Магазин
Супресор SMAJ18A ( маркування BT ) smd односпрямований
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Робоча зворотна напруга Vrwm | 18 В |
| Напруга пробою Vbr (мін./макс.) | 20,0–22,1 В при IT 1,0 мА, Tj 25 °C |
| Напруга обмеження Vc (10/1000 мкс) | 29,2 В при Ipp 13,7 А |
| Напруга обмеження Vc (8/20 мкс) | 38,0 В при Ipp 68,5 А |
| Пікова імпульсна потужність Ppp | 400 Вт (1 мс, 25 °C) |
| Піковий прямий струм IFSM | 40 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 3,5 В при 35 А, 25 °C |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
Супресор SMAJ15A ( маркування BM ) smd односпрямований
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | TVS-діод (супресор), однонапрямлений |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Маркування | BM |
| Робоча напруга Vwm | 15 В (Ta 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 16.7–18.5 В (IT = 1.0 мА, Ta 25 °C) |
| Струм витоку | 1.0 мкА (при Vwm, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ippm | 16.4 А (імпульс 10/1000 мкс) |
| Напруга обмеження Vc | 24.4 В (при Ippm = 16.4 А) |
| Імпульсна потужність Pppm | 400 Вт (хвиля 10/1000 мкс, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 3.3 Вт (на нескінченному тепловідводі, Ta 50 °C) |
| Температурний діапазон | -55…+150 °C |
| Ifsm | 40 А (8.3 мс, одна напівхвиля) |
| Vf | 3.5 В (при If = 25 А) |
Мікросхема TOP268VG , eDIP-12
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Напруга стік–витік (мін.) | 725 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Tj 25 °C | 1.7 Ом, макс. 1,95 Ом (ID = 500 мА) |
| Rds(on) при Tj 100 °C | 2.5 Ом, макс. 2,9 Ом (ID = 500 мА) |
| Струм обмеження | 3.25 А (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 132 кГц (опція 66 кГц) |
| Піковий струм стоку (абс. макс.) | 6.88 А |
| Робоча температура переходу | −40…150 °C |
Транзистор 65R280Q ( MME65R280Q ) оригінал, D2PAK (700V,13.8A)
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (super junction) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА); 700 В при Tj max |
| Струм Id | 13,8 А (Tc 25 °C); 8,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом макс.; 0,25 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 4,4 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 27,8 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 520 В, Id 13,8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1032 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 104,2 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) демонтаж б/в , TO247
В наявності
192,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Vce(sat), тип. | 1,65 В (VGE = 15 В, IC = 50 А, TJ = 25 °C) |
| Вбудований діод | так, швидкий м’який |
| trr діода | 85 нс (IF = 50 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C) |
| Qg | 310 нКл (VCE = 480 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7500 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 90 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,35 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 74 нс тип. (Ic 30 А, Vce 400 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Потужність Pc | 328,9 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод F08S60S оригінал демонтаж, TO220-2pin(600V,8A)
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | швидкий діод Stealth II |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 8 А (Tc 115 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 80 А (60 Гц, одна напівхвиля синуса) |
| Пряма напруга Vfm | 2,1 В тип. / 2,6 В макс. (If 8 А, Tc 25 °C); 1,6 В тип. (If 8 А, Tc 125 °C) |
| Зворотний струм IRM | до 100 мкА (Vr 600 В, Tc 25 °C); до 500 мкА (Tc 125 °C) |
| Час відновлення trr | до 25 нс (If 1 А, di/dt 100 А/мкс, Vr 30 В, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,5 °C/Вт макс. |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Корпус (докладно) | TO220-2pin (TO-220-2L), 1 – катод, 2 – анод |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод R860P2 , ISL9R860P2 оригінал демонтаж, TO220-2pin(600V,8A)
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | швидкий діод Stealth |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 8 А (Tc 147 °C) |
| Повторюваний піковий струм Ifrm | 16 А (меандр 20 кГц) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 100 А (напівхвиля, 1 фаза, 60 Гц) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.4 В (If 8 А, Tc 25 °C); 2.0 В (If 8 А, Tc 125 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 100 мкА (Vr 600 В, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 25 нс (If 1 А, dif/dt 100 А/мкс, Vr 30 В) |
| Ємність переходу Cj (тип.) | 30 пФ (Vr 10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 85 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.75 °C/Вт (макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TFA9843J
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Вихідна потужність SE | 1–20 Вт на канал |
| Вихідна потужність BTL | 4–40 Вт |
| Коефіцієнт підсилення SE | 26 дБ (25–27 дБ) |
| Коефіцієнт підсилення BTL | 32 дБ (31–33 дБ) |
| Напруга живлення | 9–26 В (типово 18 В) |
| Струм спокою | 60 мА, макс. 100 мА (VCC = 18 В) |
| Потужність розсіювання | 35 Вт |
| Робочий діапазон температур | від –40 до +85 °C |
Мікросхема FSD210 оригінал, DIP7 ( заміна для TDA865 )
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стік–витік (мін.) | 700 В (VCC = 0 В, ID = 100 мкА) |
| Rds(on) | 28 Ом, макс. 32 Ом (Tj = 25 °C, ID = 25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (Tj = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (Vfb = 3,5 В) |
| Піковий струм обмеження | 0,32 А |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | від –25 до +85 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод SF10A400HD оригінал , D-PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | надшвидкий діод, одиночний |
| Виробник | Kodenshi AUK Group |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 10 А |
| Ударний прямий струм Ifsm | 60 А (8,3 мс, половина синусоїди, на номінальному навантаженні) |
| Пряма напруга Vfm (макс.) | 1.40 В (If 10 А, Tj 25 °C); 1.20 В (If 10 А, Tj 125 °C) |
| Зворотний струм Irm (макс.) | 20 мкА (Vr = Vrrm, Tj 25 °C); 200 мкА (Vr = Vrrm, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 30 нс (If 1 А, di/dt -100 А/мкс) |
| Ємність переходу Cj (тип.) | 65 пФ (Vr 10 В, 1 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 6.0 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SMK630 ( SMK630D ) оригінал , D-PAK
