Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG043N10 ( HYG043N10NS2P , G043N10 ) оригінал, TO220
64,39 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG043N10 (HYG043N10NS2P, G043N10) – N-канальний польовий транзистор HUAYI на 100 В і 164 А у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 164 А (Tc = 25 °C, на великому радіаторі) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 3.5 мОм тип., 4.8 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3.2 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. (VDS = 80 В, IDS = 50 А, VGS = 10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 258.6 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
HYG043N10 (HYG043N10NS2P, G043N10) – N-канальний польовий транзистор виробництва HUAYI у корпусі TO-220. Напруга Vds – 100 В (Tc = 25 °C). Струм стоку Id – 164 А при Tc = 25 °C (на великому радіаторі) і 116 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.5 мОм типово, 4.8 мОм максимум (VGS = 10 В, IDS = 50 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, типово 3.2 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА). Заряд затвора Qg – 100 нКл типово (VDS = 80 В, IDS = 50 А, VGS = 10 В). Потужність розсіювання Pd – 258.6 Вт при Tc = 25 °C. Вбудований діод: Vsd 0.9 В типово, trr 57 нс, Qrr 94 нКл (ISD = 50 А, dISD/dt = 100 А/мкс).
Оригінал, не демонтаж. Для заміни порівняйте тип каналу, корпус, Vds, Id і Rds(on) за однакових умов вимірювання. У нашому каталозі є G042N10 (HYG042N10) у тому самому корпусі TO-220; у нього заряд затвора Qg трохи більший, тому враховуйте можливості драйвера. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Системи керування батареєю (BMS)
- Контролери
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×164=131, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4.8=6.24 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 119 нКл проти 100 нКл у HYG043N10: врахуйте драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HYG043N10?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не нижче 100 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on) при тій самій напрузі Vgs. У нашому каталозі такий варіант – G042N10.
Як перевірити транзистор?
Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між виводами та працездатність внутрішнього діода.
Для чого підходить HYG043N10?
За даташитом: системи керування батареєю (BMS) та контролери. Виробник заявляє 100% перевірку на лавинний пробій.
Документація виробника: HYG043N10NS2B (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.