Магазин
IGBT-транзистор H20MR5 оригінал ( IHW20N120R5 )(заміна для 20N120IHR ) , TO247
В наявності
221,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) (тип., 25 °C) | 1,55 В |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MP1495 ( MP1495DJ ) , sot23-8
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems (MPS) |
| Вихідний струм | 3 А |
| Вхідна напруга | 4.5–16 В |
| Вихідна напруга | від 0.8 В |
| Частота перетворення | 500 кГц |
| Опір ключів (верхній / нижній) | 80 / 30 мОм |
| Корпус | TSOT-23-8 |
Демонтаж
Діод FMP-3FU оригінал демонтаж , TO-3PF-3pin (демпферні діоди)( Заміна для FMV-3GU )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Тип | Демпферний діод (для розгортки) |
| Зворотна напруга VRM | 1500 В (секція демпферного діода); друга секція (модуляція) – 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 5.0 А |
| Ударний прямий струм Ifsm | 50 А (50 Гц, один напівперіод синусоїди) |
| Температура переходу Tj | –40…+150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 1.8 °C/Вт |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема CD7522CS демонтаж, SIP-12
В наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Semico |
| Вихідна потужність | 3,0 Вт (мін. 2,4 Вт) при THD 10 %, VCC 8 В, RL 8 Ом, f 1 кГц |
| Напруга живлення | 3,5–13,5 В |
| Макс. напруга живлення | 14 В (Tamb 25 °C, Vin = 0) |
| Коефіцієнт підсилення | 33 дБ (PO 0,5 Вт, VCC 8 В, RL 8 Ом, f 1 кГц) |
| Потужність розсіювання | 1,92 Вт (Tamb 25 °C) |
| Корпус | SIP-12 |
| Стан | Демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 50T65FESC ( MBQ50T65FESC ) оригінал (Заміна для 50T65FDSC , MBQ50T65FDSC ), TO247
В наявності
164,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 50 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.85 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Qg | 287 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4453 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Процесор CH05T0102 ( TDA9381PS/N2/2I1091 ) демонтаж с нового шасі EX1-A1
В наявності
493,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | S-DIP, 64 виводи |
| Напруги живлення | 8,0 / 3,3 В (типові) |
| Кварц | 12 МГц |
| Шасі | EX1-A1 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSQ0370R ( Q0370R , Q0370RA , FSQ0370RA ) , DIP8
В наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга SenseFET (BVDSS) | 700 В |
| Робоча частота | 100 кГц (92–108 кГц, TA 25 °C) |
| Rds(on) | 4,0 Ом (макс. 4,75 Ом) при VGS 10 В, ID 0,5 А |
| Піковий струм обмеження | 1,10 А (0,97–1,23 А) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Потужність розсіювання | 1,5 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 90 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,75 В (макс.) при IC = 50 А |
| Розсіювана потужність Pc | 328,9 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4890 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Датчик Холла A3144 (3144 – маркування) , TO-92S-3 цифровий (на виході тільки 2 стани – LOW и HIGH) Uживл=4,5-24VDC
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc | 4,5–24 В (робочий діапазон) |
| Вихідний струм Iout | 25 мА (макс., Ta=25 °C) |
| Струм споживання Icc | 4,4 мА (тип.) / 9,0 мА (макс.), вихід OFF, Vcc=8 В |
| Індукція спрацьовування Bop | 70…350 Гс (Ta=25 °C) |
| Індукція відпускання Brp | 50…330 Гс (Ta=25 °C) |
| Гістерезис Bhys | 20 Гс (мін.) / 55 Гс (тип.), Ta=25 °C |
| Тип виходу | цифровий, відкритий колектор (LOW/HIGH) |
| Корпус | TO-92S |
Мікросхема RT8108A , so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Призначення | однофазний ШІМ-контролер синхронного понижувального перетворювача |
| Напруга живлення VCC | 5 В (±5 %) або 12 В (±10 %) |
| Частота ШІМ | 300 кГц (варіант A, VCC 12 В, TA 25 °C) |
| Опорна напруга | 0,6 В (варіант A, VCC 12 В, TA 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 92 % (fOSC 200/300 кГц) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема TND315 ( TND315S ) оригінал , smd 8pin
В наявності
