Польові транзистори
Транзистор VS1401ATH ( 1401ATH ) оригінал ( заміна для KS12015T , KS12015CAT ) , TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vanguard Semiconductor |
| Позначення | VS1401ATH |
| Маркування | 1401ATH |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 200 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 142 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 14755 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VS8402ATH ( 8402ATH ) оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id | 160 А (TC 25 °C), 113 А (TC 100 °C), VGS=10 В |
| Rds(on) | 4.5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.1 В тип. (2.6–3.6 В; VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 144 нКл тип. (VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8655 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 259 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vergiga |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор WFW20N50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Wisdom Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 13 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.21 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.26 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Енергія лавини EAS | 1110 мДж |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор WSF70P03 оригінал, DPAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга стік–витік Vds | -30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -57 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS=-10 В) | -36 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -180 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-30 А) | 7.5 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-15 А) | 12 мОм тип., 16 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.0 … -2.5 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3448 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 52.1 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Winsok Semicon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE30H15K оригінал, D-PAK
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 600 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.0 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 4.4 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл (Vds=15 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE40H12K оригінал, D-PAK
В наявності
77,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C), 85 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 330 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.6 мОм, макс. 4.0 мОм (Vgs=10 В, Id=20 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 5.8 мОм (Vgs=4.5 В, Id=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (Vds=20 В, Id=20 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCE6075K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 75 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 9.1 мОм, макс. 11.5 мОм (Vgs=10 В, Id=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (Vds=30 В, Id=30 А, Vgs=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Wuxi NCEP023N10LL , TOLL
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 300 А (Tc 25 °C), 220 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,7 мОм тип., макс. 2,3 мОм (Vgs 10 В, Id 150 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,0 В тип. (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 240 нКл тип. (Vds 50 В, Vgs 10 В, Id 150 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 14000 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TOLL |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
Транзистор Wuxi NCEP039N10D оригінал, TO263
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench II) |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 135 А при Tc 25 °C; 108 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 540 А |
| Опір Rds(on) | 3,5 мОм тип., макс. 3,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 65 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0 В тип., 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 6400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Wuxi NCE Power Co., Ltd |
| Стан | Оригінал |