умови 15–30 В) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS, мін.) |
| Пороговий вхідний струм IFLH | 5 мА макс. (VCC1 = +15 В, VEE1 = −15 В, RL = 200 Ом) |
| Затримка tpLH / tpHL | 0,5 мкс макс. (IF = 8 мА) |
| Робочий діапазон температур | від −20 до +85 °C |
Оптрон TLP155E ( P155E ) , 5pin
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер, двотактний (push-pull) |
| Корпус | SO6 (5 виводів), 3,7×7,0×2,1 мм |
| Напруга живлення VCC | 10–30 В (рекомендовані умови) |
| Напруга ізоляції | 3750 В (RMS, мін.) |
| Піковий вихідний струм | ±0,6 А (гранично допустимий) |
| Пороговий вхідний струм IFLH | 7,5 мА макс. (VCC = 15 В, VO > 1 В) |
| Затримка tpLH / tpHL | 200 нс макс. (VCC = 20 В, Rg = 30 Ом, Cg = 1 нФ, f = 250 кГц) |
| Робочий діапазон температур | від −40 до +100 °C |
Оптрон TCDT1102G
В наявності
21,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип виходу | фототранзистор, база не підключена |
| Корпус | DIP-6, формування виводів G (10,16 мм, 400 mil) |
| CTR | 63–125 % (VCE = 5 В, IF = 10 мА) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (RMS) |
| Напруга Vceo | 32 В (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм IF | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від −55 до +110 °C |
Оптрон SFH617A-3 ( SFH617A-2 )
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | кремнієвий планарний фототранзистор, вхід – GaAs ІЧ-діод |
| Корпус | DIP-4 |
| Виробник (документ) | Vishay Semiconductors |
| Напруга ізоляції | 5300 В (ср. кв.) |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 70 В, Tamb 25 °C |
| Струм колектора Ic, макс. | 50 мА, Tamb 25 °C |
| Прямий струм діода If, макс. | 60 мА, Tamb 25 °C |
| CTR (SFH617A-3) | мін. 100 %, макс. 200 %, If 10 мА, Vce 5 В, Tamb 25 °C |
| Vce(sat) | тип. 0,25 В, макс. 0,4 В, If 10 мА, Ic 2,5 мА, Tamb 25 °C |
| Робоча температура | -55…+110 °C |
Оптрон PS2561 , DIP4
В наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | NPN кремнієвий фототранзистор, вхід – GaAs світлодіод |
| Корпус | DIP-4 |
| Виробник (документ) | Renesas (раніше NEC) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.), AC 1 хв, TA 25 °C, RH 60 % |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 80 В, TA 25 °C |
| Струм колектора Ic, макс. | 50 мА, TA 25 °C |
| Прямий струм діода If (DC), макс. | 80 мА, TA 25 °C |
| CTR | мін. 80 %, тип. 200 %, макс. 400 %, If 5 мА, Vce 5 В, TA 25 °C |
| Vce(sat) | макс. 0,3 В, If 10 мА, Ic 2 мА, TA 25 °C |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон PS2501 , DIP4
В наявності
10,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | NPN кремнієвий фототранзистор, вхід – GaAs світлодіод |
| Корпус | DIP-4 |
| Виробник (документ) | Renesas (раніше NEC) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ср. кв.), AC 1 хв, TA 25 °C, RH 60 % |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 80 В, TA 25 °C |
| Струм колектора Ic, макс. | 50 мА, TA 25 °C |
| Прямий струм діода If (DC), макс. | 80 мА, TA 25 °C |
| CTR | мін. 80 %, тип. 300 %, макс. 600 %, If 5 мА, Vce 5 В, TA 25 °C |
| Vce(sat) | макс. 0,3 В, If 10 мА, Ic 2 мА, TA 25 °C |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон PC817 ( PC817C ) оригінал, DIP4
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Напруга ізоляції Viso | 5 кВ (rms) |
| CTR серії | 50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Ic для рангу C | 10–20 мА (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Vceo | 80 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон PC814 ( PC814A ) SHARP оригінал, DIP4
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип входу | AC (двонаправлений світлодіод) |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (rms) |
| CTR PC814 | 20–300 % (IF = ±1 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| CTR PC814A | 50–150 % (IF = ±1 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Vceo | 35 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | ±50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = ±20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон PC120
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Відстань витоку | 6 і більше мм |
| CTR | 50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (rms) |
| Vceo | 35 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
Оптрон PC113 , DIP6
В наявності
26,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга колектор-емітер Vceo | 70 В при Ta = 25 °C |
| CTR | 40–320 % при IF = 10 мА, VCE = 5 В, RBE = ∞, Ta = 25 °C |
| Напруга ізоляції вхід–вихід | 5000 В (діюче), AC, 1 хв |
| Макс. прямий струм IF | 50 мА |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА |
| Зворотна напруга VR | 6 В |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF = 20 мА, IC = 1 мА |
| Темновий струм ICEO | 100 нА (макс.) при VCE = 20 В, IF = 0 |
| Виводи | 6: 1 анод, 2 катод, 3 NC, 4 емітер, 5 колектор; база (вивід 6) не підключена |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон PC111 ( TL111 )
В наявності
30,08 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга колектор-емітер Vceo | 35 В при Ta = 25 °C |
| CTR | 50–400 % при IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta = 25 °C; типове 100 % |
| Напруга ізоляції вхід–вихід | 5000 В (діюче), AC, 1 хв |
| Макс. прямий струм IF | 50 мА |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА |
| Зворотна напруга VR | 6 В |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF = 20 мА, IC = 1 мА |
| Виводи | 6: 1 анод, 2 катод, 3 NC, 4 емітер, 5 колектор; база (вивід 6) не підключена |
| Корпус | DIP-6 (збільшена відстань витоку) |
Оптрон MOC8106
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | NPN фототранзистор, вивід бази (pin 6) не підключений |
| Напруга колектор-емітер BVCEO | 70 В (мін.) при IC = 1 мА, IF = 0 |
| Макс. напруга колектор-емітер VCEO | 70 В |
| Макс. струм колектора IC | 50 мА (безперервний) |
| Макс. прямий струм світлодіода IF | 60 мА (безперервний) |
| Коефіцієнт передачі струму CTR | 50–150 % при IF = 10 мА, VCE = 10 В |
| Напруга ізоляції вхід–вихід | 4170 В (діюче), t = 1 хв |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3083 ( CT3083 )
В наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross) |
| Напруга VDRM | 800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова) |
| Струм спрацювання IFT | 5 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. прямий струм LED IF | 60 мА (неперервний, Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED VF | 1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА) |
| Зворотна напруга LED VR | 6 В (макс.) |
| Статична dv/dt | 600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм ITSM | 1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц) |
| Напруга ізоляції VISO | 4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом) |
| Потужність розсіювання PD | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | від -40 до +85 °C |
| Корпус | DIP-6 |