180,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 4,5–25 В (TA 25 °C) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (на канал) |
| Час наростання | 30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове) |
| Час спаду | 30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове) |
| Вхідна напруга логічної 1 | 2,6 В (VDD 4,5–25 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK оригінал
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Серія | G6H-II |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга колектор-емітер Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 30 А |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність розсіювання Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2 В макс. (Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл тип. (VGE = 15 В, VCE = 150 В, Ic = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 740 пФ тип. (VCE = 25 В, VGE = 0, f = 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема R2A20133 ( 0133 , R2A20133DSP ) , so-8
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Призначення | PFC-контролер, режим критичної провідності |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 24 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Поріг вмикання UVLO | 9,5 В (8,8–10,2 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 8,5 В (8,1–8,9 В) |
| Струм споживання Icc | 1,8 мА (тип.), макс. 2,6 мА |
| Опорна напруга Vfb | 2,510 В (2,472–2,548 В), FB-COMP закорочені |
| Піковий струм виходу OUT | +0,9 / -0,5 А (імпульсний, абсолютний максимум) |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-8 |
Світлодіод 3535 smd WOOREE WM35E1F-YR07-eB тип2 3V 1,85W 72-84LM 280mA холодний білий
В наявності
7,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WOOREE |
| Корпус | 3535 |
| Пряма напруга Vf | 3 В |
| Потужність | 1,85 Вт |
| Прямий струм If | 280 мА |
| Світловий потік | 72–84 лм |
| Колірність | холодний білий |
Мікросхема BP2858 , DIP7
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP7 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC (за BP2858F) |
| Напруга силового ключа | 500 В (за BP2858F) |
| Опір силового ключа | 3 Ом (за BP2858F, умови виміру не вказано) |
| Вихідна потужність | менше 50 Вт (за BP2858F) |
| Точність струму світлодіодів | ±5 % (за BP2858F) |
| Діапазон ШІМ-димування | 1–100 % (за BP2858F) |
Мікросхема MT7813 , DIP8
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maxic Technology |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга | 10–400 В (постійна напруга; також повний діапазон мережі AC) |
| Напруга пробою вбудованого MOSFET | 500 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА, TA 25 °C) |
| Опір відкритого каналу | 5,5 Ом (VGS 13 В, IDS 1,25 А, TA 25 °C) |
| Вихідний струм | менше 360 мА (рекомендовані умови) |
| Поріг струму на вході CS | 400 мВ (VCC 13 В, TA 25 °C) |
| ККД | до 95 % |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
Мікросхема FT2925P ( ft2925P ) оригінал, ssop28
В наявності
220,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fangtek (SGMICRO) |
| Корпус | TSSOP28 |
| Напруга живлення | 3,0–5,5 В |
| Потужність на канал, 4 Ом | 6,0 Вт (VBAT 3,6 В, THD+N 10 %, без ALC) |
| Потужність на канал, 8 Ом | 3,5 Вт (VBAT 3,6 В, THD+N 10 %, без ALC) |
| ККД | 78 % (VBAT 3,6 В, 4 Ом, Po 2 Вт на канал) |
| Максимальне підсилення | 30 дБ |
| Частота ШІМ бустера | 800 кГц |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BD8174MU ( BD8174MUV , BD8174MUV-E2 ) оригінал, QFN-48
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | VQFN048V7070 (QFN-48) |
| Напруга PVCC1, PVCC2 | 10–14 В |
| Напруга HVCC | 10–18 В |
| Частота генератора | 700 кГц (тип.) |
| Вихідна напруга VDD | 3,3 В |
| Вихідна напруга VGH | 35,2 В (тип.) |
| Вихідна напруга VGL | -6,0 В (тип.) |
| ЦАП | 10 біт, 4 канали |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IP5209 , QFN-24
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Корпус | QFN-24 |
| Струм зарядки | 2,1 А (максимум) |
| Вихідний струм DC-DC | 2,4 А (максимум) |