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Kodenshi AUK Group |
| Напруга Vds | 200 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 9 А (Tc 25 °C); 5,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4,5 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 12 нКл тип. (Vds 160 В, Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP8N60 оригінал (заміна для FIR8N60P, HM8N60P , 07N60C2 , MTP6N60E )(600V,8A), TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 8.0 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 4.0 А) | 1.2 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg | 28 нКл (тип.), 36 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 965 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 147 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgss макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Feihong |
| Стан | Оригінал |
DC-DC перетворювач знижуючий з підтримкою протоколов швидкої зарядки QC2.0, QC3.0…
В наявності
126,90 ₴
Демонтаж
Транзистор 2SK3568 оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм Id (Ta 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6 А) | 0.4 Ом (тип.), 0.52 Ом (макс.) |
| Vth (Vds 10 В, Id 1 мА) | 2.0–4.0 В |
| Qg | 42 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 40 Вт |
| Tch макс. | 150 °C |
| Vgss макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор JCS9N90FT ( заміна для FQPF9N90CT , SVF9N90F , CS9N90F , AOTF9N90 , TF9N90 , FIR9N90F , HM9N90F ) оригінал(900V,9A), TO220F
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В |
| Струм Id при Tc 25 °C | 9 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 6.0 А |
| Rds(on) | 1.18 Ом типово, 1.35 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (Vds 720 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP13NK60ZFP оригінал демонтаж , TO-220F
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id при Tc 25 °C | 13 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 8.2 А |
| Rds(on) | 0.48 Ом типово, 0.55 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово, 92 нКл максимум (Vdd 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2030 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 35 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Ізоляція виводів від радіатора | 2.5 кВ RMS, t = 1 с, Tc 25 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHP100N08 оригінал (заміна для CJP75N80 )(80V,100A) , TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 8,5 мОм макс. (типово 6,5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SIF20N50C ( KIA20N50H , FDPF20N50 , FQPF20N50 , 20N50 ) оригінал демонтаж, TO220F(20A,500V)
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мінімум) |
| Струм Id при Tc 25 °C | 20 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 13 А |
| Rds(on) | 0.23 Ом типово (VGS=10 В, ID=10 А), максимум 0.26 Ом |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл типово (VDD=320 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал демонтаж б/в, TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм Ic | 35 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл тип. (Vcc 480 В, Ic 12 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HM80N075P оригінал(75V,80A), TO220( FIR80N075PG )
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 60 А |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип., VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (тип., VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 2.85 В, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор TGAN30N135FD1 ( 30N135FD1 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1350V,30A)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic | 60 А при TC = 25 °C; 30 А при TC = 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 90 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, TC = 25 °C) |
| Pd | 329 Вт при TC = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 3570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STP60NF06 ( P60NF06 ) оригінал (60V,60A), TO220
В наявності
91,18 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Технологія | STripFET |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 42 А |
| Rds(on) | 0.014 Ом (тип., VGS=10 В, ID=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (тип., VDD=30 В, ID=60 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65S1K5CE ( IPA65R1K5CE ) оригінал, TO220F
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Серія | CoolMOS CE |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5.2 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3.3 А |
| Rds(on) | 1.26 Ом (тип., VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 10.5 нКл (тип., VDD=480 В, ID=1.5 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 225 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (ID=0.1 мА) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF20N50F оригінал, TO220F(20A,500V,0.2R)
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (BVDSS мін., VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.20 Ом тип., 0.27 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл тип. (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 72 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA28N50 ( 28N50 ) оригінал , TO-3P
В наявності
119,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 28 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 16.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.14 Ом тип., 0.18 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. (Vds 400 В, Id 28 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4085 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 479 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N03 ( CS150N03A8 , 150N03 ) оригінал , TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 30 В |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 120 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.8 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–3.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 10000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFB20N50K ( FB20N50K , 20N50 ) оригінал демонтаж , TO220 (500V,20A)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.21 Ом тип., 0.25 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Vds 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| trr діода | 520 нс тип., 780 нс макс. (IF 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