| Вхідна напруга зарядки VIN | 4,5–5,5 В |
| Напруга акумулятора | 3,0–4,4 В |
| Вихідна напруга DC-DC | 5,12 В (тип., VBAT 3,7 В, без навантаження) |
| Частота перемикання зарядника | 1,6 МГц (тип.) |
| Частота перемикання підвищувального перетворювача | 650 кГц (тип.) |
| Струм у режимі очікування | <100 мкА |
| АЦП | 14 біт |
| Захист ESD | 4 кВ |
Мікросхема IRS21856S ( S21856S , IRS21856 ) , so-14
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга зміщення VOFFSET | 600 В |
| Живлення VCC | 10–20 В |
| Струм виходу Io+/Io- | 0,5 А |
| Затримка вмикання | 150 нс |
| Затримка вимикання | 160 нс |
| Корпус | SO-14 |
| Робоча температура | -40…125 °C |
Мікросхема BP2833A , so-8
В наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | BPS (Bright Power Semiconductor) |
| Вхідна напруга | 85–265 В AC |
| Напруга ключа DRAIN | 500 В |
| Точність струму | ±5 % |
| Поріг CS | 400 мВ |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча температура | -40…105 °C |
Мікросхема SLC2013M ( SLC2013M1 ) , sop-26
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | SLC2013M |
| Корпус | SOP-26 |
| Другий запис номера | SLC2013M1 |
Демонтаж
Транзистор STK1820 ( STK1820F , SMK1820 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Kodenshi AUK |
| Напруга Vds | 200 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8,6 А |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 0,14 / 0,17 Ом (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 840 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Реле K2AK024T ( FTR-K2AK024T , SMIT-SH-124LMR , SMIT-SS-124LMR , SDT-SH-124DM , SDT-SS-124DM , OST-SS-124DM ) ( 24V , 16A/250V ) 1група , 4pin , для станків та інш.
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Контакти | 1 Form A (SPST-NO), 1 група |
| Струм контактів | 16 А / 250 В AC / 30 В DC |
| Виводи | 4 pin |
| Опір котушки | 1110 Ом ±10% (20 °C) |
| Потужність котушки | 530 мВт (20 °C) |
| Напруга спрацювання, макс. | 16,8 В DC |
| Напруга відпускання, мін. | 1,2 В DC |
| Час спрацювання, макс. | 15 мс |
| Час відпускання, макс. | 5 мс |
| Робоча температура | -40…+70 °C |
Мікросхема TOP264KG , eSOP-12
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-JX |
| Напруга пробою DRAIN (BVDSS) | 725 В мін. (VV = Floating, TJ = 25 °C) |
| RDS(on) (TOP264, ID = 150 мА, TJ = 25 °C) | 5.4 Ом тип. / 6.25 Ом макс. |
| Робоча частота | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Вихідна потужність, адаптер / відкрита конструкція, 85–265 В AC | 16 / 30 Вт |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | eSOP-12B (K package) |
Демонтаж
Мікросхема MP7751 ( MP7751GF-Z ) демонтаж, TSSOP-28
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Тип | стерео підсилювач класу D, мостове (BTL) вмикання |
| Потужність на канал | 20 Вт (18 В, 8 Ом, THD 10 %) |
| Напруга живлення | 5–26 В (максимум 30 В) |
| ККД | 92 % (8 Ом, 10 % THD, 1 кГц, 12 В) |
| Піковий вихідний струм | 5 А |
| Опір відкритих ключів | 240 мОм |
| Розсіювана потужність | 3,9 Вт (TA 25 °C) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід – середовище | 32 °C/Вт |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FAN6862TY ( FAN6862 , ABDxx ) оригінал, sot23-6
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Green-Mode PWM-контролер для flyback-перетворювачів |
| Частота ШІМ | 65 кГц (мін. 62 / макс. 68 кГц) |
| Струм запуску | 8 мкА (макс. 30 мкА) |
| Робочий струм споживання | 3 мА, GATE відкритий (макс. 4 мА) |
| Поріг вмикання VDD | 16 В (мін. 15 / макс. 17 В) |
| Поріг вимикання VDD | 8,5 В (мін. 7,5 / макс. 9,5 В) |
| Захист від перенапруги VDD | 25 В (мін. 24 / макс. 26 В) |
| Макс. напруга VDD (абсолютна) | 30 В |
| Обмеження напруги на затворі | 18 В |
| Струм драйвера виходу | 400 мА |
| Час плавного старту | 4 мс (мін. 2,5 / макс. 5,25 мс) |
| Робочий температурний діапазон | -40…+105 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
| Корпус (докладно) | SOT23-6 (SSOT-6, 6 виводів) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD1NK80Z ( D1NK8 ) оригінал (800V,1A,13R) , D-PAK(Заміна для 2SK3850 )
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 1 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 0,63 А |
| Імпульсний струм стоку | 5 А |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 13 / 16 Ом (VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (ID=50 мкА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STI3470 ( S47xxx , STI 3470 ) , sot23-6
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TMI |
| Корпус | SOT23-6 |
| Призначення | синхронний понижувальний DC-DC перетворювач |
| Вхідна напруга | 3,5–18 В |
| Вихідний струм | 2,0 А |
| Частота перетворення | 600 кГц (VFB 0,6 В, VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Опорна напруга | 0,6 В (TA 25 °C, VIN 3,5–18 В) |
| Опір верхнього ключа | 120 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Опір нижнього ключа | 80 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Обмеження струму верхнього ключа | 2,5–3,2 А (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| ККД | до 94 % (вихід 5 В) |
| Робоча температура переходу | -40…+125 °C |
Демонтаж
Тиристор FD312S оригінал демонтаж
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken Electric |
| Тип | Тиристор (SCR) з вбудованим діодом Avalanche |
| Корпус | TO-220F |
| Середній прямий струм IT(AV) | 3.0 А (50 Гц, напівхвиля синусоїди, кут 180°, Tc=92 °C) |
| Діючий прямий струм IT(RMS) | 4.7 А |
| Ударний струм ITSM | 60 А (50 Гц, Tj=125 °C) |
| Струм керування IGT | не більше 10 мА (VD=6 В, RL=10 Ом) |
| Напруга керування VGT | не більше 1.0 В (VD=6 В, RL=10 Ом) |
| Пряма напруга VTM | не більше 1.4 В (ITM=5 А) |
| Ізоляційна напруга VISO | 1500 В (50 Гц, 1 хв) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H25R1203 ( IHW25N120R3 ) демонтаж б/в, TO-247
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з вбудованим діодом |
| Номер | IHW25N120R3 |
| Маркування | H25R1203 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic | 50 А (25 °C), 25 А (100 °C) |
| Потужність Ptot | 365 Вт (25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В тип., 1,8 В макс. (IC = 25 А, VGE = 15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор 2SD1207
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 60 В |
| Напруга Vceo | 50 В |
| Напруга Vebo | 6.0 В |
| Струм колектора Ic | 2.0 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 4.0 А |
| Потужність Pc | 1.0 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 100–560 (VCE 2 В, IC 100 мА) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (VCE 10 В, IC 50 мА) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92LM |
Трансформатор інвертора TMS91573CT
В наявності
195,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Трансформатор інвертора |
| Модель | TMS91573CT |
Мікросхема TDA2611A ( CD2611GS )
В наявності
34,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач потужності звукової частоти 5 Вт |
| Напруга живлення | 6–35 В |
| Вихідна потужність | 4 Вт мін. (Vp 18 В, Rн 8 Ом, спотворення 10 %, f 1 кГц) |
| Струм спокою | 25 мА (типово, Vp 18 В) |
| Піковий струм | 1,5 А повторюваний, 3 А неповторюваний |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема RDA5807M , smd
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | FM-стереотюнер з RDS/RBDS |
| Напруга живлення | 2,7…3,3 В (типово 3,0 В) |
| Діапазон прийому | 50…115 МГц |
| Крок налаштування | 25 / 50 / 100 / 200 кГц |
| Струм споживання | 20 мА (типово, VDD = 3 В, TA 25 °C) |
| Інтерфейс | I2C |
| Корпус | SMD (за документом MSOP10, 10 виводів) |
| Виробник | RDA Microelectronics |
Мікросхема KIA7909PI ( KIA7909API ) , TO220F-3
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Вихідна напруга Vout | -9,0 В |
| Вихідний струм | більше 1,0 А |
| Максимальна вхідна напруга Vin | -35 В |
| Струм обмеження КЗ | 1,9 А |
| Мінімальний спад напруги | 2,0 В |
| Струм спокою | 3 мА |
| Придушення пульсацій | 60 дБ |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TO-220F